本发明专利技术的课题是提供一种电极间的渗入性良好的模具底部填充密封多层片。为解决上述课题，提供一种模具底部填充密封用的多层片，其特征在于，具备由测定温度125℃、测定时间0～100秒时的tanδ(损耗角正切)的极大值为3以上的树脂组合物构成的(A)层作为最外层。的树脂组合物构成的(A)层作为最外层。的树脂组合物构成的(A)层作为最外层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】模具底部填充密封用的多层片、模具底部填充密封方法、电子部件安装基板以及电子部件安装基板的制造方法
[0001]本专利技术涉及模具底部填充密封用的多层片以及模具底部填充密封方法。
技术介绍
[0002]随着电子设备小型、薄型化的进展，对于安装于电路基板的集成电路也可以要求节省空间，另外，为了实现快速传递多信号，还需要实现高密度化。由于实现快速传递多信号的高密度化，半导体芯片等电子部件(以下称为“电子部件”)与封装基板等的连接近年来大多采用易于多引脚化、高速化的倒装芯片连接方式。为了阻隔外部尘埃和湿气等，使用密封树脂等对电子部件进行密封。对于采用倒装芯片连接方式连接的电子部件的密封，其常规方法是使用具有流动性的液体或浆状密封材料对电子部件与封装基板的间隙进行底部填充之后，使用其它液体或浆状密封材料或者密封膜进行包覆成型(Overmold)。
[0003]实施这些底部填充之后进行包覆成型的方法工序繁多且耗费工时，因此提出了能够同时进行底部填充和包覆成型的模具底部填充(Mold Underfill Encapsulation)材料(专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2015
‑
71670号公报
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的问题
[0008]然而，近年来用于IOT、自动驾驶等的集成电路为了进一步实现电子部件的高密度化，通过多个电极与基板等进行连接。因此，导致一个芯片等中电极间彼此的距离过窄，现有的模具底部填充密封材料无法充分渗入到电极之间。
[0009]因此，本专利技术的课题是提供一种电极间渗入性良好的模具底部填充密封用的多层片。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]本专利技术人针对上述课题进行了深入研究，结果发现具备由具有特定tanδ(损耗角正切)的树脂组合物构成的(A)层作为最外层的多层片能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0012]即，本专利技术为以下多层片。
[0013]用于解决上述课题的本专利技术的多层片的特征在于，具备由测定温度125℃、测定时间0～100秒时的tanδ(损耗角正切)的极大值为3以上的树脂组合物构成的(A)层作为最外层。
[0014]tanδ(损耗角正切)表示树脂组合物的弹性质与粘性质的比例。对电极间彼此距离窄的半导体芯片等电子部件进行底部填充时，仅仅是粘度小，渗入性也不足以渗入到最深
部。为了进一步满足到最深部的渗入性，还需要将渗入的材料从后面挤出的力，即弹性力。本专利技术的含有由限定了上述tanδ(损耗角正切)极大值的树脂组合物构成的(A)层的多层片在对电极间距离更窄的电子部件进行模具底部填充时，能够发挥出优异的渗入性。
[0015]此外，由于是片状，在模具底部填充密封时不需要注入液体等的树脂。因此，与转移成型方式的模具底部填充密封相比，能够得到空洞更少的电子部件安装基板。
[0016]另外，作为本专利技术的多层片的一个实施方式，其特征在于，(A)层含有填料，所述填料的最大粒径为20μm以下。
[0017]根据该特征，能够对电极间的距离更窄的电子部件发挥出更优异的渗入性。
[0018]另外，作为本专利技术的多层片的一个实施方式，其特征在于，(A)层中含有体积粒度分布的累计体积为50％时的中值粒径(D50)(以下称为“中值粒径”)为10μm以下的固化促进剂。
[0019]根据该特征，能够对电极间的距离更窄的电子部件发挥出更优异的渗入性。
[0020]另外，作为本专利技术的多层片的一个实施方式，其特征在于，(A)层的厚度为10～500μm。
[0021]根据该特征，能够抑制电子部件的翘曲。此外，树脂容易渗入到电子部件以下，能够发挥出更优异的渗入性。
[0022]另外，作为本专利技术的多层片的一个实施方式，其特征在于，具备由满足下述式(1)的树脂组合物构成的(B)层。
[0023]下述式(1)中，“α”表示在175℃热固化处理1小时后的热固化物在80℃以下的热膨胀系数α[Ppm/K]。“E
’”
表示该热固化物在25℃时的储能模量E
’
[GPa]。
[0024]40000≦α
×
E
’
≦250000[Pa/K]ꢀꢀ
(1)
[0025]电子部件有时会因树脂固化时的热量发生变形，但具备由满足式(1)的树脂组合物构成的(B)层的多层片能够追随所述电子部件的形状变化，发挥出优异的渗入性，并且抑制翘曲。
[0026]具体而言，热膨胀系数表示随着温度上升，片材长度发生变化的比例，储能模量表示片材刚性。例如，在式(1)的数值范围内，热膨胀系数α大时储能模量E
’
小，能够减小片材的刚性。于是片材能够追随电子部件的形状变化，从而能够缓和由电子部件的热量产生的应力。由此能够抑制电子部件的翘曲。
[0027]另外，作为本专利技术的多层片的一个实施方式，其特征在于多层片具备含有70质量％以上的填料的(B)层，(B)层的厚度与(A)层的厚度之比(B/A)为1.0～80。
[0028]根据该特征，能够对电极间的距离更窄的电子部件发挥出更优异的密封性，能够对密封后的电子部件进一步发挥出低翘曲性。
[0029]用于解决上述课题的本专利技术的模具底部填充密封方法是电子部件安装基板的模具底部填充密封方法，其特征在于具备如下工序：准备基板的工序，倒装安装有电子部件，该电子部件具备该基板电极的高度(h)为5～250μm、电极间宽度(w)为5～500μm的电极；准备多层片的工序，该多层片具备(A)层；以(A)层与电子部件和基板接触的方式载置所述多层片的工序；以及将载置后的多层片加热压缩的工序。
[0030]应予说明，上述A层是由测定温度125℃、测定时间0～100秒时的tanδ(损耗角正切)的极大值为3以上的树脂组合物构成的层。
[0031]本专利技术的模具底部填充密封方法使用具备上述(A)层的多层膜，因此能够更高效地渗入电子部件安装基板的电极间，能够提高更优异的密封方法。
[0032]另外，作为本专利技术的模具底部填充密封方法的一个实施方式，其特征在于，(A)层含有填料，所述填料的最大粒径为所述电极的高度(h)和电极间宽度(w)以下。
[0033]根据该特征，由于(A)层中填料的最大粒径为电极的高度(h)和电极间宽度(w)以下，所以能够使含有(A)层的多层膜更高效地渗入到电子部件安装基板的电极间，并且能够抑制电子部件安装基板的翘曲。
[0034]用于解决上述课题的本专利技术的电子部件安装基板的特征在于，所述模具底部填充密封通过具备(A)层作为最外层的多层片进行密封。
[0035]应予说明，上述A层是由测定温度125℃、测定时间0～100秒时的tanδ(损耗角正切)的极大值为3以上的树脂组合物构成的层。
[0036]根据该特征，通过具备上述(A)层的多层本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种模具底部填充密封用的多层片，其特征在于，具备(A)层作为最外层，所述(A)层是由测定温度125℃、测定时间0～100秒时的tanδ(损耗角正切)的极大值为3以上的树脂组合物构成的层。2.根据权利要求1所述的多层片，其特征在于，所述(A)层含有填料，所述填料的最大粒径为20μm以下。3.根据权利要求1或2所述的多层片，其特征在于，所述(A)层中含有体积粒度分布的累计体积为50％时的中值粒径(D50)为10μm以下的固化促进剂。4.根据权利要求1至3中任一项所述的多层片，其特征在于，所述(A)层的厚度为10～500μm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的多层片，其特征在于，还具备(B)层，所述(B)层是由满足下述式(1)的树脂组合物构成的层，下述式(1)中，“α”表示在175℃热固化处理1小时后的热固化物在80℃以下的热膨胀系数α[ppm/K]，“E
’”
表示所述热固化物在25℃时的储能模量E
’
[GPa]40000≦α
×
E
’
≦250000
ꢀꢀꢀ
[Pa/K](1)。6.权利要求5所述的多层片，其特征在于，所述(B)层的厚度与所述(A)层的厚度之比(B/A)为1.0～80。7.一种电子部件安装基板的模具底部填充密封方法，其特征在于，具备如下工序：准...
【专利技术属性】
技术研发人员：森大辅，浅原正宏，菅克司，野村英一，
申请(专利权)人：长濑化成株式会社，
类型：发明
国别省市：
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