半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底以及第一层间介质层；在第一层间介质层表面形成第二层间介质层；在器件区第二层间介质层表面形成光刻胶层；提供刻蚀腔室，外围区与刻蚀腔室腔壁之间的距离小于器件区与刻蚀腔室腔壁之间的距离；在刻蚀腔室内，沿刻蚀器件区第二层间介质层，在器件区第二层间介质层内形成接触孔，刻蚀腔室的腔壁的温度高于刻蚀腔室内的温度，且在外围区基底上形成聚合物层；去除聚合物层；形成填充满接触孔的导电插塞。本发明专利技术减少聚合物层中聚合物杂质的含量，使得第一斜边刻蚀处理去除聚合物层的难度降低，且能够完全去除聚合物层，避免聚合物层从基底上剥落掉在其他基底上，提高半导体结构的生产良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作领域技术，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
随着集成电路向超大规模集成电路发展，集成电路内部的电路密度越来越大，所包含的元件数量也越来越多。在半导体集成电路中，金属氧化物半导体(MOS，MetalOxideSemiconductor)晶体管时其中最为重要的元件之一。现有的MOS晶体管工艺是在半导体衬底上形成栅极结构，在栅极结构相对两侧的半导体衬底中形成源区和漏区；然后在栅极结构、源区和漏区上形成接触孔(Contactvia)，在接触孔内填充金属形成导电插塞，通过导电插塞使外部电路与栅极结构、源区和漏区电连接。然而，现有技术半导体结构的生产良率以及芯片产出量仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，去除位于外围区基底上的聚合物层，避免聚合物层从基底上剥落掉落在其他基底上，避免聚合物层对后续工艺造成不良影响；同时减少在基底外围区形成的聚合物层中聚合物杂质的含量，使得在进行第一斜边刻蚀处理去除聚合物层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于基底表面的第一层间介质层，所述基底包括器件区以及包围所述器件区的外围区，所述器件区的第一层间介质层内形成有栅导电层，所述栅导电层顶部与第一层间介质层顶部齐平；在所述栅导电层表面、器件区和外围区第一层间介质层表面形成第二层间介质层；在所述器件区第二层间介质层表面形成具有第一开口的光刻胶层；提供刻蚀腔室，将具有所述光刻胶层的基底置于刻蚀腔室内，所述外围区与刻蚀腔室腔壁之间的距离小于器件区与刻蚀腔室腔壁之间的距离；在所述刻蚀腔室内，沿所述第一开口刻蚀器件区第二层间介质层直至暴露出栅导电层表面，在所述器件区第二层间介质层内形成接触孔，所述刻蚀...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底以及位于基底表面的第一层间介质层，所述基底包括器件区以
及包围所述器件区的外围区，所述器件区的第一层间介质层内形成有栅导电
层，所述栅导电层顶部与第一层间介质层顶部齐平；
在所述栅导电层表面、器件区和外围区第一层间介质层表面形成第二层
间介质层；
在所述器件区第二层间介质层表面形成具有第一开口的光刻胶层；
提供刻蚀腔室，将具有所述光刻胶层的基底置于刻蚀腔室内，所述外围
区与刻蚀腔室腔壁之间的距离小于器件区与刻蚀腔室腔壁之间的距离；
在所述刻蚀腔室内，沿所述第一开口刻蚀器件区第二层间介质层直至暴
露出栅导电层表面，在所述器件区第二层间介质层内形成接触孔，所述刻蚀
腔室的腔壁的温度高于刻蚀腔室内的温度，且形成接触孔的过程中在所述外
围区基底上形成聚合物层；
去除所述光刻胶层；
对所述聚合物层进行第一斜边刻蚀处理，去除所述聚合物层；
形成填充满所述接触孔的导电插塞。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅
导电层的工艺步骤包括：在所述器件区第一层间介质层内形成第二开口；
形成填充满所述第二开口的栅导电膜，且所述栅导电膜还覆盖于第一层间
介质层表面；研磨去除高于第一层间介质层表面的栅导电膜，在所述第二
开口内形成栅导电层，且在研磨之后，在外围区第一层间介质层表面形成
导电附着层，所述导电附着层的材料与栅导电层材料相同。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述
栅导电层之后、形成所述第二层间介质层之前，还包括步骤：对所述导电
附着层进行第二斜边刻蚀处理，去除所述导电附着层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀腔
室的腔壁的温度为80摄氏度至200摄氏度；所述刻蚀腔室内的温度为20

\t摄氏度至80摄氏度。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在斜边刻蚀
机内进行所述第一斜边刻蚀处理；所述第一斜边刻蚀处理的刻蚀气体为含
氟气体，其中，含氟气体包括CF4、CHF3、NF3或SF6。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一斜
边刻蚀处理的工艺参数为：刻蚀气体包括CH4和SF6，还向刻蚀腔室内通
入CO2和N2，CF4流量为10sccm至500sccm，SF6流量为10sccm至100sccm，
CO2流量为10sccm至100sccm，N2流量为100sccm至500sccm，提供源功
率为200瓦至1000瓦。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一
斜边刻蚀处理后，所述外围区基底表面未被暴露出来。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述
第一斜边刻蚀处理后，所述外围区基底表面被第一层间介质层覆盖；或者，
在进行所述第一斜边刻蚀处理后，所述外围区基底表面被第一层间介质层
以及部分厚度的第二层间介质层覆盖。
9.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，张城龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31