【技术实现步骤摘要】
本技术具体涉及一种瞬变电压抑制二极管器件,属于微电子半导体器件
技术介绍
本技术所述双向瞬变电压抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10-12秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。现有的双向瞬变电压抑制二极管是由两只瞬变电压抑制二极管(TVS)进行反向串联构成,这样可以利用电容串联变小特性以减少了TVS结电容目的。但是,已有技术的双向瞬变电压抑制二极管的结电容还是很大,而因此影响其响应速度,干扰也大。
技术实现思路
本技术的目的是:提供一种能够有效降低结电容,提高响应速度,干扰小的瞬变电压抑制二极管器件,以克服现有技术的不足。为了达到上述目的,本技术的技术方案:一种瞬变电压抑制二极管器件,包括第一双向瞬变电压抑制二极管、第二双向瞬变电压抑制二极管、第一引线、第二引线和塑封体;所述第一引线和第二引线各自分别有与其互为一体的第一贴片基岛和第二贴片基岛,所述第一双向瞬变电压抑制二极管装在第一贴片基岛上,第二双向瞬变电压抑制二极管装在第二贴片基岛上;所述第一双向瞬变电压抑制二极管、第二双向瞬变电压抑制二极管、第一贴片基岛和第二贴片基岛均封装在塑封体内;其创新点在于:所述第一贴片基岛上还装有第一开关 ...
【技术保护点】
一种瞬变电压抑制二极管器件,包括第一双向瞬变电压抑制二极管(1)、第二双向瞬变电压抑制二极管(2)、第一引线(3)、第二引线(4)和塑封体(5);所述第一引线(3)和第二引线(4)各自分别有与其互为一体的第一贴片基岛(3‑1)和第二贴片基岛(4‑1),所述第一双向瞬变电压抑制二极管(1)装在第一贴片基岛(3‑1)上,第二双向瞬变电压抑制二极管(2)装在第二贴片基岛(4‑1)上;所述第一双向瞬变电压抑制二极管(1)、第二双向瞬变电压抑制二极管(2)、第一贴片基岛(3‑1)和第二贴片基岛(4‑1)均封装在塑封体(5)内;其特征在于:所述第一贴片基岛(3‑1)上还装有第一开关二极管(6),且第一开关二极管(6)的正极通过焊线与第二双向瞬变电压抑制二极管(2)电连接;所述第二贴片基岛(4‑1)上还装有第二开关二极管(7),且第二开关二极管(7)的正极通过焊线与第一双向瞬变电压抑制二极管(1)电连接;所述第一开关二极管(6)和第二开关二极管(7)均封装在塑封体(5)内。
【技术特征摘要】
1.一种瞬变电压抑制二极管器件,包括第一双向瞬变电压抑制二极管(1)、第二双向瞬变电压抑制二极管(2)、第一引线(3)、第二引线(4)和塑封体(5);所述第一引线(3)和第二引线(4)各自分别有与其互为一体的第一贴片基岛(3-1)和第二贴片基岛(4-1),所述第一双向瞬变电压抑制二极管(1)装在第一贴片基岛(3-1)上,第二双向瞬变电压抑制二极管(2)装在第二贴片基岛(4-1)上;所述第一双向瞬变电压抑制二极管(1)、第二双向瞬变电压抑制二极管(2)、第一贴片基岛(3-1)和第二贴片基岛(4-1)均封装在塑封体(5)内;其特征在于:
所述第一贴片基岛(3-1)上还装有第一开关二极管(6),且第一开关二极管(6)的正极通过焊线与第二双向瞬变电压抑制二极管(2)电连接;
所述第二贴片基岛(4-1)上还装有第二开关二极管(7),且第二开关二极管(7)的正极通过焊线与第一双向瞬变电压抑制二极管(1)电连接;
所述第一开关二极管(6)和第二开关二极管(7)...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭玉兵,
申请(专利权)人:常州银河世纪微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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