【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文件一般地但不限于半导体器件，更具体地，涉及用于构建氮化镓器件的技术。
技术介绍
1、氮化镓(gan)基半导体作为制造用于高压和高频应用的下一代晶体管或半导体器件的选择材料，与其他半导体相比具有几个优势。例如，gan基半导体具有宽的带隙，这使得由这些材料制造的器件能够具有高击穿电场，并且能够在宽的温度范围内保持稳定。
2、由gan基异质结构形成的二维电子气(2deg)沟道通常具有高的电子迁移率，使得使用这些结构制造的器件在功率开关和放大系统中有用。然而，基于gan的半导体通常用于制造耗尽模式(或常开)器件，其在这些系统中的许多系统中的使用可能有限，例如由于支持这种器件所需的增加的电路复杂性。
技术实现思路
1、本公开描述了一种氮化镓(gan)半导体器件，例如场效应晶体管(fet)，其设计能够使半导体器件同时处理高电流和高电压。
2、本公开涉及一种形成半导体器件的方法，该方法包括:在第二半导体材料层上形成第一半导体材料层，其中所述第一半导体材料相对于所述第二半导体材...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述阻挡层上形成所述栅极接触包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述阻挡层的一部分上形成所述层包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述阻挡层的一部分上形成所述层包括:
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述阻挡层上形成所述栅极接触包括:
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体材料层包括n型氮化镓，并且其中所述第一半导体材料层比所述第二半导体材料层更导电。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括
8....
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述阻挡层上形成所述栅极接触包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述阻挡层的一部分上形成所述层包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述阻挡层的一部分上形成所述层包括:
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述阻挡层上形成所述栅极接触包括:
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体材料层包括n型氮化镓，并且其中所述第一半导体材料层比所述第二半导体材料层更导电。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一半导体材料层包括n型氮化镓，其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·G·费奥雷恩扎，D·皮埃德拉，
申请(专利权)人：美国亚德诺半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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