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本实用新型公开了一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，涉及半导体材料制备技术领域。本实用新型包括电极、热偶、加热器、炉室、源炉、机械臂、观察窗、上传动杆、密封盖、坩埚、下传动杆，通过机械臂将源炉插入熔体中，进行原位合成，利用观察窗观...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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