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描述了一种氮化镓(GaN)半导体器件，例如场效应晶体管(FET)，其设计能够使半导体器件同时处理高电流和高电压。例如，该器件可以具有高掺杂的n型n+区域，以确保低接触电阻和高电流。半导体器件可以具有与栅极接触的漏极侧相邻的轻导电区域，并且该...
该专利属于美国亚德诺半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国亚德诺半导体公司授权不得商用。

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