本发明专利技术公开了一种厚铜板蚀刻工艺，包括以下步骤：S1，压模；S2，曝光；S3，显影；S4，蚀刻；S5，测量线宽线距；S6，退膜。本发明专利技术将要蚀刻的线路面超下，这样可以很好的避免水池效应，提高蚀刻因子，同时提高蚀刻的均匀性，并且降低由于设备、药水的局限性带来的报废成本，提高客户的满意度，缩短了生产周期，降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术线路板生产工艺，尤其涉及一种厚铜板蚀刻工艺。
技术介绍
随着电子、通信产品的飞速发展，信号传输量增加、传输速度加快，使得印刷线路板的设计朝着高频率、高功率、微型化的方向进行，信号功率高、电流大、电压高对印刷线路板的面铜厚度和孔铜厚度提出了更高的要求。目前的这种厚铜板蚀刻，因为设备、药水的局限性，会存在蚀刻均匀性差，测试过大等问题。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术解决了上述问题，提供了一种厚铜板蚀刻工艺。技术方案:一种厚铜板蚀刻工艺，包括以下步骤: SI，压模；在压力3-10KG，温度110-130度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上； S2，曝光；按照线路需要位置，利用UV光对干膜进行照射； S3，显影；利用碳酸钠含量为1%的碳酸钠溶液将曝光过程中没有被UV光照射的部分溶解掉； S4，蚀刻；将没有干膜覆盖的地方，利用氯化铜和盐酸的混合液，将其溶解掉； S5，测量线宽线距；利用二次元对蚀刻出来的线路进行量测，确保线宽控制在10%的误差以内； S6，退膜；利用强碱氢氧化钠溶液，将被UV光照射后的干膜溶解掉。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤SI前，还进行前处理步骤；所述前处理步骤通过机械磨刷的方式，对厚铜板表面的清洗，并在厚铜板表面形成耕地式的表面。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤S4中，进行蚀刻时，将厚铜板线路面朝下放入蚀刻槽，并且按一定时间间隔将厚铜板水平旋转90%，旋转次数为4的整数倍。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S3后，对显影后的厚铜板进行检验，确保厚铜板是合格的。作为本专利技术的一种优选方案，所述干膜由聚酯薄膜、光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分层叠而成。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤SI中，在压力5KG，温度115度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤SI中，在步骤S4中，蚀刻的速度1.39m/min。有益效果:本专利技术与现有技术相比，其优点在于，本专利技术将要蚀刻的线路面超下，这样可以很好的避免水池效应，提高蚀刻因子，同时提高蚀刻的均匀性，并且降低由于设备、药水的局限性带来的报废成本，提高客户的满意度，缩短了生产周期，降低了生产成本。【具体实施方式】下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本专利技术。实施例本专利技术的蚀刻是利用酸性氯化铜溶液采用置换反应，将铜置换出来。由于传统水平蚀刻线是上下喷淋的方式，完成药液置换，当铜太厚时，药液之后会受到局限性，如果将要蚀刻的线路面超下，这样可以很好的避免水池效应，提高蚀刻因子。同时，由于蚀刻机器的局限性，蚀刻采用喷管喷淋式完成药液交换，但是喷管有一定的角度，所有对于横向和竖向的药水置换是不同的。本专利技术通过调整蚀刻速度，将蚀刻的次数定位4的倍数，这样在横向和竖向完成很好的补偿，确保均匀性。本专利技术具体方案为一种厚铜板蚀刻工艺，包括以下步骤: SI，压模；在压力3-10KG，温度110-130度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上； S2，曝光；按照线路需要位置，利用UV光对干膜进行照射； S3，显影；利用碳酸钠含量为1%的碳酸钠溶液将曝光过程中没有被UV光照射的部分溶解掉； S4，蚀刻；将没有干膜覆盖的地方，利用氯化铜和盐酸的混合液，将其溶解掉； S5，测量线宽线距；利用二次元对蚀刻出来的线路进行量测，确保线宽控制在10%的误差以内； S6，退膜；利用强碱氢氧化钠溶液，将被UV光照射后的干膜溶解掉。在步骤SI前，最好进行前处理步骤；所述前处理步骤通过机械磨刷的方式，对厚铜板表面的清洗，并在厚铜板表面形成耕地式的表面，提高后续压膜步骤中的干膜与厚铜板表面的结合力。为了提高蚀刻的均匀性，所述步骤S4中，进行蚀刻时，将厚铜板线路面朝下放入蚀刻槽，并且按一定时间间隔将厚铜板水平旋转90%，旋转次数为4的整数倍。为了提高本专利技术的成品率，在步骤S3后，对显影后的厚铜板进行检验，确保厚铜板是合格的。上述方案中，所述干膜由聚酯薄膜、光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分层叠而成。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤SI中，在压力5KG，温度115度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上。对实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。【主权项】1.一种厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，包括以下步骤: SI，压模；在压力3-10KG，温度110-130度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上； S2，曝光；按照线路需要位置，利用UV光对干膜进行照射； S3，显影；利用碳酸钠含量为1%的碳酸钠溶液将曝光过程中没有被UV光照射的部分溶解掉； S4，蚀刻；将没有干膜覆盖的地方，利用氯化铜和盐酸的混合液，将其溶解掉； S5，测量线宽线距；利用二次元对蚀刻出来的线路进行量测，确保线宽控制在10%的误差以内； S6，退膜；利用强碱氢氧化钠溶液，将被UV光照射后的干膜溶解掉。2.根据权利要求1所述的厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，在步骤SI前，还进行前处理步骤；所述前处理步骤通过机械磨刷的方式，对厚铜板表面的清洗，并在厚铜板表面形成耕地式的表面。3.根据权利要求1所述的厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，所述步骤S4中，进行蚀刻时，将厚铜板线路面朝下放入蚀刻槽，并且按一定时间间隔将厚铜板水平旋转90%，旋转次数为4的整数倍。4.根据权利要求1所述的厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，在步骤S3后，对显影后的厚铜板进行检验，确保厚铜板是合格的。5.根据权利要求1所述的厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，所述干膜由聚酯薄膜、光致抗蚀剂膜及聚乙烯保护膜三部分层叠而成。6.根据权利要求1所述的厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，在步骤SI中，在压力5KG，温度115度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上。7.根据权利要求1所述的厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，在步骤S4中，蚀刻的速度1.39m/min。【专利摘要】本专利技术公开了一种厚铜板蚀刻工艺，包括以下步骤：S1，压模；S2，曝光；S3，显影；S4，蚀刻；S5，测量线宽线距；S6，退膜。本专利技术将要蚀刻的线路面超下，这样可以很好的避免水池效应，提高蚀刻因子，同时提高蚀刻的均匀性，并且降低由于设备、药水的局限性带来的报废成本，提高客户的满意度，缩短了生产周期，降低了生产成本。【IPC分类】C23F1/02, H05K3/06【公开号】CN105154881【申请号】CN201510518279【专利技术人】计向东 【申请人】昆山大洋电路板有限公司【公开日】2015年12月16日【申请日】2015年8月21日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种厚铜板蚀刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，压模；在压力3‑10KG，温度110‑130度的条件下通过热压滚，将干膜均匀的压覆在厚铜板上；S2，曝光；按照线路需要位置，利用UV光对干膜进行照射；S3，显影；利用碳酸钠含量为1%的碳酸钠溶液将曝光过程中没有被UV光照射的部分溶解掉；S4，蚀刻；将没有干膜覆盖的地方，利用氯化铜和盐酸的混合液，将其溶解掉；S5，测量线宽线距；利用二次元对蚀刻出来的线路进行量测，确保线宽控制在10%的误差以内；S6，退膜；利用强碱氢氧化钠溶液，将被UV光照射后的干膜溶解掉。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：计向东，
申请(专利权)人：昆山大洋电路板有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。