System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器及制备方法技术_技高网

一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器及制备方法技术

技术编号:41009867 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-18 21:45
本发明专利技术涉及多层陶瓷电容器技术领域,具体涉及一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器及制备方法。该制备方法包括步骤:S100:将陶瓷粉、溶剂、分散剂、增塑剂、硅基消泡剂在球磨装置中球磨,得到浆料;其中,球磨装置中的锆球包括大锆球和小锆球,大锆球直径为5.5±0.5mm,小锆球直径为3.5±0.5mm,大锆球和小锆球的比例为2:7~1:3。S200:将浆料依次经流延、丝印、叠层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端、电镀工艺后得到具有铜内电极的多层陶瓷电容器;其中,铜电极通过丝网印刷丝印在各层陶瓷层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多层陶瓷电容器,特别是一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器及制备方法


技术介绍

1、现用的hq-mlcc(片式多层陶瓷电容器)产品的内电极多为钯、银或银钯。其中,以钯作为内电极制备多层陶瓷电容器(mlcc),钯属于贵金属,其决定了产品生产的高昂成本;用纯银作为内电极制备多层陶瓷电容器会有可靠性风险;而银钯合金作为内电极制备多层陶瓷电容器,银钯内电极esr(等效串联电阻,equivalent series resistance)降低幅度有限。

2、而采用纯铜作为内电极制备多层陶瓷电容器则可以同时达到低成本、高可靠性和低esr的目的。但采用纯铜作为内电极制备多层陶瓷电容器存在烧结成瓷困难,颜色发白的现象。


技术实现思路

1、本专利技术实施例要解决的技术问题在于,提供一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器及制备方法,以解决现有技术中采用纯铜作为内电极制备多层陶瓷电容器存在烧结成瓷困难,颜色发白的现象的问题。

2、本专利技术公开了一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器制备方法,包括步骤:

3、将陶瓷粉、溶剂、分散剂、增塑剂、硅基消泡剂在球磨装置中球磨,得到浆料;其中,球磨装置中的锆球包括大锆球和小锆球,大锆球直径为5.5±0.5mm,小锆球直径为3.5±0.5mm,大锆球和小锆球的比例为2:7~1:3;

4、将浆料依次经流延、丝印、叠层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端、电镀工艺后得到具有铜内电极的多层陶瓷电容器;其中,铜电极通过丝网印刷丝印在各层陶瓷层之间。

5、可选地,在排胶步骤中:在纯氮气气氛中进行排胶。

6、可选地,在排胶步骤中:排胶温度为360~400℃,保温10±1小时。

7、可选地,其特征在于,在烧结步骤中:对烧结空间抽真空,然后通入氮气和氢气;其中,氮气和氢气的流量比为100:0.6~100:1.2。

8、可选地,在排胶和烧结步骤中:采用镀锆镍网作为承烧板。

9、可选地,在排胶和烧结步骤中:在多层陶瓷电容器的半成品周围放置一圈材料成分相同但无铜电极的无电极共烧样品。

10、可选地,流延工艺参数为膜厚30~40μm,带速3000~3500mm/min,温区一温度80~95℃,温区二温度110~115℃,温区三温度120~135℃。

11、可选地,丝印、叠层工艺参数为软压温度70~80℃,软压压力12~15mpa,保压时间15~18s,烘干炉温区一温度65~70℃,烘干炉温区二温度65~70℃,烘干炉温区三温度70~75℃,烘干炉带速600~650mm/min。

12、可选地,层压工艺中层压压力为50~60mpa,保压20~30min;

13、在切割工艺中:将多层陶瓷电容器的半成品固定在感温胶上在55~60℃的载台上切割。

14、本专利技术还公开了一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器,采用上述的制备方法制备,其特征在于,包括多层陶瓷层以及设置于陶瓷层之间的铜内电极。

15、与现有技术相比,本专利技术实施例提供的2222的有益效果在于:本专利技术铜内电极多层陶瓷电容器的制备方法中,通过在原材料(陶瓷粉、溶剂、分散剂、增塑剂、硅基消泡剂)前处理过程中的球磨步骤中采用大锆球和小锆球两种直径的锆球,将球磨装置中的锆球从原来的使用单一大直径锆球改为大小锆球配合的方式,并且其中大锆球的直径为5.5mm,小锆球的直径为3.5mm,大锆球和小锆球的比例为2:7~1:3,提高浆料的分散性,使用大小锆球配合方式球磨得到的浆料粒径更细更均匀。从下表1中可知使用大小锆球配合方式球磨的产品因更细更均匀,比单一大直径锆球球磨的产品更容易烧结成瓷,减少颜色发白现象。

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【技术保护点】

1.一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶步骤中:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶步骤中:

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,在所述烧结步骤中:

5.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶和烧结步骤中:

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶和烧结步骤中:

7.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述流延工艺参数为膜厚30~40μm,带速3000~3500mm/min,温区一温度80~95℃,温区二温度110~115℃,温区三温度120~135℃。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述丝印、叠层工艺参数为软压温度70~80℃,软压压力12~15MPa,保压时间15~18S,烘干炉温区一温度65~70℃,烘干炉温区二温度65~70℃,烘干炉温区三温度70~75℃,烘干炉带速600~650mm/min

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述层压工艺中层压压力为50~60MPa,保压20~30min;

10.一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器,采用如权利要求1至9任一项所述的制备方法制备,其特征在于,包括多层陶瓷层以及设置于所述陶瓷层之间的铜内电极。

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【技术特征摘要】

1.一种具有铜内电极的多层陶瓷电容器制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶步骤中:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶步骤中:

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,在所述烧结步骤中:

5.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶和烧结步骤中:

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述排胶和烧结步骤中:

7.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法,其特征在于,所述流延工艺参数为膜厚30~40μm,带速3000~3500mm/min,温区一温...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁嘉宝梁树坚曹金南罗永杰王经纬魏静张无忌谢伟灿黄世先吴浩
申请(专利权)人:广州创天电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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