下载NMOS晶体管及其形成方法的技术资料

文档序号:13234042

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种NMOS晶体管及其形成方法。其中,所述NMOS晶体管的形成方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有层间介质层,所述层间介质层中具有凹槽;在所述凹槽底部形成界面层;在所述界面层上形成高k介质层;在所述高k介质层上形成帽盖层;在所述帽...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。