射频开关器件及其形成方法技术

一种射频开关器件及其形成方法，其中，射频开关器件包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。所述射频开关器件增强了在关态下漏金属层和所述源金属层的隔离性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种射频开关器件及其形成方法。
技术介绍
射频开关器件是一种重要的开关器件，属于通讯领域信号的开关，可应用于有线传输射频信号。在射频开关器件工作时，部分区域处于导通状态，部分区域处于关断状态。优值(FigureofMerit，简称FOM)是评价射频开关器件的性能或者工艺的特征测试参数。FOM＝Ron*Coff，其中，Ron是射频开关器件处于导通状态时的等效电阻值，Coff是射频开关器件处于关断状态时的等效电容值。Coff是衡量射频开关器件在关态下隔离性能的参数；FOM越低则表示射频开关器件的综合性能越好。然而，现有技术中形成的射频开关器件的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种射频开关器件及其形成方法，以增强在关态下漏金属层和源金属层之间的隔离性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种射频开关器件，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。可选的，所述金属层投影到整个源金属层和整个漏金属层的顶部表面。可选的，所述金属层投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。r>可选的，所述栅极结构的数量为多条；所述源金属层的数量为多条；所述漏金属层的数量为多条。可选的，各条栅极结构、各条源金属层和各条漏金属层相互平行；各条源金属层和各条漏金属层交替排布，源金属层和漏金属层之间排布有栅极结构。可选的，在沿所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面；且在沿垂直于所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到全部源金属层和全部漏金属层的顶部表面。可选的，还包括：栅连接件，所述栅连接件与各条栅极结构的一端连接；源连接件，所述源连接件与各条源金属层的一端连接；漏连接件，所述漏连接件与各条漏金属层的一端连接。可选的，所述栅极结构和所述栅连接件构成梳状栅极结构，所述梳状栅极结构的栅梳齿对应所述栅极结构；所述源金属层和所述源连接件构成梳状源金属层，所述梳状源金属层的源梳齿对应所述源金属层；所述漏金属层和所述漏连接件构成梳状漏金属层，所述梳状漏金属层的漏梳齿对应所述漏金属层。可选的，所述金属层的材料为铝、铜或者铜铝合金。本专利技术还提供一种射频开关器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的基底中分别形成源区和漏区；形成源区和漏区后，在所述基底上形成源金属层、漏金属层和介质层，所述源金属层与所述源区对应连接，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上形成有介质层；在所述介质层上形成金属层，所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：由于在所述介质层上形成有金属层，所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面，使得所述金属层、介质层和源金属层形成第一电容，所述金属层、介质层和漏金属层形成第二电容，所述源金属层端的信号能够通过第一电容从金属层向外释放，所述漏金属层端的信号能够通过第二电容从金属层向外释放，使得所述源金属层和所述漏金属层之间的等效关态电容减小，从而增强漏金属层和所述源金属层在关态下的隔离性能。进一步的，所述金属层投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面时，能够通过调节金属层投影到源金属层和漏金属层顶部表面的面积来调整第一电容和第二电容的大小。具体的，随着金属层投影到源金属层和漏金属层的顶部表面的面积减小，第一电容和第二电容随之减小；由于所述源金属层和所述漏金属层之间的等效开态电阻随着第一电容和第二电容的减小而减小，使得当第一电容和第二电容减小时，所述源金属层和所述漏金属层之间的等效开态电阻减小；从而使得在开态下源金属层端接受到漏金属层端的信号增加，相应的减少了在开态下从漏金属层和源金属层向金属层泄露的信号，从而提高了射频开关器件的性能。进一步的，在沿所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面，且在沿垂直于所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到全部源金属层和全部漏金属层的顶部表面。提高了各条栅极结构工作状态的一致性。附图说明图1是一实施例中射频开关器件的俯视示意图；图2为沿着图1中切割线A-A1获得的剖面图；图3、图4和图5为本专利技术第一实施例中射频开关器件的示意图；图6和图7为本专利技术第二实施例中射频开关器件的示意图；图8、图9和图10为本专利技术第三实施例中射频开关器件的示意图；图11和图12为本专利技术第四实施例中射频开关器件的示意图；图13和图14为本专利技术第五实施例中射频开关器件的示意图；图15至图19为本专利技术中射频开关器件形成过程的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有技术中形成射频开关器件的性能有待提高。图1是一实施例中射频开关器件的俯视示意图，图2为沿着图1中切割线A-A1获得的剖面图。结合参考图1和图2，射频开关器件包括：基底101；梳状栅极结构G01，位于基底101上；源漏区104，源漏区104包括源区和漏区，所述源区和漏区分别位于梳状栅极结构G01的梳齿两侧的基底101中；插塞103，位于源漏区104上；梳状源金属层S01和梳状漏金属层D01，位于所述基底101上，梳状源金属层S01的梳齿、梳状漏金属层D01的梳齿以及梳状栅极结构G01的梳齿相互平行，梳状源金属层S01的各个梳齿和梳状漏金属层D01的各个梳齿交替排布，梳状源金属层S01的梳齿和梳状漏金属层D01的梳齿之间为梳状栅极结构G01；梳状源金属层S01通过插塞103与所述源区连接，梳状漏金属层D01通过插塞103与所述漏区连接；介质层(未图示)，覆盖基底101、梳状栅极结构G01、插塞103、梳状源金属层S01和梳状漏金属层D01。其中，由虚线表示出器件区10，所述器件区10的基底101中包括有源区和隔离相邻有源区的隔离结构。研究发现，梳状源金属层S01和梳状漏金属层D01之间的等效关态电容是衡量射频开关器件在关态下梳状源金属层S01和梳状漏金属层D01之间的隔离性能的重要参数。具体的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频开关器件，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源金属层上和所述漏金属层上具有介质层；金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关器件，其特征在于，包括：
基底；
栅极结构，位于所述基底上；
源区和漏区，分别位于所述栅极结构两侧的基底中；
源金属层，位于所述基底上，所述源金属层与所述源区对应连接；
漏金属层，位于所述基底上，所述漏金属层与所述漏区对应连接，所述源
金属层上和所述漏金属层上具有介质层；
金属层，在所述介质层上，且所述金属层至少投影到部分源金属层和部分
漏金属层的顶部表面。
2.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述金属层投影到整
个源金属层和整个漏金属层的顶部表面。
3.根据权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述金属层投影到部
分源金属层和部分漏金属层的顶部表面。
4.根据权利要求3所述的射频开关器件，其特征在于，所述栅极结构的数量
为多条；所述源金属层的数量为多条；所述漏金属层的数量为多条。
5.根据权利要求4所述的射频开关器件，其特征在于，各条栅极结构、各条
源金属层和各条漏金属层相互平行；各条源金属层和各条漏金属层交替排
布，源金属层和漏金属层之间排布有栅极结构。
6.根据权利要求5所述的射频开关器件，其特征在于，在沿所述栅极结构的
延伸方向上，所述金属层投影到部分源金属层和部分漏金属层的顶部表面；
且在沿垂直于所述栅极结构的延伸方向上，所述金属层投影到全部源金...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31