本发明专利技术公开了一种半导体封装中提升铜磷阳极黑膜品质的方法，铜电镀采用磷铜阳极板，将磷铜阳极板放入硫酸体系铜电镀液中，电解磷铜阳极板，使磷铜阳极板表面产生一层黑色的磷膜；所述硫酸体系铜电镀液中，氯离子浓度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安培/平方分米电流密度对磷铜阳极板做一次电解。为了保证产品质量，本发明专利技术通过控制电镀液中氯离子的含量和电解电流密度的关系来保证黑膜品质，从而提升设备产能并保证产品质量。采用本发明专利技术的方法产生的黑膜可有效阻止添加剂附着，且有较好的附着力，能在一段时间内维持稳定，减少添加剂损耗并减少维护提高设备利用率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及半导体封装领域，特别设及一种半导体封装中提升铜憐阳极黑膜品质 的方法。
技术介绍
半导体封装工艺中，铜电锻采用憐铜阳极板，通过电解在憐铜阳极板表面产生一 层黑色的憐膜，主要成分为CU3P，运层憐膜具有较好的导电性，同时又能减缓阳极铜的溶 解，减少添加剂耗用。但是在实际生产过程中会发生电锻液添加剂附着，黑膜脱落等现象， 造成产品品质变差，如铜锻层粗糖突起。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，W便提供关于本专利技术的某些方面的基本理 解。应当理解，运个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键 或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是W简化的形式给出某些概念，W 此作为稍后论述的更详细描述的前序。 本专利技术实施例的目的是针对上述现有技术的缺陷，提供一种提升设备产能并保证 产品质量的半导体封装中提升铜憐阳极黑膜品质的方法。 为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案是： -种半导体封装中提升铜憐阳极黑膜品质的方法，铜电锻采用憐铜阳极板，将憐 铜阳极板放入硫酸体系铜电锻液中，电解憐铜阳极板，使憐铜阳极板表面产生一层黑色的 憐膜;所述硫酸体系铜电锻液中，氯离子浓度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安培/平方 分米电流密度对憐铜阳极板做一次电解。 所述氯离子浓度控制在50-80ml/L，所述电流密度为0.1-0.7安培/平方分米。[000引所述氯离子浓度控制在55-75ml/L，所述电流密度为0.2-0.5安培/平方分米。 所述氯离子浓度控制在55-75ml/L，所述电流密度为0.3-0.4安培/平方分米。 所述氯离子浓度控制在65ml/L，所述电流密度为0.35安培/平方分米。 与现有技术相比，本专利技术的有益效果是： 为了保证产品质量，本专利技术通过控制电锻液中氯离子的含量和电解电流密度的关 系来保证黑膜品质，从而提升设备产能并保证产品质量。采用本专利技术的方法产生的黑膜可 有效阻止添加剂附着，且有较好的附着力，能在一段时间内维持稳定，减少添加剂损耗并减 少维护提高设备利用率。【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术实施例中的 技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全 部的实施例。在本专利技术的一种实施方式中描述的元素和特征可W与一个或更多个实施方式 中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，说明中省略了与本专利技术无关的、 本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普 通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的 范围。 本专利技术提供一种半导体封装中提升铜憐阳极黑膜品质的方法，铜电锻采用憐铜阳 极板，将憐铜阳极板放入硫酸体系铜电锻液中，电解憐铜阳极板，使憐铜阳极板表面产生一 层黑色的憐膜;所述硫酸体系铜电锻液中，氯离子浓度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安 培/平方分米电流密度对憐铜阳极板做一次电解。 W下是本专利技术实验阶段收集的数据： 实验背景：阳极憐含量0.04 % 不同条件产生的阳极黑膜放置1天后，锻层外观基本都光滑，用好0K表示，如表1所 /J、- 〇[001引 表1 不同条件产生的黑膜放置5天后，有较多会产生锻层缺陷，如表2所示。 表2 不同条件产生的黑膜放置10天后，只有0.3安培/平方分米(ASDK0.4ASD的部分条 件锻层0K，其他均出现锻层粗糖，如表3所示。 表 3 本专利技术通过上述的实验验证，硫酸体系铜电锻液中，氯离子浓度控制在65ml/L左 右，每周用0.35ASD电流密度对阳极做一次电解，可保持黑膜状态最佳，产品锻层状态0K，添 加剂消耗量减少30 %左右。 最后应说明的是：W上实施例仅用W说明本专利技术的技术方案，而非对其限制;尽管 参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可 W对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换； 而运些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和 范围。【主权项】1. 一种，其特征在于，铜电镀采用磷铜阳 极板，将磷铜阳极板放入硫酸体系铜电镀液中，电解磷铜阳极板，使磷铜阳极板表面产生一 层黑色的磷膜;所述硫酸体系铜电镀液中，氯离子浓度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安 培/平方分米电流密度对磷铜阳极板做一次电解。2. 根据权利要求1所述的，其特征在于，所 述氯离子浓度控制在50_80ml/L，所述电流密度为0.1-0.7安培/平方分米。3. 根据权利要求2所述的，其特征在于，所 述氯离子浓度控制在55-75ml/L，所述电流密度为0.2-0.5安培/平方分米。4. 根据权利要求3所述的，其特征在于，所 述氯离子浓度控制在55-75ml/L，所述电流密度为0.3-0.4安培/平方分米。5. 根据权利要求4所述的，其特征在于，所 述氯离子浓度控制在65ml/L，所述电流密度为0.35安培/平方分米。【专利摘要】本专利技术公开了一种，铜电镀采用磷铜阳极板，将磷铜阳极板放入硫酸体系铜电镀液中，电解磷铜阳极板，使磷铜阳极板表面产生一层黑色的磷膜；所述硫酸体系铜电镀液中，氯离子浓度控制在50-80ml/L，每周用0.1-0.7安培/平方分米电流密度对磷铜阳极板做一次电解。为了保证产品质量，本专利技术通过控制电镀液中氯离子的含量和电解电流密度的关系来保证黑膜品质，从而提升设备产能并保证产品质量。采用本专利技术的方法产生的黑膜可有效阻止添加剂附着，且有较好的附着力，能在一段时间内维持稳定，减少添加剂损耗并减少维护提高设备利用率。【IPC分类】C25D21/14, C25D7/12【公开号】CN105586630【申请号】CN201510980495【专利技术人】徐小锋 【申请人】南通富士通微电子股份有限公司【公开日】2016年5月18日【申请日】2015年12月23日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装中提升铜磷阳极黑膜品质的方法，其特征在于，铜电镀采用磷铜阳极板，将磷铜阳极板放入硫酸体系铜电镀液中，电解磷铜阳极板，使磷铜阳极板表面产生一层黑色的磷膜；所述硫酸体系铜电镀液中，氯离子浓度控制在50‑80ml/L，每周用0.1‑0.7安培/平方分米电流密度对磷铜阳极板做一次电解。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐小锋，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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