本实用新型专利技术公开了一种晶圆承盘结构，其包括一第二挡墙，第二挡墙设置于晶圆承盘的周缘，藉由将第二挡墙分为交互接邻的第三段及第四段，使第四段的宽度大于第三段的宽度，并将第四段设置于邻近晶圆承盘的转角处，藉此增强第二挡墙于转角附近的厚度，使第二挡墙于搬运的过程中不易因碰撞而破损，以达成提供一种结构稳固的晶圆承盘结构。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子组件的承盘结构，特别是关于一种晶圆承盘结构。
技术介绍
现今社会高科技产业蓬勃发展，晶圆制造产业亦然，晶圆于运送过程中通常是藉由自动化系统运送，晶圆于搬运或者是制造过程中大多是将晶圆容置于一承盘的容槽内，藉由承盘的结构防止晶圆受到外力撞击造成不当损伤，增加隐性的成本。普通晶圆承盘如图1至图3所示，包括一本体10，该本体10具有多个容置槽11，该些容置槽11供以容置晶圆，该本体10的一面的周围具有一第一挡墙12，该本体10的另一面的周围具有一第二挡墙13，该第二挡墙13与该本体10之间形成一容槽14，当多个晶圆承盘于堆迭的状态下，其中一个该本体10的该第一挡墙12是位于另一个该本体10的容槽14内，藉此使各晶圆承盘于堆迭时结构关系更加稳固，以防止倾倒或者承盘间相互滑移的问题，进而降低晶圆受损的风险。由于该第二挡墙13位于该晶圆承盘的周围，因此当使用者于搬运晶圆承盘的过程中，该第二挡墙13时常因碰撞而受损，进而造成结构上的破坏。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种结构稳固的晶圆承盘结构。为解决上述问题，本技术晶圆承盘结构，包括:—本体，该本体由交互接邻的一长边及一短边所构成，各该长边及各该短边接邻处具有一转角，该本体具有多个容置槽，该些容置槽供以容置晶圆，该本体的一面的周围环设有一第一挡墙，该第一挡墙由交互接邻的一第一段及一第二段构成，该第一挡墙的第二段沿着该转角延伸设置，该第一挡墙的周缘具有依续接邻的一第一侧、一第一连接面及一第二侧，该第一段的第一连接面的长度为一第一宽度，该第二段的连接面的长度为一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度；该本体的另一面的周围环设有一第二挡墙，该第二挡墙与该本体之间形成一容槽，该第二挡墙由交互接邻的一第三段及一第四段构成，该第二挡墙的第四段沿着该转角延伸设置，该第二挡墙的周缘具有依续接邻的一第三侧、一第二连接面及一第四侧，该第三段的第二连接面的长度为一第三宽度，该第四段的第二连接面的长度为一第四宽度，该第四宽度大于该第三宽度。藉由前述可知，本技术晶圆承盘结构藉由将该第二挡墙分为交互接邻的一第三段及一第四段，并使该第四段的第二连接面的长度大于该第三段的第二连接面的长度，且将该四段设置于邻近该本体的该转角处，藉此增强该第二挡墙于该转角附近的厚度，使该第二挡墙于搬运的过程中不易因碰撞而破损，以达成提供一种结构稳固的晶圆承盘结构。【附图说明】图1为普通晶圆承盘结构的剖视图。图2为普通晶圆承盘结构的部分俯视图。图3为普通晶圆承盘结构的部分仰视图。图4为本技术晶圆承盘结构改良部分的俯视图。图5为本技术晶圆承盘结构改良部分的仰视图。图6为图4的6-6剖面图。图7为图4的7-7剖面图。图8为本技术晶圆承盘结构的堆迭示意图。附图标记说明本体 10容置槽11第一挡墙12第二挡墙13容槽14本体20容置槽21第一挡墙30第一段30A第二段30B第一侧31第一连接面32第二侧33第二挡墙40第三侧41第二连接面42第四侧43第三段40A第四段40B容槽δΟ转角C长边J短边 K第一宽度LI第二宽度L2第三宽度L3第四宽度L4【具体实施方式】本技术请配合如图4至图8所示，包括:—本体20，该本体20具有多个容置槽21，该些容置槽21供以容置晶圆，该本体20的一面的周围环设有一第一挡墙30，该第一挡墙30由交互接邻的一第一段30A及一第二段30B构成，该第一挡墙30呈现一锥状，该第一挡墙30的周缘具有依续接邻的一第一侧31、一第一连接面32及一第二侧33，该第一段30A的第一连接面32的长度为一第一宽度LI，该第二段30B的连接面32的长度为一第二宽度L2，该第一宽度LI是大于该第二宽度L2。该本体20的另一面的周围环设有一第二挡墙40，该第二挡墙40呈现一锥状，该第二挡墙40与该本体20之间形成一容槽50，该第二挡墙40由交互接邻的一第三段40A及一第四段40B构成，该第二挡墙40的周缘具有依续接邻的一第三侧41、一第二连接面42及一第四侧43，该第三段40A的第二连接面42的长度为一第三宽度L3，该第四段40B的第二连接面43的长度为一第四宽度L4，该第四宽度L4是大于该第三宽度L3。较佳的，该第一宽度LI及该第二宽度L2的比例为9比7，该第三宽度L3及该第四宽度L4的比例为7比9。较佳的，该本体的周缘由交互接邻的一长边J及一短边K所构成，各该长边J及各该短边K接邻处具有一转角C，各该第一挡墙30的第二段30B及该第二挡墙40的第四段40B皆沿着该转角C延伸成形。该第一挡墙30的该第一段30A及该第二段30B于该短边J的长度比为I比3，该第二挡墙40的该第三段40A及该第四段40B于该短边K的长度比为I比3 ;该第一挡墙30的该第一段30A及该第二段30B于该长边J的长度比为3比5，该第二挡墙40的该第三段40A及该第四段40B于该短边K的长度比为3比5。藉由前述可知，本技术晶圆承盘结构藉由将该第二挡墙40分为交互接邻的一第三段40A及一第四段40B，使该第四段40B的第二连接面42的长度大于该第三段40A的第二连接面42的长度，并将该四段40B设置于邻近该本体20的该转角C处，藉此增强该第二挡墙40于该转角C附近的厚度，使该第二挡墙40于搬运的过程中不易因碰撞而破损，以达成提供一种结构稳固的晶圆承盘结构。综上所述，上述实施例及图式仅为本技术之较佳实施例而已，当不能以之限定本技术实施范围，即大凡依本技术申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本技术涵盖的范围内。【主权项】1.一种晶圆承盘结构，其特征在于:包括: 一本体，该本体由交互接邻的一长边及一短边所构成，各该长边及各该短边接邻处具有一转角，该本体具有多个容置槽，该些容置槽供以容置晶圆，该本体的一面的周围环设有一第一挡墙，该第一挡墙由交互接邻的一第一段及一第二段构成，该第一挡墙的第二段沿着该转角延伸设置，该第一挡墙的周缘具有依续接邻的一第一侧、一第一连接面及一第二侦U，该第一段的第一连接面的长度为一第一宽度，该第二段的连接面的长度为一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度； 该本体的另一面的周围环设有一第二挡墙，该第二挡墙与该本体之间形成一容槽，该第二挡墙由交互接邻的一第三段及一第四段构成，该第二挡墙的第四段沿着该转角延伸设置，该第二挡墙的周缘具有依续接邻的一第三侧、一第二连接面及一第四侧，该第三段的第二连接面的长度为一第三宽度，该第四段的第二连接面的长度为一第四宽度，该第四宽度大于该第三宽度。2.如权利要求1所述的晶圆承盘结构，其特征在于:所述第一宽度及该第二宽度的比例为9比7，该第三宽度及该第四宽度的比例为7比9。3.如权利要求1所述的晶圆承盘结构，其特征在于:所述第一挡墙的该第一段及该第二段于该短边的长度比为I比3，该第二挡墙的该第三段及该第四段于该短边的长度比为I比3 ;该第一挡墙的该第一段及该第二段于该长边的长度比为3比5，该第二挡墙的该第三段及该第四段于该短边的长度比为3比5。【专利摘要】本技术公开了一种晶圆承盘结构，其包括一第二挡墙，第二挡墙设置于晶圆承盘的周缘，藉由将第二挡墙分为交互接邻的第三段及第四段，使第四段的宽度大本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶圆承盘结构，其特征在于：包括：一本体，该本体由交互接邻的一长边及一短边所构成，各该长边及各该短边接邻处具有一转角，该本体具有多个容置槽，该些容置槽供以容置晶圆，该本体的一面的周围环设有一第一挡墙，该第一挡墙由交互接邻的一第一段及一第二段构成，该第一挡墙的第二段沿着该转角延伸设置，该第一挡墙的周缘具有依续接邻的一第一侧、一第一连接面及一第二侧，该第一段的第一连接面的长度为一第一宽度，该第二段的连接面的长度为一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度；该本体的另一面的周围环设有一第二挡墙，该第二挡墙与该本体之间形成一容槽，该第二挡墙由交互接邻的一第三段及一第四段构成，该第二挡墙的第四段沿着该转角延伸设置，该第二挡墙的周缘具有依续接邻的一第三侧、一第二连接面及一第四侧，该第三段的第二连接面的长度为一第三宽度，该第四段的第二连接面的长度为一第四宽度，该第四宽度大于该第三宽度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗郁南，
申请(专利权)人：晨州塑胶工业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71
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