一种芯片修复方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种芯片修复方法和装置，以解决GBL修复无法满足芯片良品率提升，以及性能提升要求的问题。所述方法包括：对芯片中的主阵列存储单元进行测试，得到发生故障的存储单元的地址信息；根据发生故障的存储单元的地址信息与芯片中的冗余存储单元，对芯片进行修复；其中，冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；第一存储单元与主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址；第二存储单元与主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址。本发明专利技术通过在芯片中增加第二存储单元，增加了一种对芯片进行修复的方式，在GBL修复无法完全对芯片进行修复时，可以进行第二修复，满足了芯片良品率提升，以及性能提升的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，特别是涉及一种芯片修复方法和装置。
技术介绍
随着工艺节点的降低，芯片面积的增大，芯片的容量的显著提升，芯片的良率面临着巨大的挑战。现在的芯片中，有几千到几十亿个Flash存储单元，由于工艺的不一致性，以及其他各种各样的外界因素，将不可避免的导致其中的个别存储单元性能较差甚至无法使用。遇到这种情况，若芯片中没有修复功能，将导致整个芯片无法工作，被当作废片。当加入修复功能后，可以自动利用冗余资源替换出错单元，实现坏点的自动修复，从而将坏点较少的芯片变为可用的正常芯片，从而提闻广品的良率。早期的芯片产品中，工艺节点通常较为落后，而芯片容量不是很大，存储单元个数也相对不多，因此多为采用全局位线(GBL)修复，能够修复的坏点个数和位置均有一定限制，当在局部有多个坏点时，会超过GBL修复的范围，出现局部GBL修复资源不够用，而其他位置GBL修复资源未使用的情况，从而在修复资源未能完全使用的情况下，芯片出现失效无法工作的状态，未能通过GBL修复来提升产品的良率。当工艺节点进一步降低，存储单元的离散性进一步增大，容量增大导致芯片面积增加后，仅用GBL修复已经无本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片修复方法，其特征在于，包括：对芯片中的主阵列存储单元进行测试，得到发生故障的存储单元的地址信息；根据所述发生故障的存储单元的地址信息与所述芯片中的冗余存储单元，对所述芯片进行修复；其中，所述冗余存储单元包括第一存储单元和第二存储单元；所述第一存储单元与所述主阵列存储单元共用阱、位线和高位地址；所述第二存储单元与所述主阵列存储单元不共用阱、位线和高位地址。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张君宇，苏志强，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11