System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 有源巴伦设计制造技术_技高网

有源巴伦设计制造技术

技术编号:40478602 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-26 19:13
本发明专利技术涉及有源巴伦电路。有源巴伦电路包括:多个晶体管;输出传输线,所述输出传输线连接到所述晶体管的输出端子;输入传输线;以及耦合到晶体管的输入端子和输入传输线的多个串联电容器。

【技术实现步骤摘要】

本文件一般地但不限于巴伦,更具体地,涉及有源巴伦集成电路。


技术介绍

1、巴伦在电子系统中用于将不平衡信号线与平衡信号线接口。一个示例应用是将平衡天线连接到不平衡同轴传输线。

2、巴伦可以是包括有源器件(例如晶体管)的有源巴伦或仅包括无源器件的无源巴伦。无源巴伦不消耗功率,并且具有良好的线性,以在输入信号功率变化时提供恒定的幅度和相位响应。然而,无源巴伦对于低频应用是大而笨重的,并且对于高频应用具有高插入损耗。无源巴伦在处理高功率应用的能力方面受到限制。此外,平衡-不平衡变换器应匹配平衡和不平衡线路的阻抗,以避免反射。通常,无源巴伦设计不够灵活,不能用于具有不同端口阻抗的多个应用中。

3、有源巴伦在尺寸上紧凑,并且比无源巴伦具有更宽的带宽。它们还能够处理更高的功率。然而,有源巴伦需要用于dc功率的电路电源,并且幅度和相位响应随着信号功率而变化。前置放大器通常被添加到有源巴伦设计中,以补偿增益损失并增加带宽。这使有源巴伦设计复杂化并增加了其尺寸。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种巴伦电路,包括:

2.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括多个分流电容器,其中每个分流电容器连接在晶体管的输出端子与电路接地之间。

3.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括电阻-电容(RC)反馈路径,所述RC反馈路径包括串联连接在所述输入传输线和所述输出传输线之间的电阻器和电容器。

4.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括:

5.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括:

6.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括连接到所述第一端口的功率耦合电路。

7.根据权利要求1所述的巴伦电路,其中所述输入传输线和所述输出传输线中的至少一个包括桥接T形线圈传输线。

8.根据权利要求1所述的巴伦电路,其中所述多个晶体管包括多个级联结构,每个级联结构包括两个级联连接的场效应晶体管,其中所述输出传输线连接到所述级联结构的第一FET的漏极端子,并且串联电容器连接到所述级联结构的第二FET的栅极端子。

9.根据权利要求8所述的巴伦电路,包括电感器,所述电感器连接到所述级联结构的第一FET的源极端子和所述级联结构的第二FET的漏极端子。

10.根据权利要求8所述的巴伦电路,包括多个电感器-电容器(LC)电路,每个LC电路连接到所述级联结构的第一FET的栅极端子。

11.一种电子设备,包括:

12.根据权利要求11所述的电子设备,包括:

13.根据权利要求12所述的电子设备,其中所述DC阻断电容器和所述DC偏置电感器被包括在第二IC中。

14.根据权利要求12所述的电子设备,其中所述第一IC包括电阻-电容(RC)反馈路径,所述RC反馈路径包括串联连接在所述输入传输线和所述输出传输线之间的电阻器和电容器。

15.根据权利要求12所述的电子设备,包括:

16.根据权利要求12所述的电子设备,包括:

17.根据权利要求12所述的电子器件,其中所述多个晶体管包括多个级联结构,其中每个级联结构包括两个级联连接的场效应晶体管(FET),其中所述输出传输线连接到所述级联结构的第一FET的漏极端子,并且串联电容器连接到所述级联结构的第二FET的栅极端子。

18.一种电子设备,包括:

19.根据权利要求18所述的电子设备,

20.根据权利要求18所述的电子设备,

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【技术特征摘要】

1.一种巴伦电路,包括:

2.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括多个分流电容器,其中每个分流电容器连接在晶体管的输出端子与电路接地之间。

3.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括电阻-电容(rc)反馈路径,所述rc反馈路径包括串联连接在所述输入传输线和所述输出传输线之间的电阻器和电容器。

4.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括:

5.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括:

6.根据权利要求1所述的巴伦电路,包括连接到所述第一端口的功率耦合电路。

7.根据权利要求1所述的巴伦电路,其中所述输入传输线和所述输出传输线中的至少一个包括桥接t形线圈传输线。

8.根据权利要求1所述的巴伦电路,其中所述多个晶体管包括多个级联结构,每个级联结构包括两个级联连接的场效应晶体管,其中所述输出传输线连接到所述级联结构的第一fet的漏极端子,并且串联电容器连接到所述级联结构的第二fet的栅极端子。

9.根据权利要求8所述的巴伦电路,包括电感器,所述电感器连接到所述级联结构的第一fet的源极端子和所述级联结构的第二fet的漏极端子。

10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:林松王旭东曹劲舟C·E·海
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司
类型:发明
国别省市:

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