高频集成电路及其封装制造技术

技术编号:13287789 阅读:51 留言:0更新日期:2016-07-09 03:18
本公开涉及高频集成电路及其封装。一种集成电路可包括在配置成提供返回路径的键合焊盘以及配置成提供信号键合焊盘的键合焊盘之间交替的一组键合焊盘。例如,五个键合焊盘可被配置成返回-信号-返回-信号-返回结构。集成电路还可被配置成接收或发送高频信号。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请声明根据美国35U.S.C.第119条第(e)项而享有2014年12月30日提交的题为“高频集成电路及其封装(HIGHFREQUENCYINTEGRATEDCIRCUITANDPACKAGINGFORTHESAME)”的美国专利申请No.62/098034的优先权。该申请在此通过引用以其整体明确地并入本文。
本申请涉及针对高频集成电路的封装,更具体地涉及信号及返回线路焊盘和键合引线的布置、以及包含这种布置的集成电路。
技术介绍
在包括(但不限于)上变频器、低噪声放大器、检测器、合成器及其它应用在内的各种电子应用中,高频处理是必须的。期望通过降低通路损耗来改进信号传输。而且,期望改进高频的带宽或者宽带传输。
技术实现思路
例如,在一个实施例中,集成电路封装件包括具有电路以及电连接至电路的多个键合焊盘的集成电路。集成电路封装件还具有封装结构,该封装结构包括通过多个引线键合连接至该多个键合焊盘的多个引线。连接至引线的该多个键合焊盘的一组五个连续的键合焊盘包括两个信号键合焊盘和三个返回键合焊盘。这些返回键合焊盘中的一个处在两个信号键合焊盘之间,而且其它两个返回键合焊盘在该组的相对侧毗邻这两个信号键合焊盘。在另一个实施例中,集成电路被配置用于接收和/或发送高频信号。集成电路包括配置成向或者从集成电路传递高频信号的一组五个连续的键合焊盘。键合焊盘中的三个是返回路径键合焊盘,键合焊盘中的两个是配置成负载相同信号的信号键合焊盘。三个返回路径键合焊盘和两个信号键合焊盘被布置成依次交替的结构。在另一个实施例中,提供一种组装印制电路板的方法。集成电路被装配至封装结构。集成电路包括电连接至射频电路的多个键合焊盘。该多个键合焊盘包括一组五个连续的键合焊盘,连续的键合焊盘中的三个是返回键合焊盘,连续的键合焊盘中的两个是信号键合焊盘。五个连续的返回键合焊盘和信号键合焊盘被布置成依次交替的结构。该组五个连续的键合焊盘中的每个都被线接至封装结构的五个连续放置的引线中的相应一个。在另一个实施例中,集成电路封装件包括具有电路以及电连接至电路的多个键合焊盘的集成电路。集成电路封装件还包括封装结构,该封装结构包括通过多个引线键合连接至多个键合焊盘的多个引线。连接至引线的该多个键合焊盘的一组三个连续的键合焊盘包括一个信号键合焊盘和两个返回键合焊盘。信号键合焊盘处于该两个返回键合焊盘之间,而且这两个返回键合焊盘被配置成仅仅为信号键合焊盘上负载的信号提供返回路径。附图说明根据结合示出了本专利技术示例实施例的附图而做出的下述详细说明,本专利技术的进一步的目的、特征和优势将变得明显,其中:图1描绘了集成电路封装件的实施例的一部分的透视图,包括连接至引线框的单端集成电路,其中键合焊盘和引线被布置成接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构。图2A描绘了利用G-S-G-S-G结构以及名义上的G-S结构连接至引线框的集成电路的频率和前向信号传输增益之间的示例关系。图2B描绘了利用G-S-G-S-G结构以及名义上的G-S结构连接至引线框的集成电路的频率和反射系数之间的示例关系。图3A描绘了裸片和封装件之间的接地-信号(G-S)结构的连接的俯视图。图3B描绘了根据实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地(G-S-G)结构的连接的俯视图。图3C描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地(G-S-G)结构的连接的俯视图。图3D描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构的连接的俯视图。图3E描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构的连接的俯视图。图3F描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构的连接的俯视图。图3G描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构的连接的俯视图。图3H描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构的连接的俯视图。图3I描绘了根据另一实施例的裸片和封装件之间的接地-信号-接地-信号-接地(G-S-G-S-G)结构的连接的俯视图。图4描绘了根据实施例的连接至差动示例集成电路的引线框的俯视图。具体实施方式各种现代电子应用要求高频信号被传递进出封装的集成电路。这些高频信号对传输连接的物理形式敏感。例如,薄的键合引线表现出尤其在高频下可导致失配并导致损耗的相对高的电感。如此处讨论的那样,可能有利的是提供附加的连接来改进信号传输。而且,可能有利的是按照特定方式布置这些连接以改进传输特性,例如降低连接的电感。在一些实施例中,添加更多的返回路径连接可改进传输特性。例如,提供更多的返回或接地连接可提供对各个引线的电磁性能的不同影响。这种电磁效应可能在特定情况下特别明显,例如其中将应用高频或宽带信号的情况。在这种情况下,可能期望使用附加的信号和返回线路(例如,接地连接)来改进特定导线/连接的性能。例如,并行布置多个信号导线可降低总电感。然而,并行导线的互感可能局限该优势。因此,如此处进一步讨论的那样,可能有利的是包括附加的返回/接地路径以及相应的键合引线,以及在一些实施例中包括附加的信号路径以及相应的键合引线,用于此处所述的那样或者下文参考实施例描述的那样在集成电路和封装结构之间传递高频信号。应该理解的是,“高频”是相对术语,而且此处指教的布置的优势部分地取决于相对于系统阻抗的IC键合和封装引线之间的连接(例如,键合引线)的阻抗,这继而又部分地取决于连接的物理尺寸和信号频率、以及系统对失配的敏感度。图1描绘了封装件5的一部分的透视图,包括装配至封装结构的集成电路10的一部分。如图1所示,封装结构可以是引线框20,但是其它结构也可被用来将集成电路10物理连接或电连接至系统板9。将集成电路连接至板的其它封装结构的示例包括陶瓷基板、PCB基板或其它结构。引线框20可包括连接至诸如接地之类的电路径的诸如外围引线24以及裸片座26之类的多个引线。引线24可沿封装件5的外周布置。封装件5还可包括覆盖引线框20、集成电路10和引线键合32、34的封装物7。集成电路10可提供潜在地用作混频器、乘法器、下变频器、放大器、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路封装件,包括:集成电路,包括电路以及电连接至电路的多个键合焊盘;以及封装结构,包括通过多个引线键合连接至多个键合焊盘的多个引线,其中连接至引线的所述多个键合焊盘的一组五个连续的键合焊盘包括两个信号键合焊盘和三个返回键合焊盘,一个返回键合焊盘处于所述两个信号键合焊盘之间,而且其它两个返回键合焊盘在该组的相对侧毗邻所述两个信号键合焊盘。

【技术特征摘要】
2014.12.30 US 62/098,034;2015.02.03 US 14/613,0051.一种集成电路封装件,包括:
集成电路,包括电路以及电连接至电路的多个键合焊盘;以及
封装结构,包括通过多个引线键合连接至多个键合焊盘的多个引线,
其中连接至引线的所述多个键合焊盘的一组五个连续的键合焊盘包括
两个信号键合焊盘和三个返回键合焊盘,一个返回键合焊盘处于所述两个
信号键合焊盘之间,而且其它两个返回键合焊盘在该组的相对侧毗邻所述
两个信号键合焊盘。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述多个引线包
括至少一个裸片座。
3.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述封装结构包
括引线框。
4.根据权利要求3所述的集成电路封装件,其中所述引线框包括
通过引线键合连接至该组五个连续的键合焊盘的一组五个连续的引线。
5.根据权利要求4所述的集成电路封装件,其中所述五个连续的
键合焊盘中的每个都通过至少两个引线键合连接至所述五个连续的引线中
的一个。
6.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述至少两个信
号键合焊盘以及至少三个接地键合焊盘被布置成物理对称。
7.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述至少两个信
号键合焊盘和至少三个接地键合焊盘物理上足够靠近到能够提供互负电
感。
8.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述电路被配置
成通过所述两个信号键合焊盘发送或接收频率大于或等于大约1GHz的信
号。
9.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中所述电路被配置
成发送或接收频率大于或等于大约4GHz的信号。
10.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中该组五个连续的
键合焊盘是一组七个连续的键合焊盘的一部分,该组七个连续的键合焊盘
还包括处于该组五个连续的键合焊盘的每侧的一个附加的信号键合焊盘。
11.一种配置用于接收和/或发送高频信号的集成电路,所述集成
电路包括:
配置成向或者从集成电路传递高频信号的一组五个连续的键合焊盘,
键合焊盘中的三个是返回路径键合焊盘,键合焊盘中的两个是配置成负载
相同信号的信号键合焊盘,
其中所述三个返回路径键合焊盘和所述两个信号键合焊盘被布置成依
次交替的结构。
12.根据权利要求11所述的集成电路,其中所述三个返回路径键
合焊盘和两个信号键合焊盘都被布置在集成电路的单侧上。
13.根据权利要求11所述的集成电路,其中所述两个信号键合焊
盘被配置成负载模拟信号。
14.根据权利要求11所...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·派R·卡里略拉姆利兹
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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