【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利申请是国际申请号为PCT/EP2012/004744，国际申请日为2012年11月15日，进入中国国家阶段的申请号为201280061364.X，专利技术名称为“用于电子器件的化合物”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及芳基氨基化合物并且涉及其在电子器件，例如有机电致发光器件中的用途。本专利技术还涉及如下的电子器件，所述电子器件在该器件的相应功能层中包含一种或多种所述化合物作为例如空穴传输材料。本专利技术还涉及用于制备所述化合物的方法，并且涉及包含一种或多种所述化合物的制剂。
技术介绍
开发用于电子器件中的功能化合物，受到重要关注。在此处的目的特别是开发如下的化合物，使用该化合物可以在一个或多个相关点实现电子器件性质的改进，所述性质例如是功率效率、寿命或发出的光的颜色坐标。根据本专利技术，术语电子器件特别是被认为是指有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其包括阳极、阴极、发光层和电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，且所述电子阻挡层包含至少一种式(I)的化合物其中以下限定适用于出现的符号和标记：Z为CR1，其中如果键合基团Ar1或Ar2，则Z等于C；W等于CH；Ar1在每次出现时相同或不同地是具有6至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R1取代；Ar2在每次出现时相同或不同地是具有6至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R1取代；R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，C(＝O)R2，CN，Si(R2)3，NO...
【技术特征摘要】
2011.12.12 EP 11009779.71.一种有机电致发光器件，其包括阳极、阴极、发光层和电子阻挡层，所述电子阻挡层
位于所述阳极和所述发光层之间，且所述电子阻挡层包含至少一种式(I)的化合物
其中以下限定适用于出现的符号和标记：
Z为CR1，其中如果键合基团Ar1或Ar2，则Z等于C；
W等于CH；
Ar1在每次出现时相同或不同地是具有6至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述
环系可以被一个或多个基团R1取代；
Ar2在每次出现时相同或不同地是具有6至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述
环系可以被一个或多个基团R1取代；
R1在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，C(＝O)R2，CN，Si(R2)3，NO2，P(＝O)
(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，具有1至20个C原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者
具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至20个C原子的
烯基或炔基基团，其中上述基团中的每个可以被一个或多个基团R2取代，和其中一个或多
个在上述基团中的CH2基团可以被-R2C＝CR2-、-C≡C-、Si(R2)2、C＝O、C＝S、C＝NR2、-C(＝O)
O-、-C(＝O)NR2-、NR2、P(＝O)(R2)、-O-、-S-、SO或SO2代替，和其中一个或多个在上述基团中
的H原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或者具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族
环系，所述环系在每种情况下可以被一个或多个基团R2取代，其中两个或更多个基团R1可以
彼此连接并可以形成环；
R2在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，C(＝O)R3，CN，Si(R3)3，NO2，P(＝O)
(R3)2，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1至20个C原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者
具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至20个C原子的
烯基或炔基基团，其中上述基团中的每个可以被一个或多个基团R3取代，和其中一个或多
个在上述基团中的CH2基团可以被-R3C＝CR3-、-C≡C-、Si(R3)2、C＝O、C＝S、C＝NR3、-C(＝O)
O-、-C(＝O)NR3-、NR3、P(＝O)(R3)、-O-、-S-、SO或SO2代替，和其中一个或多个在上述基团...
【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·斯托塞尔，弗兰克·福格斯，阿尔内·比辛，克里斯托夫·普夫卢姆，特雷莎·穆希卡费尔瑙德，克里斯蒂安·维尔格斯，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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