半导体评价装置及其评价方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种在纵向型半导体装置的评价中能够确保绝缘的技术。背面电位导出部(18)具有：在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的背面侧配置的一端部分、以及在由半导体晶片保持部(6)保持的半导体晶片(51)的表面侧配置的另一端部分。半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)能够沿半导体晶片(51)的面内方向移动。在半导体晶片(51)以及保持半导体晶片(51)的半导体晶片保持部(6)沿面内方向移动的情况下，在半导体晶片(51)的移动区域以外的附近，对背面电位导出部(18)中的、相对于半导体晶片(51)位于面内方向的部分进行固定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对设置于半导体晶片的多个纵向型半导体装置进行评价的半导体评价装置以及半导体评价方法。
技术介绍
在对半导体晶片、半导体芯片等被测定物的电气特性进行测定(评价)时，一般使用在通过真空吸附使被测定物的设置面与卡盘台接触并进行固定的方法。在对能够使电流在半导体晶片的面外方向流动的纵向型构造的半导体装置进行评价的评价装置中，对半导体晶片的设置面进行固定的卡盘台作为测定电极之一而使用。在这种评价装置中，连接于卡盘台的电缆与评价部连接，但电缆的长度与对电缆进行绕引的量相对应而变长。由于电缆变长，使得测定路径的寄生电感变大，因此存在纵向型半导体装置的评价精度变差的问题。另一方面，例如，在专利文献I中提出了一种晶片检查装置，为了能够实现测定路径的缩短、寄生电感的减少，该晶片检查装置在晶片保持部的基础上，还具有探针接触区±或。另外，例如，在专利文献2中提出了一种装置，为了能够减少测定线的电阻，将接触板与被测定物接近设置。专利文献1:日本特开2013 - 118320号公报专利文献2:日本特开2013 — 32938号公报但是，在现有技术中，电压为高压的部分(在专利文献I中是卡盘台以及探针接触区域)的面积大，并且这些部分相互接近，因此存在评价时施加的电压越高，越难以确保绝缘的问题。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种在纵向型半导体装置的评价中能够确保绝缘的技术。本专利技术所涉及的半导体评价装置对设置于半导体晶片的多个纵向型半导体装置进行评价，所述纵向型半导体装置具有在所述半导体晶片的表面以及背面分别设置的表面电极以及背面电极，所述半导体评价装置具有:半导体晶片保持部，其对所述半导体晶片进行保持；表面探针，其在与由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述表面电极接触的情况下，与所述表面电极电连接；以及背面连接部，其在与由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述背面电极接触的情况下，与所述背面电极电连接。另外，所述半导体评价装置具有:背面电位导出部，其具有一端部分及另一端部分，该一端部分设置在由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述背面侧并与所述背面连接部电连接，该另一端部分设置在由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述表面侧并与所述一端部分电连接；以及评价部，其通过经由所述表面探针和所述背面电位导出部的所述另一端部分，向所述表面电极和所述背面电极通电，从而对所述纵向型半导体装置的电气特性进行评价。所述半导体晶片以及保持该半导体晶片的所述半导体晶片保持部能够沿所述半导体晶片的面内方向移动，或者，所述表面探针、所述背面连接部以及所述背面电位导出部能够沿所述半导体晶片的面内方向移动。在所述半导体晶片以及保持该半导体晶片的所述半导体晶片保持部沿所述面内方向移动，或者所述表面探针、所述背面连接部以及所述背面电位导出部沿所述面内方向移动的情况下，在所述半导体晶片、和所述背面电位导出部中的相对于所述半导体晶片位于所述面内方向的部分中的某一者的移动区域外的附近，固定另一者。专利技术的效果根据本专利技术，与现有技术相比，能够使高电位的部分缩小，因而在纵向型半导体装置的评价中易于确保绝缘。【附图说明】图1是表示实施方式I所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图2是表示实施方式I所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图3是用于说明实施方式I所涉及的表面探针的侧视图。图4是表示实施方式I所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图5是表示变形例2所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图6是表示变形例3所涉及的工作台中设置的电极部的概略结构的俯视图。图7是表示变形例4所涉及的工作台中设置的电极部的概略结构的俯视图。图8是表示变形例5所涉及的工作台的概略结构的侧视图。图9是表示变形例6所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图10是表示变形例7所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图11是表示变形例8所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图12是表示变形例9所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图13是表示实施方式2所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。图14是表示实施方式2所涉及的半导体评价装置的概略结构的剖视图。标号的说明I半导体评价装置，6半导体晶片保持部，11表面探针，14工作台，14a电极部，14al集电极感应电极，14a2集电极施电电极，15配线部，16延长电极，17延长电极用表面探针，18背面电位导出部，21探针基体，21a第I探针基体，21b第2探针基体，22a探针连接部，23测试头，27评价控制部，34背面探针，38可动机构，51半导体晶片，52纵向型半导体装置，52a表面电极，52b背面电极。【具体实施方式】<实施方式1>图1以及图2是表示本专利技术的实施方式I所涉及的半导体评价装置I的概略结构的剖视图。图1以及图2示出半导体评价装置I的不同的动作状态。此外，在图2中还示出了由圆包围的部分的放大图。半导体评价装置I是对设置于半导体晶片51的多个纵向型半导体装置52，S卩，能够使大电流在面外方向(纵向，Z方向)流动的纵向型构造的例如晶体管、二极管这样的半导体装置进行评价的装置。如图2所示，作为评价对象的纵向型半导体装置52具有在半导体晶片51的表面(+Z侧面)以及背面(一 Z侧面)分别设置的表面电极52a以及背面电极52b。此外，表面电极52a分别分离地设置在多个纵向型半导体装置52，但背面电极52b在晶片状态的情况下一般没有进行分离，而是一体化的。在图2中，为了方便，图示出将3个纵向型半导体装置52设置于半导体晶片51的状态，但当然也可以设置2个或者大于或等于4个纵向型半导体装置52。另外，在图2及其以后，为了方便，有时省略纵向型半导体装置52、表面电极52a以及背面电极52b的图示。半导体评价装置I具有:半导体晶片保持部6、移动臂7、表面探针11、工作台14、背面电位导出部18、探针基体21、探针连接部22a、22b、测试头23、信号线26、以及对它们进行统一控制的评价控制部27。并且，背面电位导出部18具有:配线部15、延长电极16、以及延长电极用表面探针17。半导体晶片保持部6保持半导体晶片51。在本实施方式I中，半导体晶片保持部6与半导体晶片51的外周部的全部或者部分接触而保持半导体晶片51。此外，在图1中，半导体晶片保持部6在半导体晶片51的两端部分处分离而示出，但它们在纸面前侧以及里侧中的至少任一者处连接。如图1以及图2所示，移动臂7将半导体晶片保持部6以及由其保持的半导体晶片51主要沿半导体晶片51的面内方向(X、Y方向)移动。即，在本实施方式I中，半导体晶片51以及保持半导体晶片51的半导体晶片保持部6能够相对于表面探针11、工作台14(电极部14a)以及背面电位导出部18沿半导体晶片51的面内方向移动。一边进行以上这样的半导体晶片51等的移动，一边使纵向型半导体装置52逐个按顺序地与表面探针11等接触而进行评价。但是，也可以如后面描述的变形例那样，使大于或等于2个纵向型半导体装置52一起与表面探针11等接触而进行评价。另外，也可以并非通过I个移动臂7保持以及移动半导体晶片保持部6，而是通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体评价装置，其对设置于半导体晶片的多个纵向型半导体装置进行评价，所述纵向型半导体装置具有在所述半导体晶片的表面以及背面分别设置的表面电极以及背面电极，所述半导体评价装置具有：半导体晶片保持部，其对所述半导体晶片进行保持；表面探针，其在与由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述表面电极接触的情况下，与所述表面电极电连接；背面连接部，其在与由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述背面电极接触的情况下，与所述背面电极电连接；背面电位导出部，其具有一端部分及另一端部分，该一端部分设置在由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述背面侧并与所述背面连接部电连接，该另一端部分设置在由所述半导体晶片保持部保持的所述半导体晶片的所述表面侧并与所述一端部分电连接；以及评价部，其通过经由所述表面探针和所述背面电位导出部的所述另一端部分，向所述表面电极和所述背面电极通电，从而对所述纵向型半导体装置的电气特性进行评价，所述半导体晶片以及保持该半导体晶片的所述半导体晶片保持部能够沿所述半导体晶片的面内方向移动，或者，所述表面探针、所述背面连接部以及所述背面电位导出部能够沿所述半导体晶片的面内方向移动，在所述半导体晶片以及保持该半导体晶片的所述半导体晶片保持部沿所述面内方向移动，或者所述表面探针、所述背面连接部以及所述背面电位导出部沿所述面内方向移动的情况下，在所述半导体晶片、和所述背面电位导出部中的相对于所述半导体晶片位于所述面内方向的部分中的某一者的移动区域外的附近，固定另一者。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冈田章，波户崎浩介，山下钦也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP