偏航轴科里奥利振动陀螺仪的正交微调垂直电极制造技术

本发明专利技术涉及偏航轴科里奥利振动陀螺仪的正交微调垂直电极。描述了具有平面外正交微调电极的微机电系统(MEMS)偏航陀螺仪。陀螺仪包括被配置为在平面内被驱动的检验质量块。检验质量块包括一个开口或多个开口。平面外正交微调电极被定位为在投影平面中与开口的边缘横向重叠。平面外正交微调电极微调检验质量块在一个或两个方向上的平面内运动，以限制正交运动。平面外正交微调电极可以以对称图案布置，以实现模式切换。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于偏航陀螺仪的正交微调电极配置。

技术介绍

1、偏航陀螺仪检测绕偏航轴的角加速度。一些偏航陀螺仪包括验证质量块，该验证质量块沿一个方向在平面内驱动，并且响应于绕偏航轴的旋转沿正交方向在平面内移动。

技术实现思路

1、描述了具有平面外正交微调电极的微机电系统(mems)偏航陀螺仪。陀螺仪包括被配置为在平面内被驱动的检验质量块。检验质量块包括一个开口或多个开口。平面外正交微调电极被定位为在投影平面中与开口的边缘横向重叠。平面外正交微调电极微调检验质量块沿一个或两个方向的平面内运动。

2、根据本技术的一个方面，描述了一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：基板；检验质量块，所述检验质量块悬置在所述基板上方并且包括封闭开口；和所述基板上的平面外正交微调电极，在垂直于所述检验质量块的方向上与所述检验质量块分离，并且横向定位为在开口处与所述检验质量块的内边缘重叠。

3、在一些实施方案中，所述检验质量块包括开口阵列，并且所述mems陀螺仪包括横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠的平面外正本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微机电系统(MEMS)陀螺仪，包括：

2.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，其中所述检验质量块包括开口阵列，并且其中所述MEMS陀螺仪包括横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠的平面外正交微调电极阵列。

3.根据权利要求2所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极阵列以棋盘图案布置以接收两种不同的电压。

4.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极沿两个维度横向定位，以在所述检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。

5.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，还包括至少一个驱动电极，所述驱动电极被配置为驱动...

【技术特征摘要】

1.一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：

2.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，其中所述检验质量块包括开口阵列，并且其中所述mems陀螺仪包括横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠的平面外正交微调电极阵列。

3.根据权利要求2所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极阵列以棋盘图案布置以接收两种不同的电压。

4.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极沿两个维度横向定位，以在所述检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。

5.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，还包括至少一个驱动电极，所述驱动电极被配置为驱动所述检验质量块沿第一方向的平面内运动。

6.根据权利要求5所述的mems陀螺仪，还包括控制器，所述控制器被配置为向所述平面外正交微调电极施加直流(dc)电压，并向所述至少一个驱动电极施加交流(ac)电压。

7.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极中的每一个的尺寸是在20μm和40μm之间的值。

8.根据权利要求7所述的mems陀螺仪，其中所述封闭开口的尺寸是在20μm和40μm之间的值，并且所述平面外微调电极的两个相邻电极之间的间距是在0.1μm和1.0μm之间。

9.一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：

10.根据权利要求9所述的mems陀螺仪，其中所述平面检验质量块包括包括开口的开口阵列，并且其中所述mems陀螺仪包括平面外正交微调电极的阵列，所述平面外正交微调电极的阵列包括所述一对平面外正交微调电极，所述平面外正交微调电极的阵列横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠。

11.根据权利要求10所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·Y·萨夫琴科，I·P·普里霍德科，T·A·杜恩，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：