本发明专利技术公开了一种液晶显示面板及液晶显示装置，该液晶显示面板包括基底及在基底上形成的薄膜晶体管，其中，该薄膜晶体管的源极和漏极为互补V型结构，以在源极和漏极之间形成V型间隔区域，从而使得该薄膜晶体管在工作时，在该薄膜晶体管的半导体层中形成V型导电沟道。本发明专利技术可以提高薄膜晶体管的开启电流。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及液晶显示
，具体地说，设及一种液晶显示面板及液晶显示装 置。
技术介绍
在TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrys1:alDi邓lay,薄膜晶体管液晶显 示器）中，每一个像素单元由集成在其附近的一个或几个TFT驱动，从而实现高速度、高亮 度、高对比度的显示效果。因此，TFT的性能对于显示面板的品质有决定性影响。 通常来说，对于液晶显示领域的TFT，一般希望其具有较大的开启电流，即在较短 的时间内将像素单元的电压充至要求的范围内。在高分辨率显示器中，像素单元更小，像素 排列更为密集，在不改变刷新频率的基础上，每个像素的充电时间更短。所W，上述需求在 运样的显示应用中尤为关键。 现有技术中，通常通过提高TFT沟道宽长比来增加TFT的开启电流，如采用U型结 构的TFT。但是，运种结构的TFT会增加TFT制成的难度，制作精度不易保证，并且会增加不 必要的寄生电容。
技术实现思路
阳0化]为解决W上问题，本专利技术提供了一种液晶显示面板及液晶显示装置，可W提高其 上薄膜晶体管的开启电流。 根据本专利技术的一个方面，提供了一种液晶显示面板，包括基底及在所述基底上形 成的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极为互补V型结构，W在所述源极和所 述漏极之间形成V型间隔区域，从而使得所述薄膜晶体管在工作时，在所述薄膜晶体管的 半导体层中形成V型导电沟道。 根据本专利技术的一个实施例，所述半导体层的面积大于所述V型间隔区域的面积。 根据本专利技术的一个实施例，所述半导体层为V型结构，所述半导体层的V型结构的 走向与所述V型间隔区域的走向相同且长度大于所述V型间隔区域的长度。 根据本专利技术的一个实施例，所述薄膜晶体管的栅极的面积大于所述半导体层的面 积。 根据本专利技术的一个实施例，所述栅极为V型结构，所述栅极的V型结构的走向与所 述V型间隔区域的走向相同且长度大于所述半导体层的长度。 根据本专利技术的一个实施例，所述液晶显示面板还包括与所述源极和所述漏极分别 连接的数据线，其中，所述数据线的宽度保持不变，并与所述V型间隔区域的宽度相同。 根据本专利技术的一个实施例，所述液晶显示面板还包括与所述源极和所述漏极分别 连接的数据线，其中，所述数据线在接近所述源极和所述漏极处的宽度与所述V型间隔区 域的宽度相同，远离所述源极和所述漏极处的宽度小于所述V型间隔区域的宽度。 根据本专利技术的一个实施例，所述液晶显示面板还包括与所述栅极连接的栅线，其 中，所述栅线的宽度保持不变，并与所述栅极的长度相同。 根据本专利技术的一个实施例，所述液晶显示面板还包括与所述栅极连接的栅线，其 中，所述栅线在接近所述栅极处的宽度与所述栅极的长度相同，远离所述栅极处的宽度小 于所述栅极的长度。 根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种采用W上所述液晶显示面板的液晶显示 装置。 本专利技术的有益效果： 本专利技术通过设置V型结构的TFT，可W在有限的液晶显示面板上增加器件的沟道 宽长比，有助于提高TFT的开启电流，还可W使得栅极与源漏极之间产生较小的寄生电容。 本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书W及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要的附图做简单的介绍： 图1是现有技术中的一种传统结构的TFT结构示意图； 图2是现有技术中的一种U型结构的TFT结构示意图； 图3a是根据本专利技术的一个实施例的V型结构的TFT俯视示意图； 图3b是图3a沿A-A'的剖面示意图； 图3c是图3a的源极和漏极的结构示意图； 阳0巧]图3d是图3a中的半导体层结构示意图； 阳0%] 图3e是图3a中的栅极结构示意图；W及 图4是根据本专利技术的另一个实施例的V型结构的TFT俯视结构示意图。【具体实施方式】[002引 W下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据W实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例W及各实施例中的各个特征可W相互结合， 所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。 根据MOS阳T基本公式，薄膜晶体管TFT开启状态的电流符合下式： 其中，tms表示栅绝缘层厚度；eee/tiM表示单位面积栅绝缘层电容值，ee。 表示栅绝缘材料的介电常数;W/L为沟道宽长比；Vgg为栅极-源极电压；Vth为阔值电压；Vds为漏极-源极电压；yPff为等效载流子迁移率。 阳0巧 由式（1)可知，当设计的TFT的沟道宽长比W/L较大时，TFT的开启电流随之增加。 为提高TFT的宽长比，可W在TFT沟道长度L一定的基础上，增加TFT的沟道宽度W。但是， 运种设计无疑增加了TFT的面积。[003引如图I所示为传统背沟道型TFT的结构示意图，源极111和漏极112之间为矩形 导电沟道12,运样的TFT在液晶显示面板上占据的面积较大。在现有设计中，由于TFT占据 的位置一般会被黑色矩阵遮挡，使得光线无法透过，运样便损失了像素单元的开口率。也就 是说，图1中的传统TFT设计使得液晶显示面板的可透光区域变小，显示效果变差。于是， 一种U型结构的TFT应运而生，源极211和漏极212之间的弧形导电沟道21如图2所示。 相比传统结构的TFT，U型结构的TFT可W在较小的面积上实现较大的TFT宽长比，较为有 效的解决了开口率问题。 但是，U型结构TFT中的弧形结构设计增加了TFT制成的难度（包括曝光/显影 /蚀刻的精度）。在制作过程中，TFT沟道部分面临较大的考验。因为既要保证栅线与数据 线分开，又要保证蚀刻不能过量，否则就可能导致断线。为减小U型结构TFT的面积，数据 线一般设计的较细，使得制作精度不易保证。另外，在U型结构TFT中，源极211和漏极212 与栅极213有较大的重合，运就增加了不必要的寄生电容。 因此，本专利技术提出了一种液晶显示面板，该液晶显示面板采用V型结构的TFT，用 W解决传统结构TFT沟道宽长比较小W及U型结构TFT制成难度大、精度不易控制和增加 寄生电容的问题。 如图3a所示为根据本专利技术的一个实施例的液晶显示面板上的V型结构薄膜晶体 管TFT的俯视结构示意图，W下参考图3a来对本专利技术进行详细说明。 该薄膜晶体管的源极31和漏极32为互补V型结构，W在源极31和漏极32之间 形成V型间隔区域，从而使得该薄膜晶体管在工作时，在该薄膜晶体管的半导体层34中形 成V型导电沟道。如图3c所示为该薄膜晶体管的源极31和漏极32的结构示意图，其中， 源极31为内凹的V型结构，漏极32为外凸的V型结构。内凹的V型结构和外凸的V型结 构互补，两者之间形成V型间隔区域321，如图3c中楠圆区域所示。在该薄膜晶体管工作 时，在半导体层34中形成与该V型间隔区域321对应的V型导电沟道。[003引如图3b为图3a沿A-A'的剖面结构示意图。如图3b所示，该薄膜晶体管形成在基 底上（基底未示出）。其中，该薄膜晶体管包括形成在基底上的栅极33、形成在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶显示面板，包括基底及在所述基底上形成的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极为互补V型结构，以在所述源极和所述漏极之间形成V型间隔区域，从而使得所述薄膜晶体管在工作时，在所述薄膜晶体管的半导体层中形成V型导电沟道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：武岳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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