氮化物半导体层叠体及其制造方法以及氮化物半导体器件技术

氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201580003367

【技术保护点】
一种氮化物半导体层叠体，其特征在于，包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底；和形成在所述Si衬底上的氮化物半导体层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小河淳，远崎学，藤重阳介，伊藤伸之，冈崎舞，井上雄史，田尻雅之，寺口信明，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP