【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种NM0S晶体管及其形成方法。
技术介绍
随着半导体器件的特征尺寸的减小，为了大幅度减小栅隧穿电流和栅电阻，消除 多晶硅耗尽效应，提高器件可靠性，缓解费米能级钉扎效应，采用高K (介电常数）介质层/ 金属栅结构代替传统的Si02/poly-Si (氧化硅/多晶硅）栅结构已成为业界的共识，金属 栅极技术得到广泛地发展。 金属栅极技术包括先形成栅（Gate-first)工艺和后形成栅（Gate-last)工艺。 Gate-first工艺是指在对硅片进行漏/源区离子注入以及随后的高温退火步骤之前形成金 属栅极，Gate-last工艺则与之相反。由于Gate-first工艺中金属栅极需经受高温工序，该 工艺可能会引起热稳定性和阈值电压漂移等问题，因此在工艺节点进一步减小的过程中， Gate-last工艺成为主流。 在采用金属栅极技术时，NM0S晶体管的功函数层存在不同的形成工艺。业界趋向 于采用高温方法形成NM0S晶体管的功函数层。 但是，现有NM0S晶体管的形成方法工艺难度高，且形成的功函数层质量不理想， 无法满足相...
【技术保护点】
一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有层间介质层，所述层间介质层中具有凹槽；在所述凹槽底部形成界面层；在所述界面层上形成高k介质层；在所述高k介质层上形成帽盖层；在所述帽盖层上形成粘附层；在所述粘附层上形成功函数层；在所述功函数层上形成金属栅极，所述金属栅电极填充满所述凹槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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