本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，主要内容包括：在有源层的一表面设置有栅绝缘层，另外一表面设置有阻隔绝缘层，从而，能够很好的将有源层与相邻其他第一导电层隔绝，进而，避免了有源层的残留物搭接任一第一导电层，尤其有效避免了有源层的残留物搭接像素电极与数据线的情况，从而，解决了搭接所造成的TFT电学不良的问题。同时，由于增加了阻隔绝缘层，且该膜层的厚度可适当调整，从而，降低了膜层形成有源层后整个阵列基板的膜层表面的高度差，提升了膜层表面的平整性，因而，在膜层表面的坡度角较小的情况下，能够使得后续膜层更好的沉积，减少因膜层表面高度差较大或坡度角较大而造成的膜层断裂现象。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
现有技术中，有源层(半导体层)的制备工艺可以同时沉积SiNx、a-S1、N+a_Si，然后对沉积的混合膜层进行构图工艺，形成图案化的有源层。然而，在具体的制备工艺过程中，由于制备环境、设备或其他异常原因，不可避免会导致混合膜层上附着尘埃、碎肩等异物，这些异物可在沉积过程中附着，也可在涂胶过程或在刻蚀的时候附着。在进行干刻工艺的时候，由于混合膜层的某些位置处有异物，导致干刻所用的气体无法与膜层接触反应，致使膜层出现残留物，进而，如图1所示，在后续制作源漏极11以及像素电极12的时候，当有源层13的残留物a足够大，就有可能会导致该残留物a在数据线14与像素电极12之间建立电连接，参照图1所示，这种电连接容易造成TFT电学性工艺不良。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中存在由于有源层的残留物与导电层接触而造成TFT电学性工艺不良的问题。本专利技术实施例采用以下技术方案:—种阵列基板，包括:栅绝缘层，有源层，与所述有源层接触的源漏极，第一导电层，还包括:阻隔绝缘层；其中，所述栅绝缘层位于所述有源层的一表面，所述阻隔绝缘层位于所述有源层的另一表面，且所述阻隔绝缘层至少在所述有源层与所述源漏极的接触区域具有镂空结构;所述阻隔绝缘层用于阻隔所述有源层的残留物与任一第一导电层的接触。该阵列基板中的阻隔绝缘层，可以有效阻隔所述有源层的残留物分别连接所述数据线和所述像素电极，避免TFT电学性工艺不良。而且，降低了膜层形成有源层后整个阵列基板的膜层表面的高度差，提升了膜层表面的平整性，减少因膜层表面高度差较大或坡度角较大而造成的膜层断裂现象。可选地，所述阻隔绝缘层在所述像素电极所在区域具有镂空结构。该结构可以提升阵列基板的透过率。可选地，所述第一导电层包括数据线、像素电极、栅线、公共电极中的任意一种。该阻隔绝缘层可以避免有源层的残留物与多种类型的第一导电层的搭接。可选地，所述阵列基板为底栅结构阵列基板；其中，所述栅绝缘层位于所述栅线之上且覆盖所述阵列基板；所述有源层位于所述栅绝缘层之上；所述阻隔绝缘层位于所述有源层之上或与所述有源层齐平设置，其中，所述阻隔绝缘层在所述有源层与所述源漏极的接触区域通过镂空结构暴露出所述有源层；所述源漏极位于所述绝缘阻隔层之上，且与暴露出的有源层相接触。针对底栅结构阵列基板，可以有效阻隔有源层的残留物分别连接数据线和像素电极等第一导电层，避免TFT电学性工艺不良。可选地，所述阵列基板为顶栅结构阵列基板；其中，所述阻隔绝缘层位于所述源漏极之上，所述阻隔绝缘层在所述有源层与所述源漏极的接触区域通过镂空结构暴露出所述源漏极；所述有源层位于所述阻隔绝缘层之上，且与暴露出的所述源漏极相接触；所述栅绝缘层位于所述有源层之上且覆盖所述阵列基板；所述栅线位于所述栅绝缘层之上。针对顶栅结构阵列基板，可以有效阻隔有源层的残留物分别连接数据线和像素电极等第一导电层，避免TFT电学性工艺不良。可选地，所述阻隔绝缘层的材质包括;树脂。可选地，所述阻隔绝缘层的材质为感光树脂。该材质可以有效阻隔所述有源层的残留物分别连接所述数据线和所述像素电极，避免TFT电学性工艺不良。而且，还可以简化制作工艺流程。—种阵列基板的制作方法，包括:形成栅绝缘层，形成第一图案化的有源层，形成与所述有源层接触的第二图案化的源漏极，第三图案化的第一导电层，还包括:形成第四图案化的阻隔绝缘层；其中，所述栅绝缘层位于所述有源层的一表面，所述阻隔绝缘层位于所述有源层的另一表面，且所述阻隔绝缘层至少在所述有源层与所述源漏极的接触区域具有镂空结构;所述阻隔绝缘层用于阻隔所述有源层的残留物至少搭接任一第一导电层。通过该方法形成阻隔绝缘层，可以有效阻隔所述有源层的残留物分别连接所述数据线和所述像素电极，避免TFT电学性工艺不良。而且，降低了膜层形成有源层后整个阵列基板的膜层表面的高度差，提升了膜层表面的平整性，减少因膜层表面高度差较大或坡度角较大而造成的膜层断裂现象。可选地，所述阵列基板为底栅结构阵列基板，则所述阵列基板的制作方法包括:在栅极之上形成覆盖所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层之上形成第一图案化的有源层；在所述有源层之上沉积绝缘材料，利用构图工艺形成第五图案化的阻隔绝缘层，其中，所述阻隔绝缘层在所述有源层与所述源漏极的接触区域通过镂空结构暴露出有源层；在所述阻隔绝缘层之上形成第二图案化的源漏极，以使得所述源漏极与暴露出的有源层相接触。针对底栅结构阵列基板，可以有效阻隔有源层的残留物分别连接数据线和像素电极等第一导电层，避免TFT电学性工艺不良。可选地，所述阵列基板为顶栅结构阵列基板，则所述阵列基板的制作方法包括:在第二图案化的源漏极之上沉积绝缘材料，利用构图工艺形成第五图案化的阻隔绝缘层，其中，所述阻隔绝缘层在所述有源层与所述源漏极的接触区域通过镂空结构暴露出所述源漏极；在所述阻隔绝缘层之上形成第一图案化的有源层，以使得所述有源层与暴露出的源漏极相接触；在所述有源层之上形成覆盖所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层之上形成栅线。针对顶栅结构阵列基板，可以有效阻隔有源层的残留物分别连接数据线和像素电极等第一导电层，避免TFT电学性工艺不良。一种显示装置，包括所述的阵列基板。在本专利技术实施例中，有源层的一表面设置有栅绝缘层，另一表面设置有阻隔绝缘层，该阻隔绝缘层可以有效阻隔所述有源层的残留物分别连接所述数据线和所述像素电极，避免TFT电学性工艺不良。而且，降低了膜层形成有源层后整个阵列基板的膜层表面的高度差，提升了膜层表面的平整性，减少因膜层表面高度差较大或坡度角较大而造成的膜层断裂现象。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中有源层的残留物与数据线以及像素电极搭接的示意图；图2(a)为本专利技术所涉及的阵列基板为底栅结构阵列基板的结构示意图之一；图2(b)为本专利技术所涉及的阵列基板为底栅结构阵列基板的结构示意图之二；图3为本专利技术所涉及的阵列基板为顶栅结构阵列基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的底栅结阵列基板的制作方法的步骤流程图；图5为本专利技术实施例提供的顶栅结阵列基板的制作方法的步骤流程图。【具体实施方式】为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面通过具体的实施例对本专利技术所涉及的技术方案进行详细的描述，本专利技术包括但并不限于以下实施例。本专利技术提供了一种阵列基板，该阵列基板主要包括:栅绝缘层，有源层，与所述有源层接触的源漏极，第一导电当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：栅绝缘层，有源层，与所述有源层接触的源漏极，第一导电层，其特征在于，还包括：阻隔绝缘层；其中，所述栅绝缘层位于所述有源层的一表面，所述阻隔绝缘层位于所述有源层的另一表面，且所述阻隔绝缘层至少在所述有源层与所述源漏极的接触区域具有镂空结构；所述阻隔绝缘层用于阻隔所述有源层在所述镂空结构所在区域之外的残留物与所述第一导电层的接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林子锦，赵海生，彭志龙，孙东江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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