基于光致变色化合物的双向异性有机二极管电存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了基于光致变色化合物的双向异性的有机二极管电存储器，属于有机半导体电子器件领域。该器件是将一种光致变色化合物蒸镀在ITO的底电极上，光致变色化合物在不同波长的光照条件下能够发生可逆环合反应，并改变化合物的物理性质，从而改变其器件的存储特性。在紫外线或可见光等不同波长的光照射下，有机二极管的存储性质表现为不同的存储类型，其存储性质可以可逆的转换。本发明专利技术还公开了基于光致变色化合物的双向异性的有机二极管电存储器的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
基于光致变色化合物的双向异性有机二极管电存储器功能化的操作方法
本专利技术涉及基于光致变色化合物的双向异性有机二极管电存储器，属于有机半导体电子器件领域。
技术介绍
在后信息时代，海量、超快、移动、廉价成为存储技术发展的趋势与挑战。传统的存储器是基于无机半导体材料而实现的，虽然具有读写速度快、使用寿命长等特点，但是存在着尺寸效应、制备工艺复杂和制造成本高等问题。近来年，有机二极管电存储器因其制备工艺简单，制备成本低，可大面积生产，可柔性，高灵敏度等独特的优势。最重要的是有机材料的分子尺寸在1-100μm，因此基于有机分子的存储器有望获得纳米尺寸的存储单元，提高存储密度。有机存储器作为下一代新型数据存储器逐渐成了众多研究热点之一。有机二极管电存储器按其电学特性可以分为非易失性存储和易失性存储两大类。有机非易失性存储中主要包含闪存(Flash)即可重复擦写型(Rewritable)和一次写入(WORM)存储两类。作为非易失性存储，一次写入多次读取的存储功能可以保证其存储的数据不会因为各种意外而丢失或被修改。非易失性存储则不会因为断电而丢失已存数据而易失性存储在断电后已存储的数据就会因断电本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于光致变色化合物的双向异性有机二极管电存储器，包括：金属顶电极，有机半导体层，氧化铟锡底电极，其特征在于有机半导体层采用的是一种光致变色化合物，在不同波长的光照射下，有机二极管的存储性质表现为不同的存储类型，其存储性质可以可逆的转换。

【技术特征摘要】
1.一种基于光致变色化合物的双向异性有机二极管电存储器功能化的操作方法，包括：有机二极管电存储器的制备，步骤如下：步骤1：氧化铟锡电极的清洗过程：丙酮擦拭基片；依次使用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗电极15分钟；再用氮气吹去电极片表面的液体，吹干；步骤2：将洗好的氧化铟锡电极放入真空烘箱中使用80℃烘烤2小时以去除残留溶剂和水分，之后再将基片移至紫外-臭氧清洗机中照射处理15至30分钟；步骤3：在真空环境下，将光致变色化合物蒸镀到氧化铟锡上，控制光致变色材料的蒸发速率，调节至1Hz/s，开始蒸镀，共800Hz；步骤4：在真空环境下，在光致变色材料的薄膜上，继续蒸镀上铝丝，控制铝的蒸发速率调节至2-3Hz/s，开始蒸镀，蒸镀到300...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱妍，黄维，徐秀霞，李文文，解令海，仪明东，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32