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本发明公开了一种晶体生长装置,包括:炉体;用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降,进而控制待加热原料物质在所述高温区与...该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种晶体生长装置,包括:炉体;用于支撑所述炉体的炉体支架以及位于所述炉体内的炉膛,所述炉膛包括位于其上端的高温区和下端的低温区。所述炉体支架上设置有升降装置,以控制位于炉膛内的坩埚托杆的升降,进而控制待加热原料物质在所述高温区与...