薄膜晶体管阵列面板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。薄膜晶体管阵列面板包括：基板；薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；半导体层；源极；以及漏极；绝缘层，绝缘层设置在栅极和基板上；蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层设置于半导体层及绝缘层上；电极层，电极层包括第一电极部和第二电极部，第一电极部设置于源极上，第一电极部用于对源极进行覆盖和保护，第二电极部设置于漏极上，第二电极部用于对漏极进行覆盖和保护；其中，半导体层设置于绝缘层上，蚀刻阻挡层设置有第一通孔和第二通孔，源极和漏极分别通过第一通孔和第二通孔与半导体层连接。本发明专利技术能简化薄膜晶体管阵列面板的制作工艺，节省制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。
技术介绍
传统的薄膜晶体管阵列面板中一般需要六道光罩制程。上述传统的薄膜晶体管阵列面板一般设置有保护层/钝化层(PassivationLayer)。该保护层/钝化层的制作需要耗费其中的一道光罩制程。由于需要六道光罩制程，因此上述传统的薄膜晶体管阵列面板的制作工艺较复杂，成本较高。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法，其能简化薄膜晶体管阵列面板的制作工艺，节省制作成本。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下：一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层；源极；以及漏极；绝缘层，所述绝缘层设置在所述栅极和所述基板上；蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置于所述半导体层及所述绝缘层上；电极层，所述电极层包括第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层；源极；以及漏极；绝缘层，所述绝缘层设置在所述栅极和所述基板上；蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置于所述半导体层及所述绝缘层上；电极层，所述电极层包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部设置于所述源极上，所述第一电极部用于对所述源极进行覆盖和保护，所述第二电极部设置于所述漏极上，所述第二电极部用于对所述漏极进行覆盖和保护；其中，所述半导体层设置于所述绝缘层上，所述蚀刻阻挡层设置有第一通孔和第二通孔，所述源极和所述漏极分别通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述半导体层连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体
管阵列面板包括：
基板；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅极；
半导体层；
源极；以及
漏极；
绝缘层，所述绝缘层设置在所述栅极和所述基板上；
蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置于所述半导体层及所述绝
缘层上；
电极层，所述电极层包括第一电极部和第二电极部，所述第
一电极部设置于所述源极上，所述第一电极部用于对所述源极进
行覆盖和保护，所述第二电极部设置于所述漏极上，所述第二电
极部用于对所述漏极进行覆盖和保护；
其中，所述半导体层设置于所述绝缘层上，所述蚀刻阻挡层
设置有第一通孔和第二通孔，所述源极和所述漏极分别通过所述
第一通孔和所述第二通孔与所述半导体层连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在
于，所述栅极是通过在所述基板上设置第一金属层，并对所述金

\t属层实施第一光罩制程来形成的；
所述半导体层是通过在所述绝缘层上设置半导体材料，并对
所述半导体材料实施第二光罩制程来形成的；
所述第一通孔和所述第二通孔是通过在所述绝缘层和所述
半导体层上设置蚀刻阻挡材料，并对所述蚀刻阻挡材料实施第三
光罩制程来形成的；
所述源极、所述漏极和所述电极层是通过在所述蚀刻阻挡层
上、所述第一通孔内、所述第二通孔内设置第二金属层，然后在
所述第二金属层上设置第三金属层，并对所述第二金属层和所述
第三金属层实施第四光罩制程来形成的，其中，所述源极和所述
漏极均与所述第二金属层对应，所述电极层的所述第一电极部和
所述第二电极部均与所述第三金属层对应。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在
于，所述蚀刻阻挡层上还设置有容置坑槽，所述容置坑槽用于容
置所述源极的至少一部分、所述漏极的至少一部分和所述电极层
的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在
于，所述容置坑槽是通过对所述蚀刻阻挡材料实施所述第三光罩
制程来形成的。...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志超，夏慧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44