绝缘体上硅射频开关器件结构制造技术

本发明专利技术提供了一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的有源层中的器件区和体区；在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；在栅极多晶硅的延伸方向上的第一端，栅极多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线；在栅极多晶硅的延伸方向上的第二端，与沟道区处于同一层且与沟道区邻接的第一重掺杂区通过通孔连接至金属连接布线的第一端；金属连接布线的第二端通过通孔连接至第二重掺杂区；与第二重掺杂区处于同一层且与处于同一层且与邻接地布置轻掺杂区；在轻掺杂区上布置有连接多晶硅；连接多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种绝缘体上硅射频开关器件结构。
技术介绍
硅材料是半导体行业应用最广泛的主要原材料，大多数芯片都是用硅片制造的。绝缘体上硅(SOI，Silicon-on-insulator)是一种特殊的硅片，其结构的主要特点是在有源层和衬底层之间插入绝缘层(掩埋氧化物层)来隔断有源层和衬底之间的电气连接，这一结构特点为绝缘体上硅类的器件带来了寄生效应小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能力强等诸多优点。现在，已经采用绝缘体上硅技术来制造开关器件。一般来说，对于具体的电子电路应用，线性度是绝缘体上硅射频开关器件的一个重要指标。但是，对于一些特定应用，现有的绝缘体上硅射频开关器件的隔离性能和线性度还不能满足要求。因此，期望能够提供一种能够有效地提高绝缘体上硅射频开关器件的隔离性能和线性度的器件结构。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效地提高绝缘体上硅射频开关器件的隔离性能和线性度的器件结构。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种绝缘体上硅射频开关器件结构，包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的有源层中的器件区和体区；在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；在栅极多晶硅的延伸方向上的第一端，栅极多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线；在栅极多晶硅的延伸方向上的第二端，与沟道区处于同一层且与沟道区邻接的第一重掺杂区通过通孔连接至金属连接布线的第一端；金属连接布线的第二端通过通孔连接至第二重掺杂区；与第二重掺杂区处于同一层且与处于同一层且与邻接地布置轻掺杂区；在轻掺杂区上布置有连接多晶硅；连接多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线。优选地，轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区具有相同的掺杂类型。优选地，轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型为P型掺杂。优选地，连接多晶硅的掺杂类型与轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区的掺杂类型相反。优选地，连接多晶硅的侧部布置有侧壁。优选地，所述侧壁处于第二重掺杂区上方。优选地，体区中的硅层、沟道区、源极区和漏极区被隔离区包围。优选地，隔离区是浅沟槽隔离。优选地，掩埋氧化物层布置在硅基底层上。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构的俯视图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构沿图1的线A-A’的截面示意图。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构沿图1的线B-B’的截面示意图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构的俯视图。图2示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构沿图1的线A-A’的截面示意图。图3示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构沿图1的线B-B’的截面示意图。如图1、图2和图3所示，根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层60、布置在掩埋氧化物层60上的有源层中的器件区和体区。其中，在器件区中形成有沟道区30、源极区31和漏极区32；而且，其中，沟道区30上依次布置有栅极氧化层41和栅极多晶硅10。在栅极多晶硅10的延伸方向上的第一端，栅极多晶硅10通过通孔连接至栅极金属布线21；在栅极多晶硅10的延伸方向上的第二端，与沟道区30处于同一层且与沟道区30邻接的第一重掺杂区91通过通孔连接至金属连接布线24的第一端；金属连接布线24的第二端通过通孔连接至第二重掺杂区92；与第二重掺杂区92处于同一层且与处于同一层且与邻接地布置轻掺杂区34；在轻掺杂区34上布置有连接多晶硅80；连接多晶硅80通过通孔连接至栅极金属布线21。由此，在根据本专利技术优选实施例的绝缘体上硅射频开关器件结构中，如图3的虚线二极管所示，在轻掺杂区34和连接多晶硅80之间形成一个垂直的二极管，从而增强绝缘体上硅射频开关器件的隔离性能和线性度。轻掺杂区34、第一重掺杂区91和第二重掺杂区92具有相同的掺杂类型，例如P型掺杂。优选地，连接多晶硅80的掺杂类型与轻掺杂区34、第一重掺杂区91和第二重掺杂区92的掺杂类型相反，例如N型掺杂。优选地，连接多晶硅80的侧部布置有侧壁81；而且，所述侧壁81处于第二重掺杂区92上方。进一步地，具体地，体区200中的硅层、沟道区30、源极区31和漏极区32被隔离区50包围，以与其它器件隔开。其中，具体地，例如，隔离区50是浅沟槽隔离。其中，具体地，如图2和图3所示，掩埋氧化物层60布置在硅基底层70上。其中硅基底层70为上面的掩埋氧化物层60和掩埋氧化物层60上的器件结构提供机械支撑。例如，如图3所示，轻掺杂区34和第二重掺杂区92布置在浅沟槽隔离51中，以与其它结构隔开。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的有源层中的器件区和体区；在器件区中形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化层和栅极多晶硅；在栅极多晶硅的延伸方向上的第一端，栅极多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线；在栅极多晶硅的延伸方向上的第二端，与沟道区处于同一层且与沟道区邻接的第一重掺杂区通过通孔连接至金属连接布线的第一端；金属连接布线的第二端通过通孔连接至第二重掺杂区；与第二重掺杂区处于同一层且与处于同一层且与邻接地布置轻掺杂区；在轻掺杂区上布置有连接多晶硅；连接多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于包括：作为绝缘层的掩
埋氧化物层、布置在掩埋氧化物层上的有源层中的器件区和体区；在器件区中
形成有沟道区、源极区和漏极区；而且，其中，沟道区上依次布置有栅极氧化
层和栅极多晶硅；在栅极多晶硅的延伸方向上的第一端，栅极多晶硅通过通孔
连接至栅极金属布线；在栅极多晶硅的延伸方向上的第二端，与沟道区处于同
一层且与沟道区邻接的第一重掺杂区通过通孔连接至金属连接布线的第一端；
金属连接布线的第二端通过通孔连接至第二重掺杂区；与第二重掺杂区处于同
一层且与处于同一层且与邻接地布置轻掺杂区；在轻掺杂区上布置有连接多晶
硅；连接多晶硅通过通孔连接至栅极金属布线。
2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅射频开关器件结构，其特征在于，轻
掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区具有相同的掺杂类型。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘体上硅射频...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘张李，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31