【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2010年10月7日、申请号为“201080049673.6”、专利技术名称为“半导体器件”的专利技术专利申请的分案申请。
本文所揭示的专利技术涉及使用半导体元件的半导体器件、以及用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
使用半导体元件的存储器件被宽泛地分成两类:当停止供电时丢失所存储数据的易失性器件、以及即使在不供电时也保持所存储数据的非易失性器件。易失性存储元件的典型示例是DRAM(动态随机存取存储器)。DRAM以选择存储元件中所包括的晶体管,并且电荷被存储在电容器中的方式存储数据。当从DRAM读取数据时,电容器中的电荷根据上述原理而丢失;由此,每当读出数据时就必需进行另一写入操作。此外,存储元件中所包括的晶体管具有漏电流,并且电荷即使在不选择晶体管时也流入或流出电容器,从而数据保持时间较短。由此,另一写入操作(刷新操作)以预定间隔进行是必要的,并且难以充分地降低功耗。此外,由于所存储数据在停止供电时丢失,因此需要使用磁性材料或光学材料的附加存储元件以使数据保持较长时间。易失性存储元件的另一示例是SRAM(静态随机存取存储器)。SRAM通过使用诸如触发器之类的电路来保持所存储数据,并且由此不需要刷新操作。这意味着SRAM具有优于DRAM的优点。然而,由于使用诸如触发器之类的电路,每存储容量的成本增大。此外,如在DRAM中,SRAM中的所存储数据在停止供电时丢失。非易失性存储元件的典型 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,所述半导体器件包括:包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极,其中,所述第二晶体管包括氧化物半导体层,所述氧化物半导体层包括第一沟道形成区,所述第一沟道形成区为本征或基本本征;以及其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接。
【技术特征摘要】
2009.10.29 JP 2009-249330;2010.01.22 JP 2010-012611.一种半导体器件,所述半导体器件包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及
所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第二晶体管包括氧化物半导体层,所述氧化物半导体层包括第一沟道形成
区,所述第一沟道形成区为本征或基本本征;以及
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接。
2.一种半导体器件,所述半导体器件包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及
所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括:
第二栅电极;
所述第二栅电极上的栅绝缘层;
所述栅绝缘层上的氧化物半导体层;以及
所述栅绝缘层上的第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接;以
及
其中,所述氧化物半导体层包括第一沟道形成区,所述第一沟道形成区为本征或基本
本征。
3.一种半导体器件,所述半导体器件包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;
所述第一晶体管上的层间绝缘层;以及
第二晶体管,所述第二晶体管包括:
所述层间绝缘层上的氧化物半导体层;
所述氧化物半导体层上的栅绝缘层;
所述栅绝缘层上的第二栅电极;以及
所述层间绝缘层上的第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接;以
及
其中,所述氧化物半导体层包括第一沟道形成区,所述第一沟道形成区为本征或基本
本征。
4.一种包括多个存储单元的半导体器件,
所述多个存储元件的每一个包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及
所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第二晶体管包括氧化物半导体层;以及
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接,
其中,所述多个存储元件串联连接。
5.一种包括多个存储单元的半导体器件,
所述多个存储单元的每一个包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及
所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括:
第二栅电极;
所述第二栅电极上的栅绝缘层;
所述栅绝缘层上的氧化物半导体层;以及
所述栅绝缘层上的第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接,以
及
其中,所述多个存储元件串联连接。
6.一种包括多个存储单元的半导体器件,
所述多个存储单元的每一个包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;
所述第一晶体管上的层间绝缘层;以及
第二晶体管,包括:
所述层间绝缘层上的氧化物半导体层;
所述氧化物半导体层上的栅绝缘层;
所述栅绝缘层上的第二栅电极;以及
所述层间绝缘层上的第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个彼此电连接,以
及
其中,所述多个存储元件串联连接。
7.一种包括多个存储单元的半导体器件,
所述多个存储元件的每一个包括:
包括第一栅电极的第一晶体管,所述第一栅电极形成在衬底上;以及
所述衬底上的第二晶体管,所述第二晶体管包括第二源电极和第二漏电极,
其中,所述第二晶体管包括氧化物半导体层;以及
其中,所述第一栅电极与所述第二源电极和所述第二漏...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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