防止中介导体桥接的半导体封装件立体堆栈方法技术

技术编号:13331257 阅读:58 留言:0更新日期:2016-07-11 22:48
本发明专利技术公开了一种防止中介导体桥接的半导体封装件立体堆栈方法,包含步骤为:提供一具有多个中介导体的底封装件、形成一光阻层于底封装件上、曝光显影以显露所述中介导体于该光阻层的凹洞、经由凹洞接合一顶封装件于该底封装件上、以及移除光阻层。藉以达到封装件立体堆栈体的中介导体的微间距连接,在低成本制程下中介导体结合良好且不会有横向桥接与纵向短路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种防止中介导体桥接的半导体封装件立体堆栈方法,其特征在于,包含:提供一底封装件,该底封装件包含一第一基板、一设置于该第一基板的第一芯片、多个第一外接端子以及多个中介导体,其中所述中介导体突出设置于该第一基板的上表面周边;形成一光阻层于该第一基板的上表面上,该光阻层的覆盖厚度大于所述中介导体突出于该第一基板的一高度,以完全包覆所述中介导体;对该光阻层进行曝光显影,使得该光阻层具有多个凹洞,所述凹洞对准于所述中介导体,以局部显露所述中介导体,在曝光显影之后,所述中介导体的显露面积不大于所述中介导体的被包覆面积;以及透过所述凹洞接合一顶封装件于该底封装件上,该顶封装件包含一第二基板、一设置于该第二基板的第二芯片以及多个第二外接端子,其中所述第二外接端子焊接所述中介导体在所述凹洞内的显露面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐宏欣张连家
申请(专利权)人:力成科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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