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一种NMOS晶体管及其形成方法。其中，所述NMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有层间介质层，所述层间介质层中具有凹槽；在所述凹槽底部形成界面层；在所述界面层上形成高k介质层；在所述高k介质层上形成帽盖层；在所述帽...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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