一种芯片修复方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种芯片修复方法和装置，以解决芯片的ECC区域无法修复，导致芯片最终读取出的数据出现错误，以及芯片资源利用率低的问题。所述方法包括：分别获取主阵列中的发生故障的存储单元的第一地址信息和存储有错误编码纠正冗余位的发生故障的存储单元的第二地址信息；将第一地址信息和第二地址信息分别映射到冗余资源的地址信息，对芯片进行修复。本发明专利技术可以同时对主阵列和ECC区域进行修复，提高了芯片的可靠性，进而提高了产品良率。并且将第二地址信息映射到冗余资源的地址信息，充分利用了冗余资源，提高了芯片资源的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，特别是涉及一种芯片修复方法和装置。
技术介绍
随着工艺节点的降低，芯片面积的增大，芯片的容量的显著提升，芯片的良率面临着巨大的挑战。现在的芯片中，有几千到几十亿个Flash存储单元，由于工艺的不一致性，以及其他各种各样的外界因素，将不可避免的导致其中的个别存储单元性能较差甚至无法使用。遇到这种情况，若芯片中没有修复功能，将导致整个芯片无法工作，被当作废片。当加入修复功能后，可以自动利用冗余资源替换出错单元，实现坏点的自动修复，从而将坏点较少的芯片变为可用的正常芯片，从而提闻广品的良率。在多值存储(Mult1-Level Cell, MLC)的芯片中，通常需要在冗余(Redundancy)修复之外加入错误编码纠正(Error Correcting Code, ECC),从而提高芯片读取数据的可靠性。但是由于MLC的芯片本身的易错性，用于存储ECC冗余位的ECC区域与存储数据的主阵列有着相同的出错几率，因此需要对ECC区域也能够进行Redundancy修复。芯片存储阵列的组成一般如图1所示，由主阵列，冗余资源和ECC区域组成。在传统的芯片修复过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片修复方法，其特征在于，所述芯片包括主阵列、错误编码纠正区域和冗余资源，所述方法包括：分别获取所述主阵列中的发生故障的存储单元的第一地址信息和存储有错误编码纠正冗余位的发生故障的存储单元的第二地址信息；将所述第一地址信息和所述第二地址信息分别映射到所述冗余资源的地址信息，对所述芯片进行修复。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张君宇，苏志强，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11