【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化物烧结体
本专利技术涉及一种氧化物烧结体。
技术介绍
由包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体形成的氧化物半导体膜具有载流子的迁移率比非晶硅膜大的优点。从批量生产性的方面出发，该氧化物半导体膜一般使用包含含有In、Ga及Zn的氧化物烧结体的溅射靶并利用溅射法来形成。作为含有In、Ga及Zn的氧化物烧结体，例如在专利文献1中记载了：维氏硬度为724、相对密度为96％且体电阻值为9.5×10-4Ω·cm的氧化物烧结体；维氏硬度为534、相对密度为96％且体电阻值为1.4×10-3Ω·cm的氧化物烧结体；维氏硬度为480、相对密度为97％且体电阻值为4.2×10-3Ω·cm的氧化物烧结体等。另外，在专利文献2中记载了：抗折强度为117MPa且相对密度为95.9％的InGaZnO4单相的氧化物烧结体；抗折强度为151MPa且相对密度为96.8％的InGaZnO4单相的氧化物烧结体；抗折强度为157MPa且相对密度为96.1％的InGaZnO4单相的氧化物烧结体；抗折强度为206MPa且相对密度为97.2％的InGaZnO4单相的氧化物烧结体等。现有技术文献专利文献专利文献...
【技术保护点】
一种氧化物烧结体，其是包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体，该氧化物烧结体在L＊a＊b＊表色系中的L＊为35以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.31 JP 2014-156035;2014.07.31 JP 2014-156031.一种氧化物烧结体，其是包含In、Ga及Zn的氧化物烧结体，该氧化物烧结体在L＊a＊b＊表色系中的L＊为35以下。2.根据权利要求1所述的氧化物烧结体，其在L＊a＊b＊表色系中的a＊为-0.6以下。3.根据权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其维氏硬度为400以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其抗折强度为90MPa以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体，其相对密度为99.5％以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧化物烧结体，其体电阻值不足1.0×10-3Ω·cm。7.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化物烧结体，其中，单相比例为97.5％以上。8.根据权利要求1～7中任一项所述的氧化物烧结体，其晶体粒径为9μm以下。9...
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