阵列基板行驱动结构及显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种阵列基板行驱动(GOA)结构及显示面板，其是通过以一遮光金属层替代现有的阵列基板行驱动(GOA)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶硅层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示技术，具体涉及一种阵列基板行驱动(Gate Driver onArray, GOA)结构及显示面板。
技术介绍
随着薄膜晶体管液晶显不器(Thinfilm transistor liquid crystal display,TFT-LCD)的迅速发展，各生产厂家采用新技术提高产品的市场竞争力以及降低产品成本。其中，阵列基板行驱动(Gate Driver on Array，GOA)技术作为新技术的代表，是将栅极(Gate)开关电路集成在阵列基板上，以去掉栅极驱动集成电路部分，从而节省材料并且减少工艺步骤，达到降低产品成本的目的。请参照图1，其是现有的基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶娃)NM0S (N-type metal oxide semiconductor，N型金属氧化物半导体)工艺的阵列基板行驱动(G0A)电路的结构示意图。在图1中，第一电容1是用于保持节点Q电位和输出自举；第二电容2是用于保持节点P电位。所述第一电容1是由节点Q与输出TFT的栅极形成，其面积较大。所述第二电容2由于可以直接做在低恒压源VGL走线上，所以对阵列基板行驱动(G0A)电路所占空间的贡献较小。请参照图2A和图2B，图2A是现有的阵列基板行驱动(G0A)结构10的部分剖视结构不意图；图2B是图2A中多晶娃层102、第一金属层104和第二金属层106之间堆桟关系的俯视图。在图2A和图2B中，所述现有的阵列基板行驱动(G0A)结构10由下而上依序包含:一缓冲层101、一多晶娃层102、一栅极绝缘层103、第一金属层104、层间介质层105及第二金属层106。所述第二金属层106与所述多晶娃层102之间具有至少一过孔107。所述多晶娃层102、所述第一金属层104和所述第二金属层106形成一夹心电容。所述多晶娃层102、所述第一金属层104和所述第二金属层106是分别作为所述夹心电容的第一层(最下极)、第二层和第三层。再蚀刻(Re-etch)工艺是一种用于减少LTPS NM0S工艺中光照数量的工艺。然而，当所述现有的阵列基板行驱动(G0A)结构10通过所述LTPS NM0S工艺和所述再蚀刻工艺来制作时，由于被所述第一金属层104覆盖的所述多晶娃层102不能被掺杂(Dopping)，故所述多晶硅层102不能被作为所述夹心电容的电极(最下极)。因此，有必要提供一种新的阵列基板行驱动(G0A)结构，来解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种阵列基板行驱动(G0A)结构及显示面板。通过以遮光金属层替代现有的阵列基板行驱动(G0A)结构中夹心电容的多晶硅层，来改进现有技术中所述多晶娃层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。用于实现本专利技术的前述目的，本专利技术提供一种阵列基板行驱动结构，其整合在一显示面板中，所述阵列基板行驱动结构包含:一遮光金属层；一缓冲层，设置于所述遮光金属层上；—第一栅极绝缘层，设置于所述缓冲层上；一第一金属层，设置于所述第一栅极绝缘层上；一第一层间介质(interlayer dielectric, ILD)层，设置于所述第一金属层上；以及一第二金属层，设置于所述第一层间介质层上，所述第二金属层与所述遮光金属层之间具有至少一第一过孔。在本专利技术的一实施例中，所述第一过孔贯穿所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层和所述第一层间介质层。在本专利技术的一实施例中，所述显示面板中还整合有一叠层结构，所述叠层结构包含:一多晶硅层；一第二栅极绝缘层，设置于所述多晶硅层上；一第二层间介质层，设置于所述第二栅极绝缘层上；以及一第三金属层，设置于所述第二层间介质层上，所述第三金属层与所述多晶硅层之间具有至少一第二过孔。 在本专利技术的一实施例中，所述第二过孔贯穿所述第二栅极绝缘层和所述第二层间介质层。在本专利技术的一实施例中，所述遮光金属层、所述第一金属层和所述第二金属层形成一夹心电容。在本专利技术的一实施例中，所述遮光金属层的材质是选自钼。再者，本专利技术另提供一种显示面板，其具有多个上述阵列基板行驱动结构。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益的效果。通过上述技术方案，本专利技术的阵列基板行驱动(G0A)结构及显示面板至少具有下列优点及有益效果:通过以所述遮光金属层替代现有的阵列基板行驱动(G0A)结构中夹心电容的多晶娃层，来改进现有技术中所述多晶娃层因不能被掺杂(Dopping)而不能被作为所述夹心电容的电极的问题。【附图说明】图1是现有的基于LTPS NM0S工艺的阵列基板行驱动(G0A)电路的结构示意图。图2A是现有的阵列基板行驱动(G0A)结构的部分剖视结构示意图。图2B是图2A中多晶硅层、第一金属层和第二金属层之间堆栈关系的俯视图。图3A是本专利技术一实施例中阵列基板行驱动(G0A)结构的部分剖视结构示意图。图3B是图3A中遮光金属层、第一金属层和第二金属层之间堆桟关系的俯视图。附图中的标号说明1 第一电容204 第一金属层2 第二电容205 第一层间介质层10 现有的G0A结构206 第二金属层20 本专利技术的G0A结构207 第一过孔101缓冲层CK1第一时钟信号102多晶硅层CK2第二时钟信号103栅极绝缘层D2U反向扫描信号104第一金属层G第n级水平扫描线105层间介质层G第n+1级水平扫描线106第二金属层G第n-Ι级水平扫描线107过孔P、Q节点201遮光金属层U2D正向扫描信号202缓冲层VGH高恒压源203第一栅极绝缘层VGL低恒压源【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预订专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的阵列基板行驱动(G0A)结构及显示面板其【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。请参照图3A，其为本专利技术一实施例中阵列基板行驱动(G0A)结构20的部分剖视结构示意图。所述阵列基板行驱动(G0A)结构20是整合在一显示面板中。所述阵列基板行驱动(G0A)结构20包含一遮光金属层201、一缓冲层202、一第一栅极绝缘层203、第一金属层204、第一层间介质层205及第二金属层206。所述缓冲层202是设置于所述遮光金属层201上。所述第一栅极绝缘层203是设置于所述缓冲层202上。所述第一金属层204是设置于所述第一栅极绝缘层203上。所述第一层间介质层205是设置于所述第一金属层204上。所述第二金属层206是设置于所述第一层间介质层205上。所述遮光金属层201、所述第一金属层204和所述第二金属层206形成一夹心电容。所述遮光金属层201、所述第一金属层204和所述第二金属层206是分别作为所述夹心电容的第一层(最下极)、第二层和第三层。所述第二金属层206与所述遮光金属层201之间具有至少一第一过孔207。所述第一过孔207贯穿所述缓冲层202、所述第一栅极绝缘层203和所述第一层间介质层205。所述显示面板中还整合有一叠层结构(图中未示)，所述叠层结构包含一多晶硅层、一第二栅极绝缘层、一第二层间介质层及一第三金属层。所述第二栅极绝缘层是设置于所述多晶硅层上。所述第二层间介质层是设置于所述第二栅极绝缘层上。所述第三金属层是设置于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,GOA)结构，整合在一显示面板中，其特征在于，所述阵列基板行驱动结构包含：一遮光金属层；一缓冲层，设置于所述遮光金属层上；一第一栅极绝缘层，设置于所述缓冲层上；一第一金属层，设置于所述第一栅极绝缘层上；一第一层间介质层，设置于所述第一金属层上；以及一第二金属层，设置于所述第一层间介质层上，所述第二金属层与所述遮光金属层之间具有至少一第一过孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹尚操，龚强，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42