抗蚀剂密合性提高剂和铜配线制造方法技术

本发明专利技术涉及一种抗蚀剂密合性提高剂，其含有有机酸1.5重量％～20重量％、氯离子0.0007重量％～0.73重量％、铵离子0.00003重量％～3.7重量％和其余部分的水，且氯离子相对于铵离子的摩尔浓度比在0.1～10的范围；以及涉及一种铜配线制造方法，其中，在铜膜上形成感光性抗蚀膜时，利用该抗蚀剂密合性提高剂对铜膜表面进行处理，然后在铜膜上形成感光性抗蚀膜。由此，感光性抗蚀剂与铜膜表面的密合性变好。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种抗蚀剂密合性提高剂，其含有有机酸1.5重量％～20重量％、氯离子0.0007重量％～0.73重量％、铵离子0.00003重量％～3.7重量％和其余部分的水，且氯离子相对于铵离子的摩尔浓度比在0.1～10的范围；以及涉及一种铜配线制造方法，其中，在铜膜上形成感光性抗蚀膜时，利用该抗蚀剂密合性提高剂对铜膜表面进行处理，然后在铜膜上形成感光性抗蚀膜。由此，感光性抗蚀剂与铜膜表面的密合性变好。【专利说明】
本专利技术涉及的抗蚀剂密合性提高剂以及铜配线制造方法，在液晶显示器（LCD)或 电致发光（EL)显示器等显示装置制造等中，利用由基板表面的铜膜形成铜配线的工序在 铜膜表面形成抗蚀膜时，适合于为了使抗蚀膜与铜膜表面的密合性良好而进行的铜膜表面 处理。
技术介绍
在高性能LCD和EL显示器中，开始使用铜来作为代替铝的配线材料。优选铜的理 由是因为：与铝相比电阻率低，能够使配线微细化，因此具有可较宽地设计开口部，而且开 关能够高速地驱动等优点。 作为制造铜配线的方法，一般来说使用以下方法：通过蒸镀或镀覆等在基板表面 形成铜膜后，经过在铜膜上形成感光性抗蚀膜、隔着图案掩模对抗蚀膜的曝光、曝光后的抗 蚀膜的显影、通过显影除去抗蚀膜后的铜膜部分的蚀刻、其后的抗蚀膜剥离等等，从而形成 铜配线。 该情况下，在铜膜表面形成抗蚀膜时，为了在其后的蚀刻工序中精确地形成与抗 蚀图案一致的配线，要求铜表面和抗蚀膜之间具有极高的密合性。以往，作为用于在铜膜上 形成密合性良好的抗蚀膜的技术性研究，有对抗蚀剂的技术性课题的研究和对铜膜的表面 处理方法的研究。 其中，作为针对铜膜的表面处理的研究，可以举出例如铜膜表面的污垢及氧化皮 膜的除去处理、以及铜表面粗糙化处理等，为此对铜膜表面进行物理研磨，或者利用化学药 品进行化学研磨（软蚀刻）。在物理研磨中，出于除去在进行了研磨后的刷及研磨后的表面 所附着的颗粒的目的，使用了含有有机酸和铵化合物的清洗液等（例如参见专利文献1)。 专利文献1所公开的技术的目的在于在下述制造方法中应用，该制造方法包括利用CMP技 术将基于铜的相互配线平坦化后对半导体基板进行清洗来除去污染物的工序，作为该污染 物，以包括研磨中生成的颗粒在内的污染物为对象，不仅未提及抗蚀剂涂布前的铜膜表面 处理，而且目标在于除去污染物来确保通过研磨得到平坦表面，完全没有考虑实现提高抗 蚀剂密合性的课题，而提高抗蚀剂密合性的可能性也不清楚。而且，在LCD和EL显示器制 造中由于基板尺寸大，因此难以适用物理研磨，并且原本并未公开还能适用于大规模基板 的技术。 另一方面，在化学研磨中，已知使用含有氟化铵和乙酸铵等的清洗液（例如参见 专利文献2)、硫酸系清洗液、盐酸系清洗液（例如参见专利文献3)等清洗液进行化学处理 的方法等。在专利文献2所公开的技术中，出于除去千蚀刻后的生成物的目的而使用清洗 液，完全没有考虑在蚀刻前的抗蚀图案形成工序中使用，而使用的可能性也不清楚。此外在 专利文献3所公开的技术中，在隔着铜表面氧化而形成的氧化铜层与树脂接合的树脂封装 制造中，出于除去引线端子的铜表面的氧化铜层以确保导电性的目的使用了清洗液，完全 没有考虑如下课题：为了提高与树脂的接合强度而有意形成氧化铜层，并通过清洗实现提 高抗蚀剂密合性。、 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特表20〇2_5〇6295号公报 专利文献2 :日本特开2〇〇4-342632号公报 专利文献3 :日本特开2009-260280号公报 由本专利技术人研究的结果可知，在使用这样的清洗液进行铜膜的表面处理后的基板 上形成感光性抗蚀膜的情况下，蚀刻中的侧蚀量与未实施表面处理时几乎没有差别，因此， 无助于提高抗蚀膜在铜表面的密合性。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术的目的在于提供一种用于铜膜表面处理的抗蚀剂密合性提高剂和铜配线 制造方法，该铜膜表面处理是为了下述目的而进行的：在基板表面的铜膜表面处理中，特别 是在LCD或EL显示器等显示装置制造等中的由铜膜形成铜配线的工序中，在铜膜表面形成 抗蚀膜时，使抗蚀膜与铜膜表面的密合性良好，降低利用蚀刻液进行蚀刻时的侧蚀量，形成 忠实于抗蚀图案的铜配线。 用于解决课题的方案 本专利技术涉及一种抗蚀剂密合性提高剂，其含有有机酸1. 5重量％?20重量％、氯 离子0· 0007重量％?0· 73重量％、铵离子0· 00003重量％?3. 7重量％和其余部分的水， 且氯离子相对于铵离子的摩尔浓度比在0. 1?10的范围。 另外，本专利技术涉及一种铜配线制造方法，其特征在于，所述铜配线制造方法包括以 下工序：在形成于基板表面的铜膜上形成感光性抗蚀膜的工序；和利用蚀刻液对隔着图案 掩模对感光性抗蚀膜进行曝光、显影而成的除去抗蚀膜后的铜膜部分进行蚀刻的工序，所 述铜配线制造方法中，在铜膜上形成感光性抗蚀膜时，利用上述抗蚀剂密合性提高剂对铜 膜表面进行处理，然后在铜膜上形成感光性抗蚀膜。 专利技术效果 通过上述构成，本专利技术在适用于LCD或EL显示器等显示装置等中的基于蚀刻的铜 配线形成时，能够提高铜膜与抗蚀剂的密合性，因而能够降低利用蚀刻液进行蚀刻时的侧 蚀量，能够制造忠实于抗蚀图案的铜配线。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出氯离子固定为0·〇66重量％、铵离子固定为〇_〇34重量％而有机酸（柠 檬酸）浓度不同的抗蚀剂密合性提高剂的侧蚀量变化的曲线图。 【具体实施方式】 本专利技术的抗蚀剂密合性提高剂含有有机酸1. 5重量％?20重量％、氯离子0. 0007 重量％?〇· 73重量％、铵离子0. 00003重量％?3. 7重量％和水，且氯离子相对于铵离子 的摩尔浓度比、即以/表示的比值在0· 1?10的范 围。 作为上述有机酸，只要是水溶性的有机酸即可，可以举出例如选自乙酸、甲酸、丁 酸等中的一元羧酸；选自柠檬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸等中的多元羧酸；等等，这些之中， 包括选自丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸等中的含有不饱和键的羧酸。这些有机酸可以仅使用 一种，也可以合用两种以上。这些之中，优选为柠檬酸。 作为上述有机酸的混配量，相对于抗蚀剂密合性提高剂为1. 5重量％?20重 量％、优选为1.5重量！％?17重量％、更优选为3重量％?7重量％。在小于1.5重量％ 和超过20重量％的情况下，无助于降低侧蚀量，无法得到提高铜膜与抗蚀剂的密合性的效 果。 上述氯离子中，作为其供给源，可以举出例如盐酸、碱性化合物的盐酸盐等。作为 上述碱性化合物的盐酸盐，可以举出例如氯化铵、氯化钠、氯化钾等无机碱性化合物盐酸 盐；乙胺盐酸盐、二乙胺盐酸盐等有机碱性化合物盐酸盐；等等。这些氯离子供给源可以仅 使用一种，也可以合用两种以上。这些之中，考虑到金属导致的污染问题和成本方面，优选 为盐酸、氯化铵。 作为上述氯离子供给源的混配量，相对于抗蚀剂密合性提高剂，氯离子混配量为 〇· 0007重量％?0· 73重量％、优选为0. 0007重量％?0· 066重量％。 对于上述铵离子，作为其供给源，可以举出例如氨水、氯化铵、溴化铵等卤化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂密合性提高剂，其含有有机酸1.5重量％～20重量％、氯离子0.0007重量％～0.73重量％、铵离子0.00003重量％～3.7重量％和其余部分的水，且氯离子相对于铵离子的摩尔浓度比在0.1～10的范围。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉崎了，武井瑞树，安江秀国，
申请(专利权)人：长濑化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP