一种压敏陶瓷电阻制造技术

本发明专利技术涉及一种压敏陶瓷电阻，特别是一种采用传统陶瓷工艺即在800℃烧结的压敏陶瓷电阻，属于电子元件领域。本发明专利技术通过同时掺杂0.25%~2.0%摩尔氧化钒和0.2%~0.7%摩尔氧化钛来确保其低温烧结特性，在此基础上继续通过添加碳酸锰或氧化锰、氧化钴氧化铌及氧化铋等来确保其优异压敏特性的压敏电阻。采用传统氧化物陶瓷工艺制备时，其陶瓷体可在800℃左右烧结，最高的非线性系数最高可达40以上，其漏电流为0.3mA/cm2左右，压敏电压为300~2000V/mm。本发明专利技术无需添加稀土氧化物，制备工艺简单，性能优良，是低成本压敏电阻及片式压敏电阻的优良候选材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种压敏陶瓷电阻，特别是一种采用传统陶瓷工艺即在800℃烧结的压敏陶瓷电阻，属于电子元件领域。本专利技术通过同时掺杂0.25%~2.0%摩尔氧化钒和0.2%~0.7%摩尔氧化钛来确保其低温烧结特性，在此基础上继续通过添加碳酸锰或氧化锰、氧化钴氧化铌及氧化铋等来确保其优异压敏特性的压敏电阻。采用传统氧化物陶瓷工艺制备时，其陶瓷体可在800℃左右烧结，最高的非线性系数最高可达40以上，其漏电流为0.3mA/cm2左右，压敏电压为300~2000V/mm。本专利技术无需添加稀土氧化物，制备工艺简单，性能优良，是低成本压敏电阻及片式压敏电阻的优良候选材料。【专利说明】—种压敏陶瓷电阻
本专利技术涉及一种压敏陶瓷电阻，特别是一种采用传统陶瓷工艺即在800°C烧结的压敏陶瓷电阻，属于电子元件领域。技术背景压敏电阻是其自身电阻随外加电压增加呈典型非线性变化的电阻:当外加电压小于其转换电压(即所谓压敏电压)时，其电阻极大；当外加电压超过转换电压时，其内电阻会在极短的时间内变小，使其自身接近于导通状态。将这样的电阻以并联方式与被保护电路相连接时，一旦电路中出现电压过载，即电路中出现的浪涌电压大于压敏电压时，压敏电阻就可以将过载迅速旁路，从而避免过载对电路的损害。因此，压敏电阻已经广泛应用于各类家用电器、输变电线路、汽车、避雷器等领域，防止各类电压过载的损害，从而成为人类现代社会生活必不可少的安全保障。在外场作用下，压敏电阻的上述非线性电学特性可由非线性系数由α来表示。α可根据下式计算:【权利要求】1.一种压敏陶瓷电阻，其特征在于:按摩尔百分比计量时，其陶瓷原料包括:.0.25%~2.0%摩尔氧化钒、0.2%~Ο.7%摩尔氧化钛；同时添加0.1%~?.0%摩尔氧化钴(Co203)、.0.1%~2.0%碳酸锰或氧化锰，其余为氧化锌；采用传统混合氧化物法制备时，在75(T850°C温度范围内经广8小时烧结。2.如权利要求1所示的一种压敏陶瓷电阻，其特征在于，所述陶瓷原料还包含.0.ΟΟ1~Ο.2mol% 的 Bi203。3.如权利要求1所示的一种压敏陶瓷电阻，其特征在于，所述陶瓷原料还包含.0.ΟΟ1~Ο.2mol% 的 Nb205。4.如权利要求1所示的一种压敏陶瓷电阻，其特征在于，所述原料还添加.0.001%~0.25%Nb205 及 0.ΟΟ1~Ο.2mol% 的 Bi203。【文档编号】C04B35/453GK103964837SQ201410180114【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2014年4月30日 【专利技术者】赵鸣, 李海松, 李保卫, 任慧平, 石钰 申请人:内蒙古科技大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压敏陶瓷电阻，其特征在于：按摩尔百分比计量时，其陶瓷原料包括：0.25%~2.0%摩尔氧化钒、0.2%~0.7%摩尔氧化钛；同时添加0.1%~1.0%摩尔氧化钴（Co2O3）、0.1%~2.0%碳酸锰或氧化锰，其余为氧化锌；采用传统混合氧化物法制备时，在750~850℃温度范围内经1~8小时烧结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鸣，李海松，李保卫，任慧平，石钰，
申请(专利权)人：内蒙古科技大学，
类型：发明
国别省市：内蒙古;15