【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体材料制备
，具体是一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉。
技术介绍
垂直梯度凝固（VGF）方法是生长低位错、高质量化合物单晶的主要工艺技术之一。采用水平合成法（HB）得到的化合物多晶料，在VGF高压炉内进行单晶生长。例如传统的磷化铟材料HB法合成一般为三温区水平合成，合成时间约3-5天左右，合成的多晶料容易富铟，目前世界上磷化铟多晶料生产中普遍采用此种方法。VGF方法生长化合物单晶，采用多段加热结构的加热器，可精确建立垂直方向的温度梯度，使化合物定向凝固生长。该方法生长化合物单晶时，热场温度梯度小，从而晶体应力小，位错密度低，电学参数均匀。
但还存在一些主要的问题，如：化合物多晶料合成时间长，合成的多晶料要经过切割、清洗、腐蚀等工艺，再放入VGF高压炉内进行生长。在整个备料过程中容易产生沾污，易产生难熔氧化物，外界杂质融入到材料中的机率高，造成杂质补偿，降低晶片电学质量。在单晶生长过程中，由于杂质的引入容易在固液界面处成核产生孪晶，造成单晶率下降。同时，整个过程不能实时观测，时间长，能耗大，材料...
【技术保护点】
一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，包括电极（1）、热偶（2）、加热器（3）、炉室（4）、源炉（5）、机械臂（6）、观察窗（7）、上传动杆（8）、密封盖（9）、坩埚（10）、下传动杆（12），坩埚（10）置于炉室（4）内，筒状的加热器（3）包绕在坩埚（10）的四周，电极（1）分设在加热器（3）的两侧，热偶（2）设置在加热器（3）的一侧，与坩埚驱动装置相连的下传动杆（12）设于炉室（4）的下方，其特征在于，还包括与升降装置相连的上传动杆（8），上传动杆（8）自炉室（4）的上方穿入炉室（4）内，上传动杆（8）的下端设有能够封闭加热器（3）的密封盖（9），上传动杆（8）...
【技术特征摘要】
1.一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，包括电极（1）、热偶（2）、加热器（3）、炉室（4）、源炉（5）、机械臂（6）、观察窗（7）、上传动杆（8）、密封盖（9）、坩埚（10）、下传动杆（12），坩埚（10）置于炉室（4）内，筒状的加热器（3）包绕在坩埚（10）的四周，电极（1）分设在加热器（3）的两侧，热偶（2）设置在加热器（3）的一侧，与坩埚驱动装置相连的下传动杆（12）设于炉室（4）的下方，其特征在于，还包括与升降装置相连的上传动杆（8），上传动杆（8）自炉室（4）的上方穿入炉室（4）内，上传动杆（8）的下端设有能够封闭加热器（3）的密封盖（9），上传动杆（8）为中空杆，密封盖（9）设有中心孔，观察窗（7）穿过上传动杆（8）和密封盖（9）的中心伸入到炉室（4）内，炉室（4）外设有与观察窗（7）连接的视频监控系统，用于向坩埚（10）注入挥发元素的源炉（5）与机械臂...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙聂枫，王阳，王书杰，刘惠生，孙同年，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：新型
国别省市：河北;13
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