【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及pcb生产，尤其涉及一种异形长pth槽负片生产工艺。
技术介绍
1、pcb生产工艺分正片及负片工艺，负片和正片的最大差异就是，是否需要在图形转移中的“显影”之后再进行“图形电镀”。负片以干膜作为抗蚀阻剂，而正片以锡作为抗蚀阻剂。
2、负片工艺中难点是大孔及槽孔的掩膜，常规的38um干膜只能加工2.0mm以内的金属孔，掩孔能力不足，影响产品良率。为了保证大孔的掩膜效果，通常采用简单的增加干膜厚度的方式，如采用50um干膜，但50um厚干膜槽孔封孔能力为4.0*13mm，对于超长异形槽孔(3mm*112mm)依旧不能满足掩孔要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于：提供一种异形长pth槽负片生产工艺，有效解决负片工艺中常规单层干膜的掩孔能力不足问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种异形长pth槽负片生产工艺，包括以下步骤：
3、s1、工程资料制作；
4、s2、前处理；
5、s3、一次压膜：采用贴膜机在pcb板面覆盖一层第一干膜，第一干膜的厚度为45-50um，第一干膜的厚度优选为50um；
6、s4、一次曝光：对于pcb板面的长pth槽孔处进行曝光；
7、s5、一次显影：将pcb板面上未曝光的第一干膜去掉，pcb板面的长pth槽孔位置处覆盖一层第一干膜，得到第一干膜封槽图形；
8、s6、微蚀：显影后的pcb板在水平线上进行输送，并在输送过程中对p
9、s7、二次压膜：采用贴膜机在pcb板面覆盖一层第二干膜，第二干膜的厚度为45-50um，第二干膜的厚度优选为50um；
10、s8、二次曝光：将pcb板送入di曝光机进行曝光；
11、s9、二次显影：pcb板面上未曝光的第二干膜去掉，露出线路图形；
12、s10、蚀刻：将露出的非线性铜箔蚀刻掉，形成所需的线路；
13、s11、退膜：采用强碱液将pcb板面上用于保护长pth槽孔的两层干膜进行去除。
14、作为上述技术方案的进一步描述：
15、在步骤s2中，前处理过程包括：在pcb板表面进行物理磨板，再依次进行水洗、微蚀、酸洗和烘干步骤进行处理。
16、作为上述技术方案的进一步描述：
17、在步骤s2中，磨板时磨痕宽度控制为12-18mm，烘干温度90±5℃。
18、综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：
19、1、本专利技术中，改变原有外层生产流程方式，一次曝光、显影将超长异形槽孔使用50um干膜封起，pcb其它位置均显影干净，经微蚀后二次压膜，人为加厚超长异形槽孔处干膜，厚度达到100um，pcb其它位置干膜厚度仍为50um，不影响其3mil间距的解析，保证了密集线路正常生产。
20、2、本专利技术中，长pth槽孔处进行局部双层干膜处理时，一次曝光、显影后进行微蚀处理，去除显影后板面的氧化，增加二次干膜的结合力，保证二次压膜的可靠性。且两次压膜的干膜厚度保持一致，减少因干膜厚度差导致的曝光不良。
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1.一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，前处理过程包括：在PCB板表面进行物理磨板，再依次进行水洗、微蚀、酸洗和烘干步骤进行处理。
3.根据权利要求2所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，磨板时磨痕宽度控制为12-18mm，烘干温度90±5℃。
4.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S5中，显影速度2.8-3.2m/min，显影温度30℃，显影上喷压1.2-1.4kg/cm2，显影下喷压1.0-1.2kg/cm2。
5.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S6中，微蚀H2O2浓度控制10-35ml/L，H2SO4浓度控制20-60ml/L，微蚀稳定剂浓度控制40-60ml/L，烘干温度90±5℃。
6.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S7中，压膜压力5±1kg/cm
7.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S9中，显影速度2.8-3.2m/min，显影温度30℃，显影上喷压1.4±0.2kg/cm2，显影下喷压1.2±0.2kg/cm2。
8.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S10中，蚀刻压力控制2.0-3.0kg/cm2，蚀刻温度50±5℃，蚀刻后量测最小线宽为0.13mm。
9.根据权利要求1所述的一种异形长PTH槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤S11中，退膜压力控制1.0±0.2kg/cm2，退膜温度40-50℃，退膜速度2.5-3.0m/min。
...【技术特征摘要】
1.一种异形长pth槽负片生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种异形长pth槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤s2中，前处理过程包括：在pcb板表面进行物理磨板，再依次进行水洗、微蚀、酸洗和烘干步骤进行处理。
3.根据权利要求2所述的一种异形长pth槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤s2中，磨板时磨痕宽度控制为12-18mm，烘干温度90±5℃。
4.根据权利要求1所述的一种异形长pth槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤s5中，显影速度2.8-3.2m/min，显影温度30℃，显影上喷压1.2-1.4kg/cm2，显影下喷压1.0-1.2kg/cm2。
5.根据权利要求1所述的一种异形长pth槽负片生产工艺，其特征在于，在所述步骤s6中，微蚀h2o2浓度控制10-35ml/l，h2so4浓度控制20-60ml/l，微蚀稳定剂浓度控制...
【专利技术属性】
技术研发人员：计富强，张俊，戚超，
申请(专利权)人：昆山大洋电路板有限公司，
类型：发明
国别省市：
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