用于液晶面板中的阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板，其包括：基板(101)；在基板(101)之上的低温多晶硅薄膜晶体管；覆盖低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层(110)；在平坦层(110)中的过孔(110a)，其中，过孔(110a)露出低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极(109b)；在平坦层(110)之上间隔排列的公共电极(111a)和接收电极(111b)，其中，公共电极(111a)在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的公共电极(111a)连接在一起；覆盖公共电极(111a)、接收电极(111b)和平坦层(110)的钝化层(112)；在钝化层(112)上的像素电极(113a)，其中，像素电通过过孔(110a)接触漏电极(109b)。本发明专利技术还提供了一种该阵列基板的制作方法。本发明专利技术节省了阵列基板制作过程中的一道制程，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体地讲，涉及一种用于液晶面板中的阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。目前，作为LCD的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-SiTFT)，但a-SiTFTLCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)TFTLCD与a-SiTFTLCD相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。另一方面，随着智能电子产品的普及，电容式触控屏已经被广泛的应用于手机、平板电脑等各种电子产品中。目前，较为常见的电容式触控屏有OGS(OneGlassSolution，即一体化触控)、On-Cell(外挂式)和In-Cell(内嵌式)三种技术。其中，In-Cell技术由于其制作工艺上的优势，相比OGS技术和On-Cell技术，具有更加轻薄、透光性更好、结构更加稳定等优点。经研究发现，目前在制作采用In-Cell技术的LTPS触控屏时，需要采用2道制程来完成驱动电极Tx和接收电极Rx的制作，因此现有技术存在阵列基板的制造过程过于复杂的技术问题。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种用于液晶面板中的阵列基板，其包括：基板；在所述基板之上的低温多晶硅薄膜晶体管；覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层；在所述平坦层中的过孔，其中，所述过孔露出所述低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极；在所述平坦层之上间隔排列的公共电极和接收电极，其中，所述公共电极在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的所述公共电极连接在一起；覆盖所述公共电极、所述接收电极和所述平坦层的钝化层；在所述钝化层上的像素电极，其中，所述像素电通过所述过孔接触所述漏电极。进一步地，所述阵列基板还包括：在所述钝化层中的第三通孔，其中，所述第三通孔露出所述公共电极；在所述钝化层上且与所述像素电极不接触的连接电极；其中，所述连接电极通过所述第三通孔接触所述公共电极，使被间隔断开的所述公共电极连接在一起。进一步地，所述公共电极和所述接收电极同时形成。进一步地，所述像素电极和所述连接电极同时形成。进一步地，所述阵列基板还包括：在所述基板与所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层；其中，所述遮光层与所述低温多晶硅薄膜晶体管相对设置；在所述遮光层与所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的第一绝缘层；其中，所述第一绝缘层覆盖所述遮光层及所述基板。进一步地，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：在所述第一绝缘层之上的多晶硅层；在所述第一绝缘层之上且覆盖所述多晶硅层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上的栅电极；在所述第二绝缘层之上且覆盖所述栅电极的第三绝缘层；在所述第三绝缘层和所述第二绝缘层中的第一通孔和第二通孔；其中，所述第一通孔和所述第二通孔露出所述多晶硅层的表面；在所述第三绝缘层之上的源电极和漏电极；其中，所述源电极填充所述第一通孔并接触所述多晶硅层的表面，所述漏电极填充所述第二通孔并接触所述多晶硅层的表面；其中，所述平坦层在所述第三绝缘层之上且覆盖所述源电极和所述漏电极。本专利技术的另一目的还在于提供一种用于液晶面板中阵列基板的制作方法，其包括：提供一基板；在所述基板之上形成低温多晶硅薄膜晶体管；形成覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层；在所述平坦层中形成过孔，其中，所述过孔露出所述低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极；在所述平坦层之上同时形成间隔排列的公共电极和接收电极，其中，所述公共电极在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的所述公共电极连接在一起；形成覆盖所述公共电极、所述接收电极和所述平坦层的钝化层；在所述钝化层上形成像素电极，其中，所述像素电极通过所述过孔接触所述漏电极。进一步地，所述制作方法还包括：在形成所述钝化层之后，在所述钝化层中形成第三通孔，其中，所述第三通孔露出所述公共电极；在形成所述像素电极的同时在所述钝化层上形成与所述像素电极不接触的连接电极；其中，所述连接电极通过所述第三通孔接触所述公共电极，使被间隔断开的所述公共电极连接在一起。进一步地，所述制作方法还包括：在形成所述低温多晶硅薄膜晶体管之前，在所述基板上形成遮光层，其中，所述遮光层与所述低温多晶硅薄膜晶体管相对设置；在所述基板上形成覆盖所述遮光层的第一绝缘层。进一步地，所述低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法具体包括：在所述第一绝缘层之上形成多晶硅层；在所述第一绝缘层之上形成覆盖所述多晶硅层的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上形成栅电极；在所述第二绝缘层之上形成覆盖所述栅电极的第三绝缘层；在所述第三绝缘层和所述第二绝缘层中形成第一通孔和第二通孔；其中，所述第一通孔和所述第二通孔露出所述多晶硅层的表面；在所述第三绝缘层之上形成源电极和漏电极；其中，所述源电极填充所述第一通孔并接触所述多晶硅层的表面，所述漏电极填充所述第二通孔并接触所述多晶硅层的表面；其中，所述平坦层在所述第三绝缘层之上且覆盖所述源电极和所述漏电极。本专利技术的有益效果：本专利技术在同一道制程中形成在触控阶段作为驱动电极的公共电极和接收电极，与现有技术中的需要两道制程形成驱动电极和接收电极相比，节省了一道制程，简化了低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造流程，降低了生产成本。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是根据本专利技术的实施例的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图；图2是根据本专利技术的实施例的液晶面板的局部结构示意图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶面板中的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板(101)；在所述基板(101)之上的低温多晶硅薄膜晶体管；覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层(110)；在所述平坦层(110)中的过孔(110a)，其中，所述过孔(110a)露出所述低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极(109b)；在所述平坦层(110)之上间隔排列的公共电极(111a)和接收电极(111b)，其中，所述公共电极(111a)在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的所述公共电极(111a)连接在一起；覆盖所述公共电极(111a)、所述接收电极(111b)和所述平坦层(110)的钝化层(112)；在所述钝化层(112)上的像素电极(113a)，其中，所述像素电通过所述过孔(110a)接触所述漏电极(109b)。

【技术特征摘要】
1.一种用于液晶面板中的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板(101)；
在所述基板(101)之上的低温多晶硅薄膜晶体管；
覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦层(110)；
在所述平坦层(110)中的过孔(110a)，其中，所述过孔(110a)露出所述
低温多晶硅薄膜晶体管的漏电极(109b)；
在所述平坦层(110)之上间隔排列的公共电极(111a)和接收电极(111b)，
其中，所述公共电极(111a)在触控阶段用作驱动电极，并且被间隔断开的所述
公共电极(111a)连接在一起；
覆盖所述公共电极(111a)、所述接收电极(111b)和所述平坦层(110)的
钝化层(112)；
在所述钝化层(112)上的像素电极(113a)，其中，所述像素电通过所述过
孔(110a)接触所述漏电极(109b)。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
在所述钝化层(112)中的第三通孔(112a)，其中，所述第三通孔(112a)
露出所述公共电极(111a)；
在所述钝化层(112)上且与所述像素电极(113a)不接触的连接电极(113b)；
其中，所述连接电极(113b)通过所述第三通孔(112a)接触所述公共电极
(111a)，使被间隔断开的所述公共电极(111a)连接在一起。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极(111a)
和所述接收电极(111b)同时形成。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极(113a)
和所述连接电极(113b)同时形成。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
在所述基板(101)与所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层(102)，其
中，所述遮光层(102)与所述低温多晶硅薄膜晶体管相对设置；
在所述遮光层(102)与所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的第一绝缘层

\t(103)，其中，所述第一绝缘层(103)覆盖所述遮光层(102)及所述基板(101)。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶
体管包括：
在所述第一绝缘层(103)之上的多晶硅层(104)；
在所述第一绝缘层(103)之上且覆盖所述多晶硅层(104)的第二绝缘层
(105)；
在所述第二绝缘层(105)之上的栅电极(106)；
在所述第二绝缘层(105)之上且覆盖所述栅电极(106)的第三绝缘层(107)；
在所述第三绝缘层(107)和所述第二绝缘层(105)中的第一通孔(108a)
和第二通孔(108b)；其中，所述第一通孔(108a)和所述第二通孔(108b)露
出所述多晶硅层(104)的表面；
在所述第三绝缘层(107)之上的源电极(109a)和漏电极(109b)；其中，
所述源电极(109a)填充所述第一通孔(108a)并接触所述多晶硅层(104)的
表面，所述漏电极(109b)填充所述第二通孔(108b)并接触所述多晶硅层(104)
的表面；
其中，所述平坦层(110)在所述第三绝缘层(107)...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨祖有，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44