本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，其中，所涉及的阵列基板中包括：衬底基板，位于衬底基板之上的信号线，位于衬底基板与信号线之间的消光层，该消光层用于在阵列基板位于出光侧时消减外界环境光，其中，信号线在衬底基板所在平面内的正投影与消光层在衬底基板所在平面内的正投影重合。从而，在保证不影响透过率的情况下，利用消光层消减外界环境光的方式，减少进入信号线的外界环境光，减少信号线反射出的光线，提升了显示对比度，改善了显示质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
常见的显示面板中，薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT)阵列基板位于下 层，彩膜基板位于上层。目前，为了实现窄边框甚至是无边框设计，会将TFT阵列基板设置在 显示面板的上层，而将彩膜基板设置在显示面板的下层，从而，可大幅度窄化与PCB电路板 贴合的导电端的边框，甚至实现无边框。 然而，针对这种窄边框或无边框设计，相当于将现有的显示面板倒置，使得TFT阵 列基板靠近出光侧，因而，TFT阵列基板中的金属信号线，尤其是栅线会对进入的外界环境 光造成反射，特别是外界环境光较强时，出光面的反射程度更为严重，从而，就会导致显示 面板的对比度较差，影响显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中 存在的无边框显示装置的对比度较差的问题。 本专利技术实施例采用以下技术方案： -种阵列基板，包括:衬底基板，位于所述衬底基板之上的信号线，还包括： 位于所述衬底基板与所述信号线之间的消光层，所述消光层用于在所述阵列基板 位于出光侧时消减进入所述信号线的外界环境光，其中，所述信号线在所述衬底基板所在 平面内的正投影与所述消光层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。 该实施例中的消光层能够消减部分外界环境光，从而减少进入信号线的外界环境 光，相应的，信号线反射出的光线随之减少，从而改善了由于信号线反射外界环境光而导致 显示对比度下降的问题。 可选地，所述消光层的材质为非晶硅单质或掺杂有非晶硅单质的半导体混合物。 在本专利技术实施例中，此类材质的消光层能够有效改善由于信号线反射外界环境光 而导致显示对比度下降的问题。 可选地，所述消光层的厚度满足干涉消光公式： d=(2n+l)A/4N (1) 其中，所述d为消光层的厚度，所述λ为可见光在空气中的波长，所述N为消光层的 折射率，所述η为自然数。 在本专利技术实施例中，符合该干涉消光原理所限定的厚度的消光层能够实现对外界 环境光的消减，有效改善由于信号线反射外界环境光而导致显示对比度下降的问题。 可选地，所述消光层的厚度为34Q人。 在本专利技术实施例中，该厚度能够保证消光层尽可能多的消减外界环境光，减少进 入信号线的环境光。 可选地，所述消光层中至少一表面设置有多个凸起结构。 在本专利技术实施例中，消光层的表面设置的多个凸起结构能够增加漫反射效果，减 少进入信号线的外界环境光。 可选地，所述消光层中两个表面均设置有多个凸起结构。 在本专利技术实施例中，消光层的两个表面均设置有多个凸起结构，能够更为有效增 加漫反射效果，减少进入信号线的外界环境光。 可选地，所述信号线为栅线或公共电极线。在本专利技术实施例中，能够很好的解决栅线和公共电极线反射环境光的问题。 一种显示装置，包括所述的阵列基板，所述阵列基板位于该显示装置的出光面。 该实施例中的消光层能够消减部分外界环境光，从而减少进入信号线的外界环境 光，相应的，信号线反射出的光线随之减少，从而改善了由于信号线反射外界环境光而导致 显示对比度下降的问题。 -种制备所述的阵列基板的方法，包括：提供一衬底基板； 利用一次构图工艺，在所述衬底基板之上形成图案化的消光层和信号线。 该实施例中通过一次构图工艺即可形成消光层和信号线，节省了工艺流程，简化 了工艺复杂度。同时，制作而成的阵列基板的结构能够改善由于信号线反射外界环境光而 导致显示对比度下降的问题。 可选地，利用一次构图工艺，在所述衬底基板之上形成图案化的消光层和信号线， 具体包括： 在所述衬底基板的一表面依次沉积消光膜层和金属膜层； 利用掩膜版对所述金属膜层进行光刻工艺，形成图案化的信号线； 利用所述信号线的图案，对所述消光膜层进行刻蚀，形成与所述信号线相同图案 的消光层。 可选地，在所述衬底基板的一表面依次沉积消光膜层和金属膜层之前，所述方法 还包括： 将所述衬底基板置于真空腔室中，利用等离子气体对所述衬底基板的一表面进行 粗糙化处理，以使得后续形成的消光层中靠近所述衬底基板的表面具有多个凸起结构。 可选地，在所述衬底基板的一表面依次沉积消光膜层和金属膜层，具体包括： 在所述衬底基板的一表面沉积消光膜层； 将沉积有消光膜层的衬底基板置于真空腔室中，利用等离子气体对所述消光膜层 进行粗糙化处理，以使得所述消光膜层具有多个凸起结构；在粗糙化处理后的消光膜层之上沉积金属膜层。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本 领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其 他的附图。 图1为本专利技术所涉及的一种阵列基板的结构示意图； 图2(a)-图2(c)分别为消光层的三种类型的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图； 图4为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图； 图5(a)-图5(e)为本专利技术步骤42的具体工艺流程图； 图6为实例1提供的一种阵列基板的制作方法流程图； 图7为实例2提供的一种阵列基板的制作方法流程图； 图8为实例3提供的一种阵列基板的制作方法流程图。【具体实施方式】 为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进 一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施 例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的 所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。 下面通过具体的实施例对本专利技术所涉及的技术方案进行详细描述，本专利技术包括但 并不限于以下实施例。 如图1所示，为本专利技术所涉及的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板主要包 括:衬底基板11，位于衬底基板11之上的信号线12,此外，还包括:位于衬底基板11与信号线 12之间的消光层13,消光层13用于在阵列基板位于出光侧时消减进入信号线12的外界环境 光，其中，信号线12在衬底基板所在平面内的正投影与消光层13在衬底基板所在平面内的 正投影重合。此外，该阵列基板还包括:TFT器件、数据线以及过孔、像素电极等结构。本专利技术未 在图中示出，因而，并不在此进行赘述。在本专利技术上述阵列基板的方案中，为了改善无边框显示面板存在的信号线反射外 界环境光而导致显示对比度下降的问题，在衬底基板与信号线之间，设置一用于在阵列基 板位于出光侧时消减进入信号线的外界环境光的消光层，以消除信号线靠近出光侧而造成 的反光和视觉暴露。该方案相比于现有技术中信号线与衬底基板直接接触的方案而言，通 过消光层消减外界环境光的方式减少了进入信号线的外界环境光，进而，减少了信号线反 射的外界环境光，提升了显示面板的显示对比度，而且，该消光层在衬底基板所在平面内的 正投影被信号线在衬底基板所在平面内的正投影重合，即该消光层的图案与信号线的图案 相同，从而不会影响显示面板的透过率，在提升显示对比度的同时，保证了显示面板的透过 率，改善了画面显示质量。可选地，为了能够更好的实现对进入显示面板的外界环境光的消减，消光层的材 质可选择颜色较深的非晶硅单质或掺杂有非晶硅单本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的信号线，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述信号线之间的消光层，所述消光层用于在所述阵列基板位于出光侧时消减进入所述信号线的外界环境光，其中，所述信号线在所述衬底基板所在平面内的正投影与所述消光层在所述衬底基板所在平面内的正投影重合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王守坤，郭会斌，冯玉春，李梁梁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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