显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供具有能够增加导通电流的晶体管的显示装置。显示装置包含：第1电极；第1绝缘层，具有第1上表面以及在到达第1电极的第1开口部中为闭合形状的第1侧壁；被配置在第1侧壁上且第1部与第1电极连接的氧化物半导体层；与氧化物半导体层对置的栅极电极；在氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；被配置在第1上表面的上方且与氧化物半导体层的第2部连接的第1透明导电层；以及与第1透明导电层连接且与第1透明导电层为同一层的第2透明导电层。

【技术实现步骤摘要】
201610079368

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，具有：第1电极；第1绝缘层，具有第1上表面以及在到达所述第1电极的第1开口部中为闭合形状的第1侧壁；氧化物半导体层，被配置在所述第1侧壁上，第1部与所述第1电极连接；栅极电极，与所述氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，位于所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间；第1透明导电层，被配置在所述第1上表面的上方，与所述氧化物半导体层的第2部连接；以及第2透明导电层，与所述第1透明导电层连接，与所述第1透明导电层为同一层。

【技术特征摘要】
2015.02.09 JP 2015-0230181.一种显示装置，其特征在于，具有：第1电极；第1绝缘层，具有第1上表面以及在到达所述第1电极的第1开口部中为闭合形状的第1侧壁；氧化物半导体层，被配置在所述第1侧壁上，第1部与所述第1电极连接；栅极电极，与所述氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，位于所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间；第1透明导电层，被配置在所述第1上表面的上方，与所述氧化物半导体层的第2部连接；以及第2透明导电层，与所述第1透明导电层连接，与所述第1透明导电层为同一层。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第2透明导电层是被供给与像素的灰度对应的数据信号的像素电极。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还具有：第4透明导电层，在俯视时至少被配置在与所述第2透明导电层不同的区域，被供给与所述第2透明导电层不同的电压；以及第2绝缘层，被配置在所述第2透明导电层与所述第4透明导电层之间。4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还具有：第3透明导电层，与所述第1透明导电层以及所述第2透明导电层为同一层，在俯视时与所述第2透明导电层对置，被供给与所述第2透明导电层不同的电压。5.如权利要求3或4所述的显示装置，其特征在于，还具有：栅极线，被供给栅极电压，该栅极电压控制以所述氧化物半导体层作为沟道的晶体管的导通/截止；以及数据线，被供给所述数据信号；所述栅极线与所述栅极电极连接，所述数据线与所述第1电极连接，所述晶体管被配置在所述栅极线与所述数据线交叉的区域。6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第1侧壁为倾斜面朝向上方的锥形形状。7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第1透明导电层被配置在所述第1上表面与所述氧化物半导体层之间。8.一种显示装置，其特征在于，具有：第1电极；第1绝缘层，具有第1上表面以及在到达所述第1电极的第1开口部中为闭合形状的第1侧壁；氧化物半导体层，被配置在所述第1侧壁上，第1部与所述第1电极连接；栅极电极，与所述氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，位于所述氧化物半导体层与所述栅极电极之间；第1透明导...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木俊成，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP