一种晶体生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶体生长装置，包括：炉体；用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛，所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置，以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降，进而控制待加热原料物质在所述高温区与所述低温区之间往复运动移动。该晶体生长装置结构新颖，简单，不仅可以适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长，而且还可适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长，具有广泛的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶生长
，尤其是涉及一种晶体生长装置。
技术介绍
非线性光学(NLO)晶体在众多领域有着极为重要的应用，近年来国内外发现了许多性质良好的具有新颖结构的NLO化合物粉末，如Ba3P3O1QCl等，由于没有厘米级单晶，尚未评估它们是否有实际应用价值。原因在于大量新颖的NLO化合物易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点，且多晶料难以大量合成，获得厘米级单晶非常困难。因此，探索开发一种适用于此类化合物晶体生长的方法具有重要的意义。众所周知，此类化合物由于其强的挥发性和易氧化而无法在开放空间中合成与晶体生长，而是需要在密闭无水无氧环境中进行。目前对于非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的单晶生长非常困难，该类晶体的生长研究也尚未在文献中报道。适用于需要密闭环境的化合物晶体的生长方法是布里奇曼晶体生长法。对于易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长不仅需要密闭环境，且需要助熔剂辅助。在晶体生长过程中，助熔剂的存在可以降低晶体的结晶温度，但是也会造成晶体的缺陷。因此优化晶体生长设备，使得在晶体生长过程中助熔剂能快速有效的排出晶体，成为目前迫切需要解决的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体生长装置，其特征在于，包括：炉体(2)；用于支撑所述炉体(2)的炉体支架(11)；以及位于所述炉体(2)内的炉膛，所述炉膛包括位于炉膛上端的高温区和下端的低温区；所述炉体支架(11)上设置有升降装置，以控制位于所述炉膛内的坩埚托杆(6)的升降，进而控制待加热原料在所述高温区与所述低温区之间往复运动；其中，所述升降装置包括：升降横臂(8)，设置在炉体支架(11)上并用于托举所述坩埚托杆(6)，以实现所述坩埚托杆(6)上下往复运动；晶转电机(9)，与所述坩埚托杆(6)连接，用于旋转所述坩埚托杆(6)，以使得其内的熔融原料快速均一化；直线导轨(12)，与所述升降横臂(8)连接，以固定所述升降...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玲，王国强，吴立明，吴新涛，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35