Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法技术

本发明专利技术公开Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法。本发明专利技术采用气相沉积法，通过改变生长基底、调节基底放置方式、生长时间、生长温度等可以实现对Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的大面积可控制备。本发明专利技术使用二硫化钼纳米片、二硒化钨纳米片、碲纳米线、高序热解石墨烯等多种范德瓦尔斯材料作为生长基底，可以制备出硒/二硫化钼、硒/二硒化钨、硒/碲等多种硒基异质结，从而满足光电、催化、成像等多种应用领域需求。本发明专利技术具有成本低、效率高、样品质量高等优势，能够满足大面积合成的工业化需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体纳米，具体涉se纳米结构或se基范德瓦尔斯异质结的制备方法。

技术介绍

1、硒(se)位于第五周期，具有多种同素异形体，其中三方晶相硒(t-se)半导体最为稳定。t-se是一种典型的p型半导体，其带隙约为1.67ev。t-se具有链状的晶体结构，其中每一个se原子沿着c轴以螺旋链的形式共价连接，相邻的两个原子旋转120°，每条分子链之间通过弱的范德华力相连接。其具有较高的载流子迁移率、突出的光电导性能、显著的非线性光学响应等，在场效应晶体管、光电探测器、太阳能电池、调谐半导体激光器、传感器等领域展现出巨大的应用前景。

2、研究人员通过水热法、多孔模板辅助法、微波辅助合成法等多种制备方法，已经成功合成出了多种硒纳米材料。但基于溶液合成的方法大多需要复杂的化学反应过程，进而容易引入多种杂质。与此相比，气相沉积方法的反应过程更为简单，可以更有效地获得高质量硒纳米材料。二维层状材料表面无悬挂键，可以与多种材料进行耦合。一些不同维度的范德瓦尔斯纳米材料可以与二维层状材料集成，从而形成混合维度的范德瓦尔斯异质结构，获得原有材料所不具有的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，S1中，采用石墨片作为基底支撑物，卡槽位于石墨片前端距离边缘0. 4~0.8 cm处，卡槽的宽度为0. 5~1.0 mm，卡槽的深度为0.8~1.2mm。

3.根据权利要求1所述的Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述基底为钠钙玻璃，生长有二硫化钼纳米片、二硒化钨纳米片或碲纳米线的钠钙玻璃基底，聚酰亚胺或高序热解石墨烯。

4.根据权利要求1所述的Se纳米...

【技术特征摘要】

1.一种se纳米结构或se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的se纳米结构或se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，s1中，采用石墨片作为基底支撑物，卡槽位于石墨片前端距离边缘0. 4~0.8 cm处，卡槽的宽度为0. 5~1.0 mm，卡槽的深度为0.8~1.2mm。

3.根据权利要求1所述的se纳米结构或se基范德瓦尔斯异质结的制备方法，其特征在于，s1中，所述基底为钠钙玻璃，生长有二硫化钼纳米片、二硒化钨纳米片或碲纳米线...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝国林，马新瑞，王凯祎，高枫林，郝玉龙，郝世杰，贺力员，张世伟，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：