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本发明涉及一种高热电性能的聚合物薄膜的制备方法，该方法将高氧化掺杂态的PEDOT-Tos-PPP薄膜置入具有还原性的卤化试剂中进行后处理，除去薄膜中的绝缘相PPP和掺杂离子Tos，并以卤化离子作为新的掺杂离子进入PEDOT链结构中，洗涤烘干...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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