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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底以及第一层间介质层；在第一层间介质层表面形成第二层间介质层；在器件区第二层间介质层表面形成光刻胶层；提供刻蚀腔室，外围区与刻蚀腔室腔壁之间的距离小于器件区与刻蚀腔室腔壁之间的距离；在刻蚀腔室内，沿刻蚀...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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