一种超大单晶体生长炉制造技术

本发明专利技术为一种超大单晶体生长炉，包括炉体、炉内晶体加热系统，所述炉体包括炉架、炉壳，所述炉架下部为支腿，上部为炉底铁板平台，所述炉底铁板平台上放置有中空的炉壳，所述炉底铁板平台上设置有开口通过所述的敞口连通所述炉壳的内部；所述升降系统顶部设置有升降平台，所述升降平台上竖直设置耐火管，所述耐火管内竖直放置矩形长条的中空薄壁铂坩埚，底部并排排列晶种，所述铂坩埚与所述耐火管之间放置陶瓷夹板支撑坩埚，设置有热电偶，所述耐火管的内部空间填充氧化铝粉；所述氧化铝空心球刚玉炉膛内设置有硅钼棒。解决了非标晶体按特定的工艺条件生长的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
201610210720

【技术保护点】
一种超大单晶体生长炉，包括炉体(1)、炉内晶体加热系统，其特征在于：所述炉体(1)包括炉架(11)、炉壳(12)，所述炉架(11)下部为支腿，上部为炉底铁板平台(111)，所述炉底铁板平台(111)上放置有中空的炉壳(12)，所述炉壳(12)底部为敞口,所述炉底铁板平台(111)上设置有开口通过所述的敞口连通所述炉壳(12)的内部；所述炉内晶体加热系统包括升降系统(112)、铂坩埚(21)、多室氧化铝空心球刚玉炉膛(22)、耐火管(23)，所述升降系统(112)设置于所述炉底铁板平台(111)的开口下方，所述升降系统(112)顶部设置有升降平台(1121)，所述升降平台(1121)上竖直设置耐...

【技术特征摘要】
1.一种超大单晶体生长炉，包括炉体(1)、炉内晶体加热系统，其特征在于：所述炉体
(1)包括炉架(11)、炉壳(12)，所述炉架(11)下部为支腿，上部为炉底铁板平台(111)，所述
炉底铁板平台(111)上放置有中空的炉壳(12)，所述炉壳(12)底部为敞口,所述炉底铁板平
台(111)上设置有开口通过所述的敞口连通所述炉壳(12)的内部；
所述炉内晶体加热系统包括升降系统(112)、铂坩埚(21)、多室氧化铝空心球刚玉炉膛
(22)、耐火管(23)，所述升降系统(112)设置于所述炉底铁板平台(111)的开口下方，所述升
降系统(112)顶部设置有升降平台(1121)，所述升降平台(1121)上竖直设置耐火管(23)，所
述耐火管(23)内竖直放置截面为矩形的长条的中空薄壁铂坩埚(21)，所述铂坩埚(21)两侧
或所述铂坩埚(21)与所述耐火管(23)之间竖直设置有陶瓷夹板(26)，所述陶瓷夹板(26)与
所述铂坩埚(21)外侧之间设置有热电偶(29)，所述耐火管(23)的内部空间填充氧化铝粉
(30)；
所述多室氧化铝空心球刚玉炉膛(22)内置于所述炉壳(12)内，所述炉壳(12)内填充莫
来石泡沫砖(31)包裹支撑所述多室氧化铝空心球刚玉炉膛(22)，所述多室氧化铝空心球刚
玉炉膛(22)为实体结构，其包括上部炉膛(28)和下部炉膛(27)，所述上部炉膛是横置或纵
置排列的多个上下方向贯通的通孔(281)，所述下部炉膛(27)是沿水平方向前后贯通的且
底部开口的长孔，所述上部炉膛(28)和下部炉膛(27)连通且延伸到所述多室氧化铝空心球
刚玉炉膛(22)的顶部及底部，所述下部炉膛(27)截面形状为向两端呈扩张状的近似椭圆形
其底部开口，该开口下方设置有沿所述多室氧化铝空心球刚玉炉膛(22)长度方向的条形隔
热板(33)，所述隔热板封闭该开口并设置有多个连通孔(34)，所述连通孔(34)的位置与所
述通孔(281)对应设置，所述耐火管(23)从所述的多室氧化铝空心球刚玉炉膛(22)底部隔
热板(33)的连通孔(34)进入所述的下部炉膛(27)、上部炉膛(28)并置于其内，所述耐火管
(23)由所述升降系统(112)控制沿其垂直方向按照升速或降速上下移动以完成将所述的铂
坩埚(21)置于不同的温度区内，所述下部炉膛(27)内在位于所述耐火管(23)两侧设置有硅
钼棒(32)。
2.根据权利要求1所述的一种超大单晶体生长炉，其特征在于：升降系统(112)系统包
括丝杆升降机(1122)、编码器(1123)、电机(1124)...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙桂平，吕宝林，韩承峪，孙立东，孙宪峰，周玟岐，
申请(专利权)人：吉林省隆华测控股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22