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氮化物半导体层叠体及其制造方法以及氮化物半导体器件技术
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文档序号:13516301
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氮化物半导体层叠体包括:将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101);和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、3...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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