氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶和半导体器件技术

提供了：包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，该氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，表观密度高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3，并且钨含量与铟、钨和锌的总含量比高于1.2原子％且低于30原子％，且锌与铟、钨和锌的总计的含量比大于1.2原子％且小于30原子％；还提供了一种包括这种氧化物烧结体的溅射靶；和一种包括通过使用该溅射靶，通过溅射法形成的氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种适用为通过溅射法形成氧化物半导体膜的溅射靶的氧化物烧结 体、制造该氧化物烧结体的方法、包括该氧化物烧结体的溅射靶、以及包括用该溅射靶通过 溅射法形成的氧化物半导体膜的半导体器件。
技术介绍
在液晶显示装置、薄膜EL(电致发光）显示装置、有机EL显示装置等中，通常主要 使用非晶硅膜作为充当TFT(薄膜晶体管）的沟道层的半导体膜，其中该TFT是一种半导体 器件。 然而，近年来，由于与非晶硅膜相比的高载流子迀移率的优势，注意力集中于主要 由基于In-Ga-Zn的复合氧化物（下文中也称为IGZ0)构成的氧化物半导体膜作为上述半 导体膜。 例如，日本专利特开No. 2008-199005(PTD1)公开了，通过使用氧化物烧结体作 为靶，用溅射法形成这种主要由IGZ0组成的氧化物半导体膜。 另外，日本专利特开No. 2008-192721(PTD2)公开了，通过使用包括钛或钨和铟 的靶，用溅射法形成沟道层，因此得到具有极佳操作特性的TFT。 另外，作为通过真空气相沉积法，诸如电子束气相沉积法、离子电镀法和高密 度等离子体辅助气相沉积法形成氧化物透明导电膜时适合使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，并且具有高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨与铟、钨和锌的总计的含量比高于1.2原子％且低于30原子％，并且所述氧化物烧结体中的锌与铟、钨和锌的总计的含量比高于1.2原子％且低于30原子％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫永美纪，绵谷研一，曾我部浩一，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP