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一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法技术

技术编号:13046368 阅读:84 留言:0更新日期:2016-03-23 14:15
本发明专利技术涉及一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,该方法将高氧化掺杂态的PEDOT-Tos-PPP薄膜置入具有还原性的卤化试剂中进行后处理,除去薄膜中的绝缘相PPP和掺杂离子Tos,并以卤化离子作为新的掺杂离子进入PEDOT链结构中,洗涤烘干后,得到高热电性能的聚合物薄膜。与现有技术相比,本发明专利技术具有热电性能优异、制备工艺简单易行等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机热电材料领域,尤其是涉及一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法
技术介绍
随着世界人口的高速增长,全球工业化步伐的不断加快,人类对能源的需求量也随之不断增加。不断增长的能源消耗使得传统化石能源正面临枯竭,同时传统化石燃料的燃烧所引起的全球变暖、温室效应、酸雨等对世界环境、人类健康和全球经济的影响也愈发严重。因此,世界各国都纷纷投入对新能源和清洁能源的开发中。热电材料和太阳能、风能、水能等能源的应用一样,对环境没有污染。热电材料是一种利用固体内部载流子运动,实现热能和电能直接相互转换的功能材料。并且利用热电材料制作的发电或制冷装置性能可靠、结构紧凑、工作时无噪声、无移动部件、使用寿命长,是一类具有广泛应用前景的环境友好材料。热电转换效率由热电优值(ZT=α2σT/κ,其中α、σ及κ分别为材料的Seebeck系数、电导率和热导率,T为绝对温度)决定。因此,高的转换效率要求高的α和σ,以及低的κ。但由于这三个参量相互依赖,如提高σ会降低α同时提高κ,ZT值很难本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征在于,该方法将高氧化掺杂态的PEDOT‑Tos‑PPP薄膜置入具有还原性的卤化试剂中进行后处理,除去薄膜中的绝缘相PPP和掺杂离子Tos,并以卤化离子作为新的掺杂离子进入PEDOT链结构中,洗涤烘干后,得到高热电性能的聚合物薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征在于,该方法将高氧化
掺杂态的PEDOT-Tos-PPP薄膜置入具有还原性的卤化试剂中进行后处理,除去薄
膜中的绝缘相PPP和掺杂离子Tos,并以卤化离子作为新的掺杂离子进入PEDOT
链结构中,洗涤烘干后,得到高热电性能的聚合物薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征
在于,所述的卤化试剂为氢碘酸溶液或氢溴酸溶液。
3.根据权利要求2所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征
在于,所述的卤化试剂为氢碘酸溶液,其中氢碘酸与水的质量比为1:(0.5~100)。
4.根据权利要求3所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征
在于,PEDOT-Tos-PPP薄膜在氢碘酸溶液中的后处理过程在避光条件下进行,处
理时间为1min~2h,处理温度为0~60℃。
5.根据权利要求1所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征
在于,洗涤的工艺条件为:将后处理完成后的薄膜依次浸泡在去离子水中和无水乙
醇中清洗;
干燥工艺条件为:干燥温度为80~160℃,时间为1~10h。
6.根据权利要求1所述的一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法,其特征
在于,所述的PEDOT-Tos-PPP薄膜的厚度为10nm~3μm,其通过以下步骤制备而
成:
(1)将氧化剂、三嵌段共聚物PPP加入到醇溶剂中...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡克峰王娇宋海军
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:上海;31

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