夹持与解除夹持基板的技术制造技术

揭露从平台夹持与解除夹持晶圆的方法。平台包括一个或多个电极，将一个或多个电极电压偏置以静电地夹持晶圆至平台。将电极偏压至可进行晶圆处理的第一电压。此后，一个或多个电压接续地施加至电极。在一些实施例中，每一个后续的电压小于先前的施加电压。在其他实施例中，一个或多个后续的电压可大于先前的施加电压。这种电压序列可减少晶圆在移除的过程中贴附或附着至平台的可能性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从平台夹持与解除夹持晶圆的方法相关申请案本申请主张2013年2月28日申请的美国暂时申请序号61/770642申请案的优先权，其揭露的内容在此将全部纳入作为参考。
本揭露是关于静电夹，特别是关于从静电夹上夹持与解除夹持目标物的方法。
技术介绍
离子植入制程是用来制造电子或是光学装置，它是一种通过将掺质或是杂质导入目标物以改变目标物的机械、电性以和/或光学性质的制程。在集成电路(integratedcircuit，IC)装置的制造上，前述的目标物可为硅或是其他半导体晶圆，或是具有一个或多个特征或是膜层在其上的半导体晶圆。大致而言，掺质或是杂质可具有一个或多个与目标物不相同的性质。一旦掺质或杂质被植入目标物的某一区域，掺质或杂质可改变该区域的性质。在离子植入的过程中，目标物或是晶圆102可以平台112作支撑。如图1所示，平台112可包括一个或多个电性连接至供应电源116的电极114。在一些实施例中，配置多个同心电极114，其中一个电极可为内电极114a，而另一个电极可为外电极114b。在其他实施例中，配置多个电极在与平台112相对的侧边。为了静电地夹持晶圆102于平台112上，可施加偏压至电极114。在一些实施例中，可施加相反的电压至不同的电极。举例而言，可以正电压施加至其中一个电极114，而负电压施加至另一个电极114。夹持电压的大小可为相同或是不同。请参考图2，图2显示由供应电源116提供夹持电压给一个或多个在平台112中的电极114的时序。在晶圆102被装载至平台112上之后，夹持电压(V1)在时间点T1被施加至电极114，并且晶圆102被静电地夹持于平台112上。虽未示出于图式中，本领域的技术人员将辨识出是否配置两个或多个电极，其中一个电极将被施加正电压V1，另一个电极将被施加负电压V1。在离子植入的过程中，可维持施加至电极114的电压，并且晶圆102仍然夹持在平台112上。在离子植入完成之后(例如是在时间点T2)，不再施加夹持电压V-1至电极114，并且从平台112上移除晶圆102。在一些实施例中，晶圆102移除的过程可包括从平台112上以升降销(未示出)举起并分离晶圆102，并且从平台112上移除晶圆102。如本领域已知的，施加至电极114的电压与直接施加至晶圆102以用来处理晶圆102的电压不同。举例而言，在一些处理过程中，施加负电压至晶圆102以吸引带正电离子。为了夹持晶圆102，施加电压至平台112中的电极114以静电地夹持晶圆102至平台112上。如亦为本领域已知的，介电层被配置在电极114与晶圆102之间，以使电极114与晶圆102电性绝缘。被导引并植入晶圆102的离子10可为正带电离子10。在晶圆102中，由于带电离子的植入可导致电荷残留于晶圆102，而造成部分的晶圆102贴附至平台112的表面。要卸除这种晶圆102可能会有困难。还有，如果镀覆一层的介电层在晶圆102的下表面，可能会延迟带电离子与电子的中性化，因而造成晶圆102即使在夹持电压已被移除时仍然贴附至平台112表面。试图从平台112的表面分离晶圆102可能会因用力过度而造成晶圆破裂。如果镀覆一层介电层(未示出)在晶圆102的下表面，晶圆破裂的情形可能会更加频繁。因此，需要一种新的夹持与解除夹持晶圆的方法。
技术实现思路
揭露从平台夹持与解除夹持晶圆的方法，平台包括一个或多个电极，电性偏压(electricallybiased)一个或多个电极以静电地夹持晶圆至平台。将电极偏压至可处理晶圆的第一电压。此后，接序地施加一个或多个电压至电极。在一些实施例中，每一个后继的电压小于先前施加的电压。在其他实施例中，一个或多个后继电压可大于先前的施加电压。这种电压次序可减少发生晶圆在移除过程中贴附或附着至平台的可能性。在一实施例中，从平台夹持与解除夹持晶圆的方法包括放置晶圆在平台上，其中平台包括将电极偏压在初始电压时，用来夹持晶圆至平台上的电极；施加第一电压至平台的电极以静电地夹持晶圆至平台，第一电压大于初始电压；施加第二电压至电极，第二电压小于第一电压，并且大于初始电压；在施加第二电压至电极后从平台移除晶圆。在另一个实施例中，从平台夹持与解除夹持晶圆的方法包括放置晶圆在平台上，其中平台包括在电极偏压在初始电压时，用来夹持晶圆至平台上的电极；施加第一电压至电极以静电地夹持晶圆至平台，第一电压大于初始电压；施加第二电压至电极，第二电压小于第一电压，并且大于初始电压；施加第三电压至电极，第三电压高于第二电压，并且低于第一电压；以及在施加第三电压至电极之后移除晶圆。在另一个实施例中，从平台夹持与解除夹持晶圆的方法包括放置晶圆在平台上，其中平台包括在电极偏压在0伏时，用来夹持晶圆的电极；施加第一电压至电极以静电地夹持晶圆至平台，第一电压介于100伏与1000伏之间；施加第二电压至电极，第二电压小于第一电压，并且介于5伏与600伏之间；在施加第二电压之后，施加第三电压至电极，其中第三电压小于第二电压，并且介于5伏与600伏之间；在施加第三电压至电极之后从平台移除晶圆。附图说明为了对本揭露有更好的理解，请参考附图，附图以引用的方式并入本文中，且其中：图1根据现有技术示出夹持与解除夹持晶圆至平台的示例系统。图2根据现有技术示出可使用于图1的系统的时序图。图3根据一实施例示出可应用于图1的系统的时序图。图4根据第二实施例示出可应用于图1的系统的时序图。图5根据第三实施例示出可应用于图1的系统的时序图。图6根据第四实施例示出可应用于图1的系统的时序图。具体实施方式本揭露将参考其中的特定实施例与所伴随的图式作更详细的叙述。虽然本揭露下述的内容是参考特定的实施例，但不应理解为本揭露限制于此。请参考图3，图3根据本揭露的一实施例示出夹持与解除夹持晶圆的示范性方法。在此图式中，所示的方法是以就由供应电源116提供夹持电压至平台112中的一个或多个电极114的时序来叙述。为了清楚与简洁的叙述，本实施例的方法将以图1所示的相关构件作叙述。因此，本实施例的方法应以图1所示的构件配置关系来理解。在本实施例中，可将晶圆102装载至平台112上。此后，在时间点T1，可以第一电压V1施加至平台112中的电极114，并且晶圆102可被静电地夹持至平台112上。在施加第一电压V1之前，可以初始电压V0施加至电极114。在本揭露中，初始电压V0可为零电压或是一些其他小于V1的电压。在本揭露中，第一电压V1可为夹持电压，并且电压可在从大约100伏至大约1千伏之间的范围。在一实施例中，第一电压可为大约150伏。在另一个实施例中，第一电压可为大约250伏。在另一个实施例中，第一电压可为大约500伏。而在另一个实施例中，第一电压可为大约750伏。如果平台包括内电极114a与外电极114b，电极114a与电极114b的其中一个可以正第一电压V1施加，并且电极114a与电极114b中的另一个可以负第一电压V1施加。当施加第二电压V2至电极114时，第一电压V1如图所示可维持至时间点T2。在时间点T1与T2之间，执行离子植入制程。如图3所示，施加至电极114的第二电压V2可小于第一电压V1，举例而言，第二电压V2的范围可从大约5伏至大约100伏。在一实施例中，第二电压V2可为大约5伏。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从平台夹持与解除夹持晶圆的方法，其特征在于包括：放置所述晶圆在所述平台上，所述平台包括用来夹持所述晶圆至所述平台上的电极，同时将所述电极偏压于初始电压；施加第一电压至所述平台的所述电极以静电地夹持所述晶圆至所述平台，所述第一电压大于所述初始电压；施加第二电压制所述电极，所述第二电压小于所述第一电压，并大于所述初始电压；以及在对所述电极施加所述第二电压之后，从所述平台移除所述晶圆。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.02.28 US 61/770,642;2013.04.29 US 13/872,4171.一种从平台夹持与解除夹持晶圆的方法，其特征在于包括：放置所述晶圆在所述平台上，所述平台包括用来夹持所述晶圆至所述平台上的电极，同时将所述电极偏压于初始电压；施加第一电压至所述平台的所述电极以静电地夹持所述晶圆至所述平台，所述第一电压大于所述初始电压；在施加所述第一电压后直接施加第二电压至所述电极，所述第二电压小于所述第一电压，并大于所述初始电压；在施加所述第二电压后直接施加第三电压至所述电极，所述第三电压小于所述第二电压，并大于所述初始电压；在施加所述第三电压后直接施加第四电压至所述电极，所述第四电压大于所述第三电压，并且小于所述第一电压；以及在施加所述第四电压后直接施加第五电压至所述电极，所述第五电压小于所述第四电压，并且大于所述初始电压，在施加所述第五电压之后，移除所述晶圆。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在施加的电压大于所述初始电压时移除所述晶圆。3.一种从平台夹持与解除夹持晶圆的方法，其特征在于包括：放置所述晶圆在所述平台上，所述平台包括用来夹持所述晶圆的电极，同时将所述电极偏压于0电压；施加第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：具一雄，玄盛焕，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US