半导体器件和包括半导体器件的半导体系统技术方案

半导体存储器件包括功率控制信号发生器和感测放大器电路。功率控制信号发生器适于响应于温度锁存信号来产生被使能的第一功率控制信号，所述温度锁存信号在预定模式下响应于对温度信号进行锁存来产生。感测放大器电路响应于第一功率控制信号来产生具有第一驱动电压的第一功率信号。另外，感测放大器电路利用第一功率信号作为电源电压来感测和放大位线的电压电平。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体器件和包括半导体器件的半导体系统相关申请的交叉引用本申请要求2014年6月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0080468的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过弓|用合并于此。
实施例涉及半导体器件和包括半导体器件的半导体系统。
技术介绍
诸如像动态随机存取存储(DRAM)器件之类的半导体存储器件典型地包括多个存储单元、多个字线和多个位线。DRAM存储单元中的每个配置成包括单个单元晶体管和单个单元电容器。多个DRAM存储单元中的每个可以设置在相关联的字线和位线的结合点处。当DRAM器件在读模式下操作时，字线可以选择性地使能以传递储存在DRAM单元的单元电容器中的电荷，DRAM单元电气耦接至选中的字线和相关联的位线上。
技术实现思路
半导体器件的一个实施例包括功率控制信号发生器和感测放大器电路。功率控制信号发生器适于响应于温度锁存信号来产生被使能的第一功率控制信号，所述温度锁存信号在预定模式下响应于对温度信号进行锁存来产生。感测放大器电路响应于第一功率控制信号来产生具有第一驱动电压的第一功率信号。感测放大器电路利用第一功率信号作为电源电压来感测和放大位线的电压电平。半导体器件的一个实施例包括:模式信号发生器，其适于在预定模式下响应于命令信号和地址信号来产生使能的模式信号；温度信号发生器，其适于响应于模式信号来基于温度码信号产生温度信号；功率控制信号发生器，其适于响应于温度信号来产生第一功率控制信号；以及感测放大器电路，其适于响应于第一功率控制信号来产生具有第一驱动电压的第一功率信号，并且适于利用第一功率信号作为电源电压来感测和放大位线的电压电平。半导体系统的一个实施例包括控制器和半导体器件。控制器产生命令信号、地址信号和温度信号。半导体器件响应于命令信号和地址信号来产生模式信号，响应于模式信号和温度信号来产生第一功率控制信号，以及基于利用第一功率控制信号作为电源电压来利用具有第一驱动电压的第一功率信号感测和放大位线的电压电平。【附图说明】图1是表半导体系统的一个实施例的框图；图2是表示包括在图1的半导体系统中的模式信号发生器的一个实施例的框图；图3是表示包括在图1的模式信号发生器中的信号合成器的一个实施例的框图；图4是表示包括在图1的半导体系统中的温度信号锁存单元的一个实施例的电路图；图5是表示包括在图1的半导体系统中的感测放大器电路的一个实施例的框图；图6和图7是图示图1中示出的半导体系统的一个实施例的操作的时序图；图8是表半导体系统的一个实施例的框图；图9是表7K半导体系统的一个实施例的框图；以及图10是表半导体系统的一个实施例的框图。【具体实施方式】将参照附图描述各种实施例。本文中所描述的实施例出于说明性的目的。如图1中所示，半导体系统的一个实施例可以包括控制器1和半导体器件2。半导体器件2可以包括:模式信号发生器21、温度信号发生器22、温度信号锁存单元23、功率控制信号发生器24和感测放大器(S/A)电路25。控制器1可以产生命令信号CMD和地址信号ADD，并且可以把命令信号CMD和地址信号ADD传送至半导体器件2。在一个实施例中，命令信号CMD和地址信号ADD可以经由公共传输线(未示出)或经由公共信号传输线和地址信号传输线(未示出)分别传送至半导体器件2。模式信号发生器21可以接收命令信号CMD和地址信号ADD以作为输入，并且在响应中输出模式信号IDLE。模式信号IDLE可以是当激活操作未被应用到半导体器件2中的所有存储体(未示出)时被使能的信号。在一个实施例中，使能的模式信号IDLE的逻辑电平可以设定成具有逻辑“高”电平。在一个实施例中，使能的模式信号IDLE的逻辑电平可以设定成具有逻辑“低”电平。在一个实施例中，模式信号IDLE可以被使能成掉电模式以降低功耗，或者被使能成半导体器件2的各种其它操作模式。温度信号发生器22可以基于半导体器件2的内部温度产生具有逻辑电平的温度信号TS。温度信号TS可以在预定温度下从一个逻辑电平改变至另一逻辑电平。例如，当半导体器件2的内部温度大于大约45摄氏度时温度信号TS可以具有逻辑“高”电平，而当内部温度信号低于大约45摄氏度时温度信号TS可以具有逻辑“低”电平。温度信号锁存单兀23可以响应于模式信号IDLE和温度信号TS来产生温度锁存信号TS_LAT。温度信号锁存单元23可以缓冲温度信号TS以在模式信号IDLE使能时产生温度锁存信号TS_LAT，以及可以在模式信号IDLE禁止时锁存温度锁存信号TS_LAT。功率控制信号发生器24可以根据温度锁存信号TS_LAT产生第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN。功率控制信号发生器24可以根据温度锁存信号TS_LAT产生使能的第三功率控制信号SAP3。更具体地，功率控制信号发生器24可以在温度锁存信号TS_LAT具有逻辑“高”电平时在预定时段内产生使能的第三功率控制信号SAP3。温度锁存信号TS_LAT可以在内部温度大于预定温度时具有逻辑“高”电平。功率控制信号发生器24可以在温度锁存信号TS_LAT具有逻辑“低”电平时产生禁止的第三功率控制信号SAP3。温度锁存信号TS_LAT可以在内部温度低于预定温度时具有逻辑“高”电平。在一个实施例中，功率控制信号发生器24可以配置成根据半导体器件2内部温度的变化使第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2和第四功率控制信号SAN中的一个使能。在一个实施例中，功率控制信号发生器24可以配置成根据半导体器件2内部温度的变化使第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN中的至少两个使能。S/A电路25可以响应于第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2、第三功率控制信号SAP3和第四功率控制信号SAN来感测和放大位线(图5中的BL)与互补位线(图5中的BLB)之间的电平差。第一功率控制信号SAP1、第二功率控制信号SAP2和第三功率控制信号SAP3可以控制供应至S/A电路25中的位线S/A(图5中的252)的第一功率信号(图5中的RT0)的电平。第四功率控制信号SAN可以控制供应至S/A电路25中的位线S/A 252的第二功率信号(图5中的SB)的电平。如上所述，供应至感测放大器电路25的第三功率控制信号SAP3在内部温度大于预定温度时可以使能，而在内部温度低于预定温度时可以禁止。参见图2，模式信号发生器21可以包括存储体激活信号发生器211和信号合成器212。存储体激活信号发生器211可以接收命令信号CMD和地址信号ADD以产生第一存储体激活信号至第N存储体激活信号BA〈1:N>。存储体激活信号发生器212可以产生第一存储体激活信号至第N存储体激活信号BA〈1: N>,它们根据命令信号CMD和地址信号ADD的电平组合被选择性地使能。当根据命令信号CMD和地址信号ADD的电平组合使第一存储体激活信号至第八存储体激活信号BA〈1:8>中的第三存储体激活信号BA〈3>使能时，可以选择和存取半导体器件2中的八个存储体(未示出)的第三存储体(未示出)中的存储单元。第一存储体激活本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：功率控制信号发生器，其适于响应于温度锁存信号来产生被使能的第一功率控制信号，所述温度锁存信号在预定模式下响应于对温度信号进行锁存来产生；以及感测放大器电路，其适于响应于所述第一功率控制信号来产生具有第一驱动电压的第一功率信号，以及适于利用所述第一功率信号作为电源电压来感测和放大位线的电压电平。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔永根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR