【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于偏航陀螺仪的正交微调电极配置。
技术介绍
1、偏航陀螺仪检测绕偏航轴的角加速度。一些偏航陀螺仪包括验证质量块，该验证质量块沿一个方向在平面内驱动，并且响应于绕偏航轴的旋转沿正交方向在平面内移动。
技术实现思路
1、描述了具有平面外正交微调电极的微机电系统(mems)偏航陀螺仪。陀螺仪包括被配置为在平面内被驱动的检验质量块。检验质量块包括一个开口或多个开口。平面外正交微调电极被定位为在投影平面中与开口的边缘横向重叠。平面外正交微调电极微调检验质量块沿一个或两个方向的平面内运动。
2、根据本技术的一个方面，描述了一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：基板；检验质量块，所述检验质量块悬置在所述基板上方并且包括封闭开口；和所述基板上的平面外正交微调电极，在垂直于所述检验质量块的方向上与所述检验质量块分离，并且横向定位为在开口处与所述检验质量块的内边缘重叠。
3、在一些实施方案中，所述检验质量块包括开口阵列，并且所述mems陀螺仪包括横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠的平面外正交微调电极阵列。
4、在一些实施方案中，所述平面外正交微调电极阵列以棋盘图案布置以接收两种不同的电压。
5、在一些实施方案中，所述平面外正交微调电极沿两个维度横向定位，以在所述检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。
6、在一些实施方案中，所述mems陀螺仪还包括至少一个驱动电极，所述驱动电极被配置为驱动所述检验质量块沿第一方向的平面内运动
7、在一些实施方案中，所述mems陀螺仪还包括控制器，所述控制器被配置为向所述平面外正交微调电极施加直流(dc)电压，并向所述至少一个驱动电极施加交流(ac)电压。
8、在一些实施方案中，所述平面外正交微调电极中的每一个的尺寸是在20μm和40μm之间的值。
9、在一些实施方案中，所述封闭开口的尺寸是在20μm和40μm之间的值，并且所述平面外微调电极的两个相邻电极之间的间距是在0.1μm和1.0μm之间。
10、根据本技术的一个方面，描述了一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：悬置在基板上方的平面检验质量块；驱动电极，所述驱动电极与所述平面检验质量块在平面内并且被配置为驱动所述平面检验质量块的平面内运动；和一对平面外正交微调电极，位于所述平面检验质量块中的开口下方，并且被配置为在所述开口处向所述平面检验质量块施加平面内正交微调力。
11、在一些实施方案中，所述平面检验质量块包括包括开口的开口阵列；和所述mems陀螺仪包括平面外正交微调电极的阵列，所述平面外正交微调电极的阵列包括所述一对平面外正交微调电极，所述平面外正交微调电极的阵列横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠。
12、在一些实施方案中，所述平面外正交微调电极的阵列沿两个维度横向定位，以在所述平面检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。
13、在一些实施方案中，所述mems陀螺仪还包括控制器，所述控制器被配置为向所述一对平面外正交微调电极施加直流(dc)电压，并向所述驱动电极施加交流(ac)电压。
14、根据本技术的一个方面，描述了一种操作微机电系统(mems)偏航陀螺仪的方法，该方法具有平面检验质量块，该平面检验质量块具有悬置在一对正交微调电极上方的开口。该方法包括：通过向所述一对正交微调电极施加第一直流(dc)电压，在所述平面检验质量块的开口处沿第一平面内方向产生平面内力；驱动所述平面检验质量块沿着所述第一平面内方向的平面内运动；和通过感测所述平面检验质量块沿着垂直于所述第一平面内方向的第二平面内方向进行的平面内运动来感测所述mems偏航陀螺仪的角运动。
15、在一些实施方案中，所述一对正交微调电极是第一对正交微调电路，和所述mems偏航陀螺仪还包括垂直于所述第一对正交微调电极定位的第二对正交微调电极，并且该方法还包括：通过向所述第二对正交微调电极施加第二dc电压，在所述平面检验质量块的开口处沿所述第二平面内方向产生平面内力。
16、在一些实施方案中，驱动所述平面检验质量块的平面内运动包括向一对平面内驱动电极施加交流(ac)驱动信号。
17、在一些实施方案中，将所述dc电压施加到所述一对正交微调电极包括将所述dc电压施加到连接到正交微调电极的阵列的子集的垫。
18、在一些实施方案中，驱动所述平面检验质量块的平面内运动基本上不改变所述平面检验质量块和所述一对正交微调电极之间的间隙。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微机电系统(MEMS)陀螺仪，包括：
2.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，其中所述检验质量块包括开口阵列，并且其中所述MEMS陀螺仪包括横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠的平面外正交微调电极阵列。
3.根据权利要求2所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极阵列以棋盘图案布置以接收两种不同的电压。
4.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极沿两个维度横向定位，以在所述检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。
5.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，还包括至少一个驱动电极，所述驱动电极被配置为驱动所述检验质量块沿第一方向的平面内运动。
6.根据权利要求5所述的MEMS陀螺仪，还包括控制器，所述控制器被配置为向所述平面外正交微调电极施加直流(DC)电压，并向所述至少一个驱动电极施加交流(AC)电压。
7.根据权利要求1所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极中的每一个的尺寸是在20μm和40μm之间的值。
8.根据权利要求7所述的MEMS陀螺仪，其
9.一种微机电系统(MEMS)陀螺仪，包括：
10.根据权利要求9所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面检验质量块包括包括开口的开口阵列，并且其中所述MEMS陀螺仪包括平面外正交微调电极的阵列，所述平面外正交微调电极的阵列包括所述一对平面外正交微调电极，所述平面外正交微调电极的阵列横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠。
11.根据权利要求10所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极阵列以棋盘图案布置以接收两种不同的电压。
12.根据权利要求10所述的MEMS陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极的阵列沿两个维度横向定位，以在所述平面检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。
13.根据权利要求9所述的MEMS陀螺仪，还包括控制器，所述控制器被配置为向所述一对平面外正交微调电极施加直流(DC)电压，并向所述驱动电极施加交流(AC)电压。
14.根据权利要求9所述的MEMS陀螺仪，其中所述一对平面外正交微调电极的平面外正交微调电极中的每一个的尺寸是在20μm和40μm之间的值。
15.根据权利要求14所述的MEMS陀螺仪，其中所述开口的尺寸是在20μm和40μm之间的值，并且所述一对平面外微调电极之间的间距是在0.1μm和1.0μm之间。
16.一种操作微机电系统(MEMS)偏航陀螺仪的方法，所述MEMS偏航陀螺仪具有平面检验质量块，所述平面检验质量块具有悬置在一对正交微调电极上方的开口，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述一对正交微调电极是第一对正交微调电路，并且其中所述MEMS偏航陀螺仪还包括垂直于所述第一对正交微调电极定位的第二对正交微调电极，所述方法还包括：
18.根据权利要求16所述的方法，其中驱动所述平面检验质量块的平面内运动包括向一对平面内驱动电极施加交流(AC)驱动信号。
19.根据权利要求16所述的方法，其中将所述DC电压施加到所述一对正交微调电极包括将所述DC电压施加到连接到正交微调电极的阵列的子集的垫。
20.根据权利要求16所述的方法，其中驱动所述平面检验质量块的平面内运动基本上不改变所述平面检验质量块和所述一对正交微调电极之间的间隙。
...【技术特征摘要】
1.一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：
2.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，其中所述检验质量块包括开口阵列，并且其中所述mems陀螺仪包括横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠的平面外正交微调电极阵列。
3.根据权利要求2所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极阵列以棋盘图案布置以接收两种不同的电压。
4.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极沿两个维度横向定位，以在所述检验质量块的两个平面内维度中提供正交微调。
5.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，还包括至少一个驱动电极，所述驱动电极被配置为驱动所述检验质量块沿第一方向的平面内运动。
6.根据权利要求5所述的mems陀螺仪，还包括控制器，所述控制器被配置为向所述平面外正交微调电极施加直流(dc)电压，并向所述至少一个驱动电极施加交流(ac)电压。
7.根据权利要求1所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正交微调电极中的每一个的尺寸是在20μm和40μm之间的值。
8.根据权利要求7所述的mems陀螺仪，其中所述封闭开口的尺寸是在20μm和40μm之间的值，并且所述平面外微调电极的两个相邻电极之间的间距是在0.1μm和1.0μm之间。
9.一种微机电系统(mems)陀螺仪，包括：
10.根据权利要求9所述的mems陀螺仪，其中所述平面检验质量块包括包括开口的开口阵列，并且其中所述mems陀螺仪包括平面外正交微调电极的阵列，所述平面外正交微调电极的阵列包括所述一对平面外正交微调电极，所述平面外正交微调电极的阵列横向定位成与所述开口阵列的内边缘重叠。
11.根据权利要求10所述的mems陀螺仪，其中所述平面外正...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·Y·萨夫琴科，I·P·普里霍德科，T·A·杜恩，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。