【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基准电压源，特别涉及一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源。
技术介绍
在很多模拟电路、数字电路及数模混合电路的应用中，基准电路由于其自身的高精度和低温漂特性起到了很重要的作用。一个有效的基准电压源在一定范围内基本上与电源电压变化、工艺参数变化、温度变化等无关。现在更低的温度系数、更低的功耗、更好的抗噪声性能一直是设计者所追求的目标。有Widlar和Brokaw提出的传统带隙基准电路是一阶温度补偿的基准，温度曲线是一条曲线，其温度系数一般被限制在20到100ppm/℃。随着温度的升高，电压呈现先上升后下降趋势，而且由于工艺、温度、失调电压等原因，会使基准电压发生偏移，进一步加大了基准的温度系数，这会使得基准电压发生波动，从而使得电路内部参考电压发生变化，影响电路正常工作。因此传统基准的温度系数难以满足其他模块对于电压基准精度的高要求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提供一种输出的基准电压温度系数小、稳定性高的曲率补偿低温漂带隙基准电压源。本技术解决上述问题的技术方案是：一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源，包括用于产生低温度系数基准电压的一阶基准电路；与一阶基准电路相连，用于在高温阶段对一阶基准电路进行温度补偿的高温阶段曲率补偿电路；与一阶基准电路相连，用于在低温阶段对一阶基准电路进行温度补偿的低温阶段曲率补偿电路；与低温阶段曲率补偿电路相连，为低温阶段曲率补偿电路提<...
【技术保护点】
一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源，其特征在于：包括用于产生低温度系数基准电压的一阶基准电路；与一阶基准电路相连，用于在高温阶段对一阶基准电路进行温度补偿的高温阶段曲率补偿电路；与一阶基准电路相连，用于在低温阶段对一阶基准电路进行温度补偿的低温阶段曲率补偿电路；与低温阶段曲率补偿电路相连，为低温阶段曲率补偿电路提供负温度系数电流的负温度系数电流产生电路。
【技术特征摘要】
1.一种曲率补偿低温漂带隙基准电压源，其特征在于：包括用于产生低温度系数基准电压的一阶基准电路；与一阶基准电路相连，用于在高温阶段对一阶基准电路进行温度补偿的高温阶段曲率补偿电路；与一阶基准电路相连，用于在低温阶段对一阶基准电路进行温度补偿的低温阶段曲率补偿电路；与低温阶段曲率补偿电路相连，为低温阶段曲率补偿电路提供负温度系数电流的负温度系数电流产生电路。
2.根据权利要求1所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源，其特征在于：所述一阶基准电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、运算放大器、第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管、第一电阻、第二电阻，运算放大器的正相输入端与第四PMOS管漏极、第一电阻的一端相连，第一电阻的另一端与第二PNP管的发射极相连，运算放大器的反相输入端与第二PMOS管的漏极、第一PNP管的发射极相连，第一PNP管的基极、集电极和第二PNP管的基极、集电极均接地，运算放大器的输出端与第二PMOS管的栅极相连，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极相连，第一PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管的源极接电源，第一PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管的栅极相连并连接至高温阶段曲率补偿电路，第二PMOS管、第四PMOS管、第六PMOS管的栅极相连并连接至高温阶段曲率补偿电路，第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连，第五PMOS管的漏极与第六PMOS管的源极相连，第六PMOS管的漏极与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端与第三PNP管的发射极相连，第三PNP管的基极、集电极接地。
3.根据权利要求2所述的曲率补偿低温漂带隙基准电压源，其特征在于：所述负温度系数电流产生电路包括第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第四PNP管、第五PNP管和第三电阻，所述第七PMOS管、第九PMOS管、第十一PMOS管的源极接电源，第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管的栅极相连，第七PMOS管的漏极与第八PMOS管的源极、第八PMOS管的栅极相连，第十一PMOS管的漏极与第十二PMOS管的源极相连，第十二PMOS管的漏极与低温阶段曲率补偿电路相连，第九PMOS管的漏极与第十PMOS管的源极相连，第十PMOS管的漏极与第四PNP管的发射极相连，第四PNP管的基极分别与第五PNP管的发射极、第八PMOS管的漏极相连，第...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾以成，张东亮，陈星燕，邓玉斌，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：新型
国别省市：湖南;43
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