一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器制造技术

本发明专利技术涉及陶瓷介质材料及所得元器件技术领域，它具体公开了一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器。压敏陶瓷粉体,将稀土氧化物掺入ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系混合而成，所述的稀土氧化物是Y2O3、Dy2O3、Ho2O3、La2O3中的至少一种，加入氧化物的重量占ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(1～3)％；用压敏陶瓷粉体制作电敏电阻器时，实现压敏电压V1mA高达1000V的陶瓷压敏电阻器多层片式化，可替代相应的圆片高压压敏电阻器；用低钯含量的银钯合金电极为内电极，实现产品制造低成本化，可广泛应用于有低成本要求的民用电子产品中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压敏陶瓷粉体，尤其涉及一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器。
技术介绍
圆片陶瓷高压压敏电阻体积大，不适合表面贴装（SMT)，不能满足模块轻小型化 和生产装配高效率自动化的要求。多层片式陶瓷压敏电阻器目前主流是65V以下的低压 产品，更高电压的产品需要新的技术支持。传统多层片式陶瓷压敏电阻器多使用Pd30% / Ag70 %内电极浆料，成本较高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供了一种抗还原钛酸钡陶瓷介质材料及所得的高压 片式多层陶瓷介质电容器。 为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案是：一种压敏陶瓷粉体，将稀土氧 化物掺入ZnO-B"0 3压敏陶瓷体系混合而成，所述的稀土氧化物是Y 203、Dy2O3、Ho2O 3、La2O3等 中的至少一种，加入氧化物的重量占 ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的（1~3) % ;ZnO重量 占 ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的（85~90) %。 本专利技术还提供了由上述压敏陶瓷粉体制得的片式多层陶瓷电容器。它由瓷浆制 备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割成生胚、排本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压敏陶瓷粉体,将稀土氧化物掺入ZnO‑Bi2O3压敏陶瓷体系混合而成，其特征在于：所述的稀土氧化物是Y2O3、Dy2O3、Ho2O3、La2O3中的至少一种，加入稀土氧化物的重量占ZnO‑Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(1～3)％；ZnO重量占ZnO‑Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(85～90)％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邝国威，罗万先，
申请(专利权)人：广州创天电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44